Представляя доклад о деятельности и выполнении государственного задания Сибирским отделением РАН за 2020 год, академик Валентин Николаевич Пармон сообщил об успешных работах специалистов Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН в области исследования свойств поверхности.

Коллектив ученых под руководством академика РАН директора ИФП СО РАН Александра Васильевича Латышева впервые в мире показал, что нестабильности роста на поверхности кремния (111)-7×7 в условиях кинетических ограничений определяются превышением скоростей осаждения над скоростями встраивания, приводящим к росту фрактальной фазы 1×1 на вершинах холмов за счет восходящей диффузии.

Изучение поверхности материалов, понимание механизмов формирования атомных ступеней в разных условиях, необходимо, в частности, для точного контроля свойств при синтезе новых наноструктур.

Также ученые показали, что морфологические нестабильности в условиях отсутствия смачивания в системах Ge-Si (001) и Ge/SiO₂ связаны с разбалансировкой скоростей испарения и обратного встраивания, зависящей от химического перемешивания.

Результаты этих исследований использованы для создания антиотражающих покрытий.