На II научной конференции «Великая Отечественная война. Победа и Наука» в Новосибирске обсудили вклад науки в достижение победы в Великой Отечественной войне. Особое внимание было уделено основателям СО АН СССР: академику АН СССР Самсону Семеновичу Кутателадзе; академику АН СССР Гершу Ицковичу Будкеру, академику АН СССР Анатолию Васильевичу Ржанову, академику АН СССР Дмитрию Константиновичу Беляеву. Доклад об академике А. В. Ржанове представил директор ИФП СО РАН академик РАН Александр Васильевич Латышев. Авторы доклада — член-корреспондент РАН Игорь Георгиевич Неизвестный, академик А. В. Латышев.

«Новосибирский Академгородок и Сибирское отделение были созданы поколением победителей. Яркой личностью среди этих победителей был человек с фронтовой закалкой, доброволец Красной Армии, лейтенант Анатолий Васильевич Ржанов — основатель и первый директор Института физики полупроводников. Сейчас Институт носит его имя, в новосибирском Академгородке есть улица, названная в честь Анатолия Васильевича, Сибирское отделение РАН учредило премию имени А.В. Ржанова для молодых ученых, а в ИФП СО РАН молодые специалисты получают стипендию его имени», ― отметил Александр Латышев. ― Анатолий Васильевич вырос в двадцатые-тридцатые годы прошлого века, довольно сложные для нашей страны. Он родился в семье военного и часто переезжал, но школу ему посчастливилось окончить в Ленинграде, и там же поступить в знаменитый Ленинградский политехнический институт им. М.И. Калинина. Анатолий Васильевич окончил Институт досрочно, защитив диплом в декабре 1941 года».

Диплом А.В. Ржанова

Анатолий Ржанов с первых дней войны пытался попасть на фронт добровольцем, несмотря на то, что у него был «белый билет» по состоянию здоровья. Ранее он полностью прошел курс общевойсковой подготовки на военной кафедре института, однако офицерское звание ему получить не удалось из-за травмы глаза и отслоения сетчатки. Анатолий Ржанов пробовал попасть на флот (в июне-июле 1941 года), но не прошел медкомиссию. Затем подал заявление в добровольческие части (в июле 1941 года): был зачислен в дивизию народного ополчения в Ленинграде, там быстро стал командиром взвода, и предполагалось его назначение командиром роты. Однако для командного состава требовалось обязательное медицинское освидетельствование и А.В. Ржанова отчислили из состава батальона по результатам медкомиссии. После этого Анатолий Ржанов оставался в блокадном Ленинграде, сконцентрировавшись на досрочной защите дипломной работы. А в январе 1942 года ему удалось вырваться на фронт, в бригаду, которой командовал его отец, и, благодаря знаниям, полученным на военной кафедре, А. В. Ржанов стал принимать участие в разработке разведывательных операций, глазомерной съемке, подготовке «проулков» для крупных разведывательных операций. Анатолий Ржанов в составе бригады морской пехоты воевал на Ораниенбаумском плацдарме — важнейшем участке обороны Ленинграда.

Фотографии из Откртытого архива СО РАН

«Анатолий Васильевич такими словами характеризовал свою деятельность: “...Такого рода задачами [бригады разведки морской пехоты] мне приходилось вместе со своими товарищами заниматься. И надо сказать, что в этом деле очень важна систематичность, наблюдательность и упорство”. Читая эти слова, становится понятно: то, что важно для проведения научных исследований ― было жизненной позицией этого человека»,― подчеркнул Александр Латышев.

В 1943 году Анатолий Ржанов был контужен, из-за этого уже полностью ослеп на левый глаз и был демобилизован. В 1944 году, будучи зачисленным в аспирантуру Физического института им. П.И. Лебедева РАН (ФИАН), вернулся в свою часть за теплым обмундированием и принял участие в наступлении, направленном на полную ликвидацию блокады Ленинграда.

«Перед началом учебы Анатолий Васильевич решил съездить в родную часть, которая дислоцировалась в районе Нарвского плацдарма. Как раз в это время там началось наступление по прорыву блокады. Бригада понесла тяжелые потери и “гостю-белобилетчику” пришлось взять на себя командование своим бывшим отрядом разведчиков. Это тоже характеризует Анатолия Васильевича, который встал в строй, не задумываясь о том, что у него есть белый билет, серьезные травмы. Анатолий Васильевич попал под сильнейший огонь и снова был тяжело ранен, контужен и отправлен в госпиталь. За этот бой он был награжден орденом Отечественной войны», ― добавил А.В. Латышев.

После выхода из госпиталя, Анатолий Ржанов сосредоточился на обучении в аспирантуре, и несмотря на тяжелое состояние здоровья (ему пришлось еще много месяцев провести в госпиталях – открылись раны на голове и бедре), защитил кандидатскую диссертацию 22 июня 1948 года. Затем по совету и прямому поручению директора ФИАНа президента АН СССР академика С.И. Вавилова, А. В. Ржанов переключился на исследование новой проблемы: физики полупроводников с целью создания совершенно нового прибора ― полупроводникового транзистора. «Проводя эти работы, Анатолий Васильевич пришел к убеждению, что процессы, которые происходят на поверхности, чрезвычайно важны, и нужно всерьез этим заниматься», ― отметил Александр Латышев.

В 1962 году по приглашению председателя СО АН СССР академика Михаила Алексеевича Лаврентьева, Анатолий Ржанов с группой сотрудников ФИАНа приехал в новосибирский Академгородок, где возглавил вновь созданный Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники. Через два года этот Институт после объединения с Институтом радиофизики и электроники, получил название — Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР.

«В том далеком 1962 году Анатолий Васильевич сформулировал основные направления научных исследований в Институте: поверхность и границы раздела полупроводников, тонкие полупроводниковые плёнки, физические основы полупроводниковых приборов. Все три направления актуальны на сегодняшний день. Почти все современные полупроводниковые приборы создаются на основе тонкопленочных структур, а их свойства определяются поверхностью и границами раздела! Можно только удивляться и восхищаться прозорливостью академика Анатолия Васильевича Ржанова», ― сказал А. В. Латышев.

Директор ИФП СО РАН добавил, что громадным шагом в развитии технологической базы Института явилось строительство специализированного термостатированного корпуса, который был введен в строй в 1970 году. Руководителем работ по проектированию строительства корпуса был соратник и бессменный заместитель А.В. Ржанова член-корреспондент РАН Игорь Георгиевич Неизвестный. По инициативе и под руководством А.В. Ржанова разработана серия установок для молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых наноструктур, которые обеспечивают России стратегическое лидерство в получении материала, востребованного при производстве матричных фотоприемных устройств инфракрасного диапазона.

Анатолий Васильевич активно принимал участие в становлении базовых технологий в Институте, таких как гетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур; системы с отрицательным электронным сродством; оптико-электронные системы; материалы и элементы СВЧ-электроники; кремний-на-изоляторе, биосенсоры; системы электронной памяти, нейрочипы; микроболометрические матрицы, лазерная физика, методы нанодиагностики, эллипсометрия и спектрометрия и другие.

«Можно с уверенностью сказать, что к настоящему времени благодаря предвидениям академика А.В. Ржанова и многолетней успешной работе всего коллектива, ИФП СО РАН обладает наивысшей степенью компетенции в России и в мире в области атомной структуры и электронных свойств поверхности и границ раздела полупроводниковых наносистем», ― подчеркнул Александр Латышев.

Видеозапись выступления директора ИФП СО РАН академика А. В. Латышева
на II Научной конференции «Великая Отечественная война. Победа и Наука»

Пресс-служба ИФП СО РАН