Расписание выступлений молодых учёных на конкурсе стипендий ИФП СО РАН 2016 года | ||||
16 ноября 2016 года, актовый зал гл. корпуса ИФП СО РАН | ||||
Время | Конкурсант | Виза | Название работы | |
9:00 | Приветственное слово директора ИФП СО РАН академика РАН А.В.Латышева | |||
9:05 | Аксенов Максим Сергеевич | Н.А.Валишева | Формирование границы раздела мeталл/In0.52Al0.48As для создания приборных СВЧ-фотодиодов с барьером Шоттки | |
9:20 | Бацанов Степан Анатольевич | А.К.Гутаковский | Исследование атомной структуры и механизмов формирования нанокристаллов сульфидов металлов в плёнках Ленгмюра- Блоджетт |
|
9:35 | Боев Максим Вадимович | В.М.Ковалев | Бозе-Эйнштейновский конденсат двумерного газа экситонов | |
9:50 | Гайдук Алексей Евгеньевич | В.Я.Принц | Плазмонные структуры на основе субволновых дифракционных решеток:дизайн, моделирование, свойства | |
10:05 | Есин Михаил Юрьевич | А.И.Никифоров | Исследование механизма упорядочения массива островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100) |
|
10:20 | Зайцева Эльза Гайнуллаевна | О.В.Наумова | Исследование подвижности носителей заряда в условиях эффекта зарядовой связи в кремниевых тонкопленочных структурах | |
10:35 | Иванов Артем Ильич | И.В.Антонова | Резистивные переключения в материалах на основе фторированного графена |
|
10:50 | Казанцев Дмитрий Михайлович | В.Л.Альперович | Моделирование процессов разупорядочения поверхности полупроводников | |
11:05-11:20 | Перерыв (Кофе) | |||
11:20 | Кривякин Григорий Константинович | В.А.Володин | Нанокристаллы в аморфной матрице, сформированные с применением импульсного лазерного отжига | |
11:35 | Коляко Александр Владимирович | Д.Б.Третьяков | Исследование особенностей генерации квантового ключа в протяженных атмосферных линиях связи | |
11:50 | Конфедератова Ксения Александровна | К.С.Журавлев | Процессы формирования GaN квантовых точек низкой плотности на поверхности (0001)AlN методом аммиачной МЛЭ. |
|
12:05 | Милахин Денис Сергеевич | К.С.Журавлев | Начальная стадия эпитаксии A3-нитридов на сапфире | |
12:20 | Осинных Игорь Владимирович | К.С.Журавлев | Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев AlGaN сильно легированных кремнием | |
12:35 | Петрушков Михаил Юрьевич | М.А.Путято | Влияние условий зарождения на свойства пленок GaSb/Si при МЛЭ | |
12:50 | Плешков Александр Сергеевич | Д.Б.Третьяков | Исследование распределения однофотонного квантового ключа в однопроходной и двухпроходной оптоволоконных квантовых линиях связи | |
13:05 | Туктамышев Артур Раисович | А.В.Двуреченский | Псевдоморфные многослойные структуры GeSiSn на Si(100), выращенные методом МЛЭ | |
13:20-14:15 | Перерыв на обед | |||
14:15 | Хандархаева Саяна Евгеньевна | А.К.Гутаковский | Атомная структура границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах с большим структурно-химическим несоответствием кристаллических решеток | |
14:30 | Юданова Екатерина Сергеевна | О.И.Семенова | Синтез и физико-химические свойства фотоактивного материала - органоминерального перовскита | |
14:45 | Якшина Елена Алексеевна | И.И.Рябцев | Радиочастотные резонансы Фёрстера в ансамблях холодных атомов рубидия | |
15:00 | Журавлев Андрей Григорьевич | В.Л.Альперович | Фотоэмиссия из p-GaAs(Cs,O) с положительным и отрицательным электронным сродством | |
15:15 | Емельянов Евгений Александрович | В.В.Преображенский | Молеулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов (AIII) SbxAs1-x изопериодичных с GaSb | |
15:30 | Малин Тимур Валерьевич | К.С.Журавлев | In-situ пассивированные гетероструктуры AlN/GaN для E-HEMT | |
15:45 | Небогатикова Надежда Александровна | И.В.Антонова | Наноструктурирование пленок графена и фторографена тяжелыми ионами высоких энергий. |
|
16:00 | Перевалов Тимофей Викторович | В.А.Гриценко | Электронная структура вакансий кислорода в орторомбической фазе Hf0.5Zr0.5O2: ab initio моделирование | |
16:15-16:30 | Перерыв (Кофе) | |||
16:30 | Рожков Станислав Александрович | А.С.Терехов | Изучение неупругого рассеяния фотоэлектронов на границе раздела p-GaN(Cs,O)-вакуум | |
16:45 | Шевырин Андрей Анатольевич | А.Г.Погосов | Наномеханические системы с двумерным электронным газом |