Семинар 18 февраля 2025 г. в 10:00 в конференционном зале ЛТК

Отчёты аспирантов:

10:00
1. Жилицкий Владимир Евгеньевич.
Импеданс-спектроскопия SOI структур с high-k UT BOX.

10:25
2. Залялов Тимур Маратович.
Стабильность поляризованного состояния сегнетоэлектрических конденсаторов на основе оксида гафния-циркония с разными материалами электродов.

10:55
3. Скворцов Илья Владимирович.
Эпитаксиальный рост упругонапряжённых наногетероструктур GeSiSn/Si(Ge) и их структурные и оптические свойства.

Приглашаются все желающие.