Поздравляем
победителей конкурса научных работ Института 2018 года!
По первому направлению:
1 премия:
Д.Б. Третьяков, И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, В.М. Энтин, И.И. Рябцев, П. Шенэ, П. Пиле
Наблюдение борромеановских трёхчастичных резонансов Фёрстера для трёх взаимодействующих ридберговских атомов рубидия – 5.7 балла
2 премия:
Д.А. Похабов, А.Г. Погосов, Е.Ю. Жданов, А.А. Шевырин, А.К. Бакаров, А.А. Шкляев
Электрическая спиновая поляризация в подвешенных GaAs квантовых точечных контактах – 4.32 балла
М.В. Бурдастых, С.В. Постолова, А.Ю. Миронов
Сверхпроводник и сверхизолятор как топологические фазы материи – 3.84 балла
3 премия:
О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко
Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабом магнитном поле – 3.33 балла
Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов
Экспериментальное наблюдение перемещения краевых дислокаций в гетероструктурах Ge/GexSi1−x/Si(001) – 3.11 балла
Л.С. Брагинский, Л.И. Магарилл, М.М. Махмудиан, М.В. Энтин
Краевые состояния электронов в двумерном топологическом изоляторе: физические последствия линейности электронного спектра – 2.65 балла
По второму направлению:
1 премия:
В.А. Голяшов, И.Б. Чистохин, А.С. Ярошевич, Т.С. Шамирзаев, И.А. Деребезов, В.А. Гайслер, И.И. Мараховка, А.В. Копотилов, Н.В. Кислых, А.В. Миронов, В.В. Аксенов, О.Е. Терещенко
Фотоэмиссионные и инжекционные свойства вакуумного фотодиода с полупроводниковыми электродами с эффективным отрицательным электронным сродством – 7.9 балла
Лучшим докладчиком признана Е.А. Якшина (1 место по направлению I)
Премия молодому участнику – соавтору премированной работы присуждена М.В. Бурдастых (2 место по направлению I)