На торжественном заседании ученого совета, посвященном шестидесятилетию Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, ведущие российские ученые, представители власти и промышленности рассказали о взаимодействии с НИИ, обозначили важнейшие достижения, отметили основополагающую роль основателя Института академика Анатолия Ржанова в развитии научного центра.

Директор ИФП СО РАН академик Александр Васильевич Латышев подчеркнул, что результаты Института всегда были востребованы промышленностью, и в особенности сегодня, когда полупроводниковые инновации определяют развитие современного цифрового мира.

Александр Васильевич Латышев

О том, что прогресс в области физики полупроводников важен для всех существующих индустрий, говорил и старейший сотрудник ИФП СО РАН член-корреспондент РАН Игорь Георгиевич Неизвестный. Он сказал, что юбилей — это и повод вспомнить лидеров, заложивших научный фундамент института, и мотив настроиться на дальнейший рост: «Хочу поздравить вас, пожелать новых успехов в развитии нашей любимой полупроводниковой науки и техники! Ура Институту!».

Игорь Георгиевич Неизвестный

Главный научный сотрудник лаборатории теоретической физики ИФП СО РАН академик Александр Владимирович Чаплик провел параллель с живыми системами, заметив: «Как и большинство высших организмов (эукариот), Институт произошел в 1964 году в результате объединения двух начал — Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники (ИФТТиПЭ СО АН), который возглавлял Анатолий Васильевич Ржанов, и Института радиофизики и электроники (ИРЭ СО АН), директором его был Юрий Борисович Румер. Объединенный коллектив сначала был сконцентрирован на исследовании поверхности полупроводников, а затем, в один прекрасный день (считаю, что день был именно прекрасный) А.В. Ржанов привёз в институт новую тематику — предстояло заняться получением и исследованием тонких полупроводниковых плёнок. Решение оказалось провидческим, и коренным образом изменило как судьбу Института, так и его положение в мировой науке.

Постепенно плёнки становились настолько совершенными в структурном отношении, такими тонкими, что в них стали проявляться квантовые эффекты: возникла новая область, получившая название “физика низкоразмерных систем”. Сначала двумерных, затем одномерных — квантовых проволок, нульмерных – квантовых точек. Для этих объектов появилось и название — наноструктуры. Оно быстро стало популярным, Институт развивался и занял прочную позицию в научном сообществе, публикации наших сотрудников начали всё чаще цитироваться, специалисты стали известны во всем мире.

Фундаментальные результаты в этой области важны не только для физики твердого тела, но и для физики в целом: открылся ряд новых, необычных явлений, связанных с пониженной размерностью, “посыпались” и Нобелевские премии. Поэтому я могу сказать: мы на правильном пути, двигаемся в правильном направлении и можем с оптимизмом смотреть в будущее, несмотря ни на что».

Александр Владимирович Чаплик

Победитель от рождения

Александр Латышев акцентировал внимание на том, что Институт физики полупроводников, как и Сибирское отделение Академии наук, и Новосибирский научный центр, создавался поколением победителей в Великой Отечественной войне.

Основатель и первый директор Института академик Анатолий Васильевич Ржанов был одним из представителей героического поколения. Он попал на фронт студентом пятого курса, проявив немалую настойчивость (ему отказывали из-за белого билета по состоянию здоровья), служил в разведроте, участвовал в наступлении, направленном на полную ликвидацию блокады Ленинграда в 1943 году. За этот бой А. В. Ржанов награжден Орденом Отечественной войны. В бою молодой офицер получил контузию и был демобилизован.

А.В. Ржанов на фронте

Затем, несмотря на сложный период выздоровления, Анатолий Васильевич поступил в аспирантуру Физического института Академии наук СССР и приступил к работе над кандидатской диссертацией, связанной с исследованием сегнетоэлектриков. После защиты, по предложению президента Академии наук академика С.И. Вавилова, Анатолий Ржанов начал заниматься полупроводниками, а в 1951 году возглавил одну из четырех исследовательских групп, создавших первый в стране германиевый транзистор.

Так складывался путь будущего академика, и в 1962 году он приехал в Новосибирск и приступил к «выращиванию» НИИ (тогда он назывался «Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники»), которому предстояло работать в весьма молодой на тот момент научной области.

