В пятницу, 8 июля, в 10:30 в актовом зале ЛТК состоится семинар лаборатории №1.

Фотоэмиссия электронов из конечных состояний квантово-размерных поверхностных подзон GaAs (001) через электрон-фононное взаимодействие

Докладчик - О.Е. Терещенко

Процесс фотоэмиссии электронов при возбуждении фотоном с энергией порядка работы выхода не может быть описан в зонной модели «почти» свободных электронов. Напротив, необходимо учитывать строение зоны пустых конечных состояний эмиттера, которые могут быть квантованы вблизи поверхности в случае поверхностного потенциала (изгиба зон). Для медленных электронов становится существенным решеточное рассеяние, которое проявляется в фотоэмиссионных спектрах с высоким разрешением.

В данной работе будут представлены результаты по изучению фотоэмиссионных свойств вакуумного фотодиода, в котором полупроводниковый катод (GaAs) и полупроводниковый анод (AlGaAs/GaAs/AlGaAs, GaAs) имеют эффективное отрицательное электронное сродство. Изучено энергетическое распределение электронов фотоэмитированных из полупроводниковых электродов. Будет представлена модель эмиссии электронов в вакуум с квантово-размерных уровней через электрон-фононное взаимодействие. Обсудим эффект отрицательного дифференциального сопротивления в катодном фототоке.