№ (направление) |
Время |
Авторы, название работы |
Рецензенты |
|
9:00 |
Вступительное слово директора ИФП СО РАН акад. РАН А.В. Латышева
| |
|
9:10 |
А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, А.К. Бакаров. А.А. Шкляев
Физические механизмы возбуждения и детектирования колебаний наноэлектромеханических систем с двумерным электронным газом
|
Информация о развитии работы-победителя конкурса 2017 года по направлению I |
1 |
9:20 |
А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев
Формирование проводящих и диэлектрических наноструктур на поверхности Si(111) зондом атомно-силового микроскопа
|
А.Г. Журавлёв В.А. Зиновьев |
2 |
10:00 |
А.П. Ковчавцев, Ю.Г. Сидоров, А.Е. Настовьяк, А.В. Царенко, И.В. Сабинина, В.В. Васильев
Пассивация поверхности слоев кадмий ртуть теллур тонкими пленками окиси алюминия, выращенными методом атомарно слоевого осаждения
|
Д.Г. Есаев К.В. Феклистов |
3 |
10:40 |
Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов
Экспериментальное наблюдение перемещения краевых дислокаций в гетероструктурах Ge/GexSi1−x/Si(001)
|
Е.М. Труханов Л.И. Федина |
11:20 - 11:30 Перерыв
Председатель сессии: Наумова О.В.
|
4 |
11:30 |
О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко
Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабом магнитном поле
|
Л.И. Магарилл М.Л. Савченко |
5 |
12:10 |
В.А. Гриценко, Т.В. Перевалов, В.А. Воронковский, А.A. Гисматулин, В.Н. Кручинин, В.Ш. Алиев, А.К. Герасимова
Механизм транспорта заряда и природа ловушек в оксиде тантала TaOx
|
В.А. Володин С.Н. Речкунов |
6 |
12:50 |
В.Ш. Алиев, С.Г. Бортников, И.А. Бадмаева,
И.В. Мжельский
Механизм осцилляций тока в диоксиде ванадия
|
Э.Г. Батыев Д.Р. Исламов |
13:30 - 14:30 Перерыв
Председатель сессии: Федина Л.И.
|
7 |
14:30 |
М.С. Аксенов, Н.А. Валишева, С.Е. Хандархаева, А.В. Бакулин, С.Е. Кулькова
Исследование механизма электронной пассивации поверхности InAs(111)A фторсодержащими анодными слоями
|
В.А. Гриценко О.И. Семёнова |
8 |
15:10 |
Р. Жачук, А. Долбак, В. Черепанов, Ж. Кутиньо, Б. Фойхтлендер
Структура напряжённых слоёв Si на поверхности Ge(111)
|
Н.Л. Шварц А.А. Шкляев |
9 |
15:50 |
М.В. Бурдастых, С.В. Постолова, Т.И. Батурина, А.Ю. Миронов
Сверхпроводник и сверхизолятор как топологические фазы материи
|
А.В. Ненашев О.Е. Терещенко |
16:30 - 16:40 Перерыв
Председатель сессии: Ковалев В.М.
|
10 |
16:40 |
Д.А. Похабов, А.Г. Погосов, Е.Ю. Жданов, А.А. Шевырин, А.К. Бакаров, А.А. Шкляев
Электрическая спиновая поляризация в подвешенных GaAs квантовых точечных контактах
|
Л.С. Брагинский М.В. Энтин |
11 |
17:20 |
Л.С. Брагинский, Л.И. Магарилл, М.М. Махмудиан, М.В. Энтин
Краевые состояния электронов в двумерном топологическом изоляторе: физические последствия линейности электронного спектра
|
А.В. Ненашев В.А. Ткаченко |
12 |
18:00 |
А.Э. Климов, В.С. Эпов
Гигантское магнетосопротивление пленок PbSnTe:In в режиме токов, ограниченных пространственным зарядом: угловые особенности и влияние поверхности
|
Д.Ю. Протасов М.В. Энтин |