А.В. Ржанов (фото из архива СО РАН)

«Анатолий Ржанов определил направления и задачи НИИ: работы с поверхностью и границами раздела полупроводников, исследование тонких полупроводниковых плёнок и разработка физических основ полупроводниковых приборов, что в точности соответствует тому, чем занимаются сегодня, и то, в чём институт преуспел. Поэтому можно только удивляться, как человек мог понять, какие технологические, научные тренды будут через много лет, и правильно направить институт.

Среди ключевых задач Анатолий Васильевич сформулировал, во-первых, достижение мирового уровня работ в области полупроводниковых низкоразмерных систем. Во-вторых, создание кафедры физики полупроводников в Новосибирском госуниверситете и кафедры микроэлектроники в Новосибирском электротехническом институте (сегодня — НГТУ НЭТИ). В-третьих, организацию взаимодействия с предприятиями электронной промышленности. В-четвертых, за короткий срок предстояло сформировать мощный творческий коллектив учёных, инженеров, способных выполнять фундаментальные, а на их основе и прикладные исследования», — подчеркнул Александр Латышев.

По истечению шести десятилетий, полученные наработки Института физики полупроводников позволяют оценить гениальную проницательность академика Ржанова — отметила заместитель губернатора Новосибирской области Ирина Викторовна Мануйлова: «Для того, чтобы сделать большое стоящее дело, нужен коллектив, его нужно собрать, поставить задачи, определить векторы развития — в этом величие основателей многих институтов, в том числе и Анатолия Васильевича Ржанова. Бесспорно, предвидение важных направлений играет ключевую роль в деятельности ИФП СО РАН на протяжении уже нескольких десятилетий, и не случайно институт — ведущий центр развития микроэлектроники России».

Ирина Викторовна Мануйлова

Директор ИФП СО РАН напомнил, что важным этапом было создание специализированного термостатированного корпуса: строительство чистых помещений – критически необходимых для полупроводниковых исследований. Руководителем работ по проектированию и возведению был Игорь Георгиевич Неизвестный, и сейчас в корпусе выполняется очень много работ, специализированное здание не единожды оправдало свое существование.

Выдающихся ученых, сформировавших облик Института, как ведущего научного центра, очень много — вот лишь некоторые из них:
- член-корреспондент РАН Сергей Васильевич Богданов, приехавший в 1963 году из ФИАНа, занимавшийся направлением акустооптики и акустоэлектроники, по этой тематике были получены первые государственные премии в ИФП СО РАН;
- член-корреспондент РАН Константин Константинович Свиташев, второй директор ИФП СО РАН, инициировавший работы по эллипсометрии, фотонике, фотоэффекту, созданием фотоприемных, тепловизионных устройств;
- доктор физико-математических наук Сергей Иванович Стенин — вдохновитель и создатель направления молекулярно-лучевой эпитаксии,
- доктор физико-математических наук Виктор Николаевич Овсюк, который занимался исследованием атомных и электронных процессов на поверхности твердых тел, получивший в составе коллектива авторов за этот цикл работ Государственную премию,
- член-корреспондент РАН Виктор Яковлевич Принц, талантливый ученый. Ему принадлежит множество блестящих идей, одна из них: принц-технология ―способ формирования трехмерных наноструктур, основанного на отделении тонких напряженных полупроводниковых пленок от подложки,
- доктор физико-математических наук Борис Зейликович Ольшанецкий, проводивший экспериментальные исследования методом дифракции медленных электронов и обнаруживший, что на поверхностях кремния и германия при изменении температуры возникают обратимые фазовые переходы — меняется поверхность кристалла при отсутствии изменений в объеме.

Свет будущего: новые технологии в области фотоники

Значительная часть современных разработок ИФП СО РАН связана с фотоникой, Институт не уступает мировым научным центрам, некоторые достижения находятся на границе теоретического предела.

«В нашем Институте сделаны мощные широкополосные сверхвысокочастотные фотодиоды, востребованные в телекоммуникационных системах нового поколения; миниатюрные лазеры с вертикальным резонатором, нужные в стандартах частоты атомных часов; источник и детектор одиночных фотонов для систем защищённой квантовой связи. Создание источника одиночных фотонов — “лампочки”, испускающей один фотон, а затем и приемника, способного его зафиксировать — задачи на границе теоретического предела нанофотоники, и они были решены», — констатировал Александр Латышев.

