После продолжительной и тяжелой болезни 23 февраля 2021 года, на 84 году жизни, скончался один из основоположников Института физики полупроводников СО РАН, известный учёный в области физики полупроводников и диэлектриков, доктор физико-математических наук, профессор, лауреат Государственной премии РФ, заслуженный деятель науки и техники РФ главный научный сотрудник ИФП СО РАН Виктор Николаевич Овсюк.

Виктор Николаевич, уроженец г. Шепетовка, Хмельницкой области (6 ноября 1937г.) в 1959 г. окончил физический факультет Ленинградского государственного университета и до 1962 года работал старшим инженером организации а/я 233 под руководством Г.Ф. Староса и научным сотрудником в ЛГУ под руководством академика А.А. Лебедева. В ноябре 1962 г. по приглашению А. В. Ржанова — первого директора недавно созданного Института физики полупроводников — приехал в Новосибирск и был зачислен на должность научного сотрудника.

Научный и послужной список В.Н. Овсюка

• Ученая степень кандидата физико-математических наук – 1972 г.

• Ученая степень доктора физико-математических наук – 1984 г.

• Ученое звание профессора по физике полупроводников и диэлектриков – 1993 г.

• Лауреат Государственной премии РФ 2001 года в области науки и техники за работу «Электронные и атомные процессы на поверхности твердых тел» (в составе авторского коллектива – 2002 г.

• 1962–1983 гг.– руководитель научно-исследовательской группы в Институте физики полупроводников (ИФП СО АН), г. Новосибирск,

• 1984–2004 гг. – заведующий лабораторией кинетических явлений в полупроводниках,

• 1987 г.– заведующий отделом физики и техники полупроводниковых приборов,

• 1990–1996 гг. – заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН,

• 1996–2001 гг. – директор Конструкторско-технологического института прикладной микроэлектроники (КТИ ПМ СО РАН), г. Новосибирск,

• 2001–2007 гг. – заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН,

• С 2007 г. – главный научный сотрудник ИФП СО РАН.

• В 2007 г. получил Почетное звание «Заслуженный деятель науки и техники РФ»

В.Н. Овсюк в своем кабинете

Область научных интересов Виктора Николаевича была чрезвычайно широка: физика электронных явлений на поверхности и гетерофазных границах раздела полупроводников и диэлектрических слоев, в приборах микро- и оптоэлектроники; квантовые явления в низкоразмерных электронных системах, физика и технология многоэлементных приемников излучения инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур, многослойных структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs и неохлаждаемых микроболометрических матриц.

В.Н. Овсюк прошёл путь от теоретического анализа электронных процессов на поверхности полупроводников к созданию отечественных инфракрасных матричных приёмников, столь необходимых в мире современных технологий. Область гражданского применения таких приемников — это тепловизионные системы наблюдения на транспорте, в системах экологического и противопожарного контроля, автоматической охранной сигнализации. Специальное и военное применение — в системах обнаружения, распознавания и сопровождения, а также в целях обеспечения антитеррористической безопасности.

В середине 80-х годов под руководством Виктора Николаевича коллектив сотрудников приступил к прикладным исследованиям, направленным на создание технологий производства многоэлементных фотоприемников инфракрасного излучения. Вклад Виктора Николаевича в создание востребованных наукоемких технологий и развитие приборостроения огромен: он руководил не только научно-исследовательскими и опытно-конструкторскими работами по созданию трех различных типов фотоприемников инфракрасного излучения, но и разработкой промышленно-ориентированной технологии создания кремниевых интегральных схем считывания сигналов с таких приемников.

С 1996 по 2001 год в период руководства КТИ ПМ СО РАН, Виктор Николаевич был одним из инициаторов формирования нового направления в КТИ ПМ: технологии инфракрасного видения. Под его руководством создавались технологические установки для синтеза новых полупроводниковых материалов, проводились разработки новых фотоприемных устройств и тепловизионной аппаратуры.

С 1990 по 2011 год в период работы в ИФП СО РАН под руководством В.Н. Овсюка были разработаны: основы технологии изготовления многоэлементных фотодиодных приемников на базе материала кадмий-ртуть-теллур; промышленная линейка мультиплексоров, требуемых для обработки фотосигналов инфракрасных фотоприемников; высокочувствительные инфракрасные фотоприемники на основе квантовых ям GaAs/AIGaAs; неохлаждаемые микроболометрические приемники инфракрасного излучения на основе оксидов ванадия, которые могут использоваться, в том числе для проведения спасательных работ, обеспечивая видимость в полностью задымленных шахтах.

Понимая важность задачи подготовки научных кадров и воспитания достойной научной смены, Виктор Николаевич осуществлял многолетнее руководство студенческими дипломными работами. В течение четырех лет читал спецкурсы по физике тонких пленок и структур металл-диэлектрик-полупроводник в Новосибирском государственном университете, прочитал двухлетний курс по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках в Новосибирском государственном техническом университете, по всем прочитанным курсам издал учебные пособия. В течение двух лет был заместителем декана физического факультета НГУ. Под руководством В.Н. Овсюка защищено шесть кандидатских диссертаций. В результате его педагогической деятельности выросла плеяда учеников, с которыми Виктор Николаевич продолжал успешно разрабатывать новые совершенные матричные приёмники инфракрасного изображения.

Библиография ученого состоит из 250 научных публикаций, в том числе 5 монографий, 15 авторских свидетельств и патентов на изобретения. Отдельно нужно выделить в этом списке создание словаря-справочника, содержащего около 7000 терминов по новому и научно-техническому направлению — фотонике, изучающему способы генерации и практического использования света и других излучений, квантовой единицей которых служит фотон. В последние годы Виктор Николаевич работал над проблемами квантовой механики, рождением и эволюцией Вселенной. К сожалению, работа не завершена. Готовил к публикации художественный фантастический роман.

Коллектив Института глубоко скорбит о кончине уважаемого сотрудника Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН и выражает соболезнования родным и близким.

Светлая память и низкий поклон.

Коллектив лаборатории № 13 ИФП СО РАН.