Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей на условиях срочного трудового договора по соглашению сторон:
- ведущего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников» — 1 ставка, опыт работы в области ИК фотоприемных устройств, разработки кремниевых интегральных схем считывания, стаж работы по специальности не менее 5 лет;
- младшего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников» — 0,5 ставки, опыт работы в области исследования электронных процессов в инфракрасных приемниках и светоизлучателях, программном комплексе LabView.
Требования к кандидатам в соответствии с квалификационными характеристиками, утвержденными постановлением Президиума РАН № 196 от 25.03.2008 г.
Срок подачи документов — один месяц со дня выхода объявления. Документы подавать по адресу: г.Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13.
Дата проведения конкурса — 17 января 2011 года
Объявление о конкурсе и перечень необходимых документов размещены на сайтах РАН (http://www.ras.ru) и института (www.isp.nsc.ru).
Справки по тел.:
- 333-24-72 (отдел кадров),
- 333-24-88 (ученый секретарь).