«Сегодня в ИФП СО РАН подготовленный, высокопрофессиональный коллектив: академики, члены-корреспонденты, 85 докторов наук, 148 кандидатов и очень большая команда молодых сотрудников. Поэтому серьёзные научные школы, сложившиеся в институте, получают продолжение, поддержку — молодые ребята набираются опыта, и у них появляется возможность реализовать свои идеи», — продолжила Ирина Мануйлова.

Председатель Сибирского отделения РАН академик Валентин Николаевич Пармон заметил, что Институт физики полупроводников полностью выполняет цикл, необходимый для развития науки и технологий: фундаментальные и прикладные исследования, выпуск наукоемкой продукции: «Очевидно, что академик Анатолий Васильевич Ржанов был именно тем человеком, который смог объединить всё хорошее от двух институтов, в результате получился успешный научный центр — один из бриллиантов короны Сибирского отделения Российской академии наук. ИФП СО РАН в полной мере олицетворяет треугольник Лаврентьева — наука, образование, производство — и является наиболее серьезным российским институтом в области современной микроэлектроники, в части фундаментальных исследований.

Как бывший сотрудник и руководитель Института катализа СО РАН, могу сказать, что ИФП СО РАН дает задачи и для многих других НИИ, прежде всего химических. Центр коллективного пользования ИФП СО РАН “Наноструктуры”, созданный при участии ИК СО РАН — единственный в России ЦКП по электронной микроскопии».

Валентин Николаевич Пармон

Анатолий Ржанов обладал не только даром научного предвидения, но и был хорошим бизнес-стратегом, как сказали бы сегодня. Название «Институт физики полупроводников» придумал именно он, и вот что написано в его воспоминаниях: «…Я использовал это объединение [двух институтов: ИРЭ СО АН и ИФТТиПЭ СО АН – прим. авт] для решения еще одной задачи. Дело в том, что название “Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники”, было предложено не мной, это название еще до моего появления в Сибирском отделении принял Президиум Сибирского отделения, кажется, по предложению Будкера. Мне название не нравилось, хотя бы уже потому, что есть такая примета, — институты с длинными названиями долго не живут, а здесь оно было чрезмерно длинным. Поэтому я использовал фактор объединения, чтобы институт объединенный был назван короче: “Институтом физики полупроводников”. Пришлось посражаться немножко, в частности, с академиком Котельниковым, но, в конце концов, мне удалось настоять, и, по-моему, с 1964 года институт стал так называться».

Сейчас мы можем оценить способность академика Ржанова «увидеть будущее» — верно расставленные им приоритеты дали старт успешному научному центру.

С теплыми пожеланиями в адрес всего коллектива ИФП СО РАН выступили:

ректор Новосибирского государственного университета академик РАН Михаил Петрович Федорук,
директор Института цитологии и генетики СО РАН академик РАН Алексей Владимирович Кочетов,
заместитель директора по научной работе Института автоматики и электрометрии СО РАН доктор технических наук Виктор Павлович Корольков, и научный руководитель ИАиЭ СО РАН академик Анатолий Михайлович Шалагин,
директор Института теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН академик Дмитрий Маркович Маркович, заместитель директора по научной работе ИТ СО РАН Олег Владимирович Шарыпов,
директор Института вычислительной математики и математической геофизики СО РАН доктор физико-математических наук Михаил Александрович Марченко,
директор Института неорганической химии СО РАН Константин Александрович Брылев,
генеральный директор АО «НЗПП «Восток» Кирилл Михайлович Ипполитов и заместитель генерального директора Александр Викторович Глухов,
заместитель генерального директора по науке Акционерного общества «Омский научно-исследовательский институт приборостроения» Сергей Викторович Кривальцевич,
заведующий кафедрой Омского государственного университета Владимир Иванович Струнин,
заместитель начальника департамента инвестиций, потребительского рынка, инноваций и предпринимательства мэрии г. Новосибирска Денис Владимирович Колмаков,
начальник отдела по взаимодействию с научными организациями и сопровождению инновационных проектов и программ администрации Советского района г. Новосибирска Анастасия Георгиевна Кулиш,
заведующий кафедрой полупроводниковых приборов и микроэлектроники Новосибирского государственного технического университета кандидат технических наук Дмитрий Иванович Остертак.

