на базе лабораторий:
молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5;
физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур;
Лабораторно-технологический корпус | 15 сентября 2016 г. |
Комната №362 | Четверг, 10 часов |
Ивин Сергей Викторович
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева
Физико-химические процессы на поверхности растущего Si1-xGex при гидридной эпитаксии
Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
по специальности 02.00.04 – физическая химия
Рецензент – кандидат физико-математических наук Никифоров Александр Иванович
на базе лабораторий:
молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5;
физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур;
Лабораторно-технологический корпус | 15 сентября 2016 г. |
Комната №362 | Четверг, 11 часов |
Лазовой Кирилл Александрович
Национальный исследовательский Томский государственный университет
Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии
для приборов оптоэлектроники
Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по специальности 01.04.10 – физика полупроводников
Рецензент – кандидат физико-математических наук Тимофеев Вячеслав Алексеевич