Поздравляем Дмитрия Харитоновича с почетным званием и желаем дальнейших успехов в научной деятельности!

Дмитрий Квон (Квон Зе Дон) — ученый с мировым именем, работающий в области физики конденсированного состояния. Дмитрий Харитонович занимается исследованиями низкоразмерных электронных систем и наноструктур, сегодня – это одна из бурно развивающихся областей физики конденсированного состояния.

Среди важнейших достижений ИФП СО РАН последних десяти лет — результаты работ, проведенных под руководством З.Д Квона: исследования новых низкоразмерных электронных систем в квантовых ямах и пленках на основе теллурида ртути.

Дмитрий Харитонович Квон

Двумерный полуметалл

Так, Дмитрием Харитоновичем с коллегами, была открыта принципиально новая разновидность двумерных электронных систем — двумерный полуметалл, отличительной особенностью которого является перекрытие зон и, как следствие, одновременное существование двумерных электронов и дырок. Впервые реализован переход двумерный металл — двумерный полуметалл, и показано, как электронно-дырочное рассеяние Ландау приводит к росту сопротивления фермиевской системы.

Топологические изоляторы

Наряду с этим, научной группой, под руководством З.Д. Квона, были получены принципиально важные результаты для физики как двумерных, так и трехмерных топологических изоляторов. В частности, установлено, что теллурид ртути — единственный материал, на основе которого можно получить оба отмеченных типа топологических изоляторов.

Также был обнаружен целый ряд особенностей транспортного и фотоэлектрического отклика, отражающих все особенности, связанные с основным свойством топологических изоляторов — наличием поверхностных Дираковских состояний с жесткой топологической связью спина и импульса электрона.

Примечание: Топологические изоляторы — это изоляторы, поверхность которых является двумерным или одномерным металлом. Соответственно, они способны проводить спин-поляризованный электрический ток по своей поверхности, тогда как в объеме нет никакого тока. Возможно, указанное свойство топологических изоляторов найдет применение при конструировании и производстве интегральных схем будущего.

Дмитрий Харитонович — автор и соавтор более 300 статей в ведущих российских и международных физических журналах, таких как «Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики», Physical Review Letters и Nature Communications. Его научные результаты признаны у нас в стране и за рубежом. Их индекс цитируемости превышает несколько тысяч.

З.Д. Квон проводит совместные исследования с коллегами из крупных мировых научных центров (Гренобльской лаборатории сильных магнитных полей, Эксетерского, Нью-Йоркского, Регенсбургского университетов, университета Сан-Пауло).

Дмитрий Харитонович — профессор кафедры «Физика полупроводников» Новосибирского государственного университета, он разработал и читает годовой спецкурс «Физика тонких полупроводниковых слоев и низкоразмерных систем». Среди его учеников — 3 доктора и 6 кандидатов наук.

Пресс-служба ИФП СО РАН
Автор фото: В. Трифутин