Кроме того, Институт поздравили с юбилеем коллеги и партнеры со всей страны:

Администрация Новосибирской области (заместитель Губернатора Мануйлова И.В.)
Мэрия города Новосибирска (зам. начальника департамента инвестиций, потребительского рынка, инноваций и предпринимательства Колмаков Д.В.)
Администрация Советского района (глава администрации Оленников Д.М.)
Сибирское отделение Российской академии наук (председатель СО РАН Пармон В.Н., председатель ОУС СО РАН по нанотехнологиям и информационным технологиям Шокин Ю.И., председатель ОУС СО РАН по физическим наукам Ратахин Н.А., главный научный секретарь СО РАН Тулупов А.А.)
«Научно-исследовательский институт оптико-электронного приборостроения» (генеральный директор Шевцов С.Е.)
АО «КАТОД» (генеральный директор Еременко А.В.)
АО «МИКРОН» (генеральный директор Хасьянова Г.Ш.)
АО «НТО» (генеральный директор Алексеев А.Н.)
Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений (генеральный директор Донченко С.И.)
Институт автоматики и электрометрии СО РАН (директор Бабин С.А., научный руководитель Шалагин А.М.)
Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН (директор Марченко М.А.)
Институт динамики систем и теории управления имени В.М. Матросова СО РАН (директор Бычков И.В.)
Институт неорганической химии имени А.В. Николаева (директор К.А. Брылев)
Институт сильноточной электроники СО РАН (советник директора Ратахин Н.А.)
Институт систем обработки изображений РАН (руководитель Казанский Н.Л.)
Институт теплофизики имени СО РАН (директор Маркович Д.М., научный руководитель Алексеенко С.В.)
Институт физики микроструктур РАН (директор Новиков А.В., руководитель научного направления Красильник З.Ф.)
Институт цитологии и генетики СО РАН (директор Кочетов А.В., научный руководитель Колчанов Н.А., советник Шумный В.К.)
Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН (директор Немудрый А.П., научный руководитель Ляхов Н.З.)
Конструкторское бюро точного машиностроения им. А.Э. Нудельмана (генеральный директор Ибрагимов Д.М.)
Концерн воздушно-космической обороны «Алмаз – Антей» (зам. генерального директора Нескородов В.В.)
Московский завод «САПФИР» (генеральный директор Кузнецов С.А.)
Научно-исследовательский институт «Октава» (генеральный директор Хлыстов И.В.)
Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (генеральный директор Кравцов А.С.)
Новосибирский государственный технический университет (ректор Батаев А.А.)
Новосибирский государственный университет (ректор Федорук М.П.)
Новосибирский завод полупроводниковых приборов «Восток» (генеральный директор Ипполитов К.М.)
Новосибирский Институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова СО РАН (директор Багрянская Е.Г.)
Новосибирский приборостроительный завод (и.о. генерального директора Кирьянов А.А.)
НПО «Государственный институт прикладной оптики» (генеральный директор Иванов В.П.)
НПО «Орион» (генеральный директор Старцев В.В., зам. генерального директора по инновациям и науке Бурлаков И.Д.)
Омский научный центр СО РАН (и.о. директора института радиофизики и физической электроники Кривальцевич С.В.)
ООО «Коннектор Оптикс» (генеральный директор Карачинский Л.Я.)
Ракетно-космический центр «Прогресс» (генеральный директор Баранов Д.А., генеральный конструктор Ахметов Р.Н.)
РФЯЦ-ВНИИЭФ (зам. научного руководителя Шагалиев Р.М.)
Самарский университет (президент Сойфер В.А.)
ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН (директор Власов С.Е.)
Федеральный исследовательский центр информационных и вычислительных технологий (директор Медведев С.Б.)
Центральный научно-исследовательский институт машиностроения (генеральный директор Коблов С.В.)

Достижения сотрудников ИФП СО РАН были отмечены на заседании ученого совета Почетными грамотами, благодарностями, благодарственными письмами губернатора Новосибирской области, Сибирского отделения РАН, мэрии Новосибирска, администрации Советского района Новосибирска.

Надежда Дмитриева, пресс-служба ИФП СО РАН
Автор фото: Владимира Трифутина
https://disk.yandex.ru/d/0LbI9B7VCmYUOw