Семинар 29 октября 2024 г в 15:00 в конференционном зале ТК
Докладчик: Малин Тимур Валерьевич, м.н.с. лаб. 18 ИФП СО РАН.
«In situ пассивированные SiN/AlN/GaN гетероструктуры с бинарным барьером AlN для нормально-закрытых СВЧ транзисторов».
Доклад по материалам диссертации.
Научный руководитель – д.ф.-м.н. Журавлев Константин Сергеевич.
Приглашаем всех заинтересованных.