В рамках конкурса Российского научного фонда «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами» получат поддержку проекты ведущего научного сотрудника лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН д.ф.-м.н. Ирины Вениаминовны Антоновой и заведующего лабораторией физических основ материаловедения кремния ИФП СО РАН д.ф.-м.н. Владимира Павловича Попова.

Название проекта Ирины Антоновой: «Гибкие и многофункциональные сенсорные анализаторы на чипе получаемые с использованием 2D печатных технологий».

«В результате работ по гранту ожидается создание прототипов как отдельных сенсоров со считываемыми системами, так и мультисенсорных чипов для комплексного анализа состояния человека. Одной из важных составляющих проекта является использование 2D печатных технологий, что позволяет создавать дешёвые сенсорные системы.
В рамках данного проекта планируется использовать подходы физической химии для синтеза наноразмерных функциональных блоков 2D материалов для сенсорных приложений и комплексный анализ физических и механических свойств получаемых материалов и структур. Новизна проекта основана на использовании принципиально новых разработанных нами материалов (композитных частиц с контролируемой структурой и электронными свойствами)»
, — сказано в аннотации проекта.

Название проекта Владимира Попова: «Сверхвысокоомные слои с ловушками в низкоомной подложке структур кремний-на-изоляторе для систем-на-кристалле».

К ожидаемым результатам проекта отнесены: «1. Разработка способа минимизации проводимости и установление основного механизма изоляции приборных структур в низкоомном кремнии имплантацией ионов молекул газа и формированием нанокристаллических высокоомных областей с включениями карбооксидов кремния, обогащенных ловушками носителей заряда (TR-HR).
2. Определение основных дефектов, ответственных за деактивацию легирующих примесей и захват свободных электронов и дырок в TR-HR слоях после COII.
3. Увеличение пробивного напряжения приборных структур на UTB TR-HR SOI структурах в два раза.
4. Снижение потерь в СВЧ волноводах на UTB TR-HR SOI структурах на 20-30%.
5. Уменьшение рабочей температуры СВЧ- и силовых приборов на UTB TR-HR SOI структурах на 30-40 оС.
6. Способ интегрирования СВЧ- и силовых приборов с низковольтной КМОП логикой на низкокоомных UTB TR-HR SOI структурах.
7. Разработка методов характеризации и испытаний UTB TR-HR SOI структур для интеграции СВЧ- и силовых приборов с КМОП логикой».

По информации РНФ победителями этого конкурса стали 145 проектов из 27 регионов России. Научное исследование должно быть направлено на решение задач приоритетных направлений поддерживаемых регионом исследований, а также на решение задач социально-экономического развития региона. Всего в конкурсе участвовало 778 заявок из 33 субъектов страны.

В общей сложности по итогам двух региональных конкурсов поддержан 481 проект, а в Фонд поступило более 2 тысяч заявок от исследователей.



Пресс-служба ИФП СО РАН