Сегодня, 3 августа 2022 года, у ИФП СО РАН   ―  важная дата! Шестьдесят лет назад было опубликовано распоряжение Совета Министров СССР об организации Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники в составе Сибирского отделения Академии наук СССР. Современное название «Институт физики полупроводников» появилось в 1964 году, после объединения с Институтом радиофизики и электроники СО АН. Поэтому 3 августа 1962 года можно считать  неофициальным днем рождения ИФП СО РАН. Поздравляем всех, кто считает себя связанным с Институтом физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН!

Здание административного корпуса ИФП СО РАН в 1970 г.
Фото предоставлено архивом СО РАН

С чего началась история ИФП СО РАН? Об этом рассказывает член-корреспондент РАН Игорь Георгиевич Неизвестный. Он, вместе с первым директором и основателем института Анатолием Васильевичем Ржановым, создавал с нуля будущий научный центр. Статья Игоря Георгиевича впервые опубликована в книге «40 лет ИФП СО РАН».

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЁРДОГО ТЕЛА И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ 1962-1964 И.Г. Неизвестный Этот текст основан на воспоминаниях и на немногих сохранившихся документах. Память несовершенна. В изложении есть повторы и несоблюдения хронологии. Заранее прошу прощения за это у читателей.

Для меня путь в Институт физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники начался в 1954-1955 учебном году, когда я — студент Московского Энергетического Института попал на преддипломную практику в знаменитый Физический Институт АН СССР им. П.Н. Лебедева. Наша группа на кафедре была, по словам нашего институтского начальства, первой в Союзе, обучавшейся специально, чтобы получить новую специальность для инженера–электрика: физика полупроводников и диэлектриков. Весь третий и часть четвёртого курса я сочетал работу в ФИАНе с работой в НИИ-35 (ныне «Пульсар»). Ведущие сотрудники этого НИИ читали у нас в МЭИ лекции, руководили практикумами и курсовыми проектами на базе технологических разработок своих лабораторий. Именно тогда я на всю жизнь запомнил имена и облик М.И. Иглицина, В.А. Красилова, Марка Самохвалова и др. Запомнил и первую курсовую работу по созданию приспособления для резки германия, используя эффект магнитострикции. Там же я с благодарностью вспомнил своих институтских учителей, основательно научивших нас в МЭИ и обработке металла, и навыкам расчёта и монтажа радиоэлектронных схем, и основам техники безопасности, и даже экономическим знаниям. Последние очень пригодились, когда надо было заказать все материалы и рабочие часы в мастерских в объёме средств, выделенных на тему, куда входил мой курсовой проект. Забегая вперёд, сразу скажу, что всё это мне сто крат пригодилось в Новосибирске при организации ИФТТиПЭ…. читать предысторию дальше

Но до всего этого была интрига РОЖДЕНИЯ ИНСТИТУТА

Всё началось с инспекторской поездки правительственной комиссии по Сибирскому отделению. Возглавлявший её А.Н. Косыгин (председатель Совета Министров СССР) в заключительной беседе с М.А. Лаврентьевым, отметив все достижения по развёртыванию Академгородка, заметил, что в составе СО АН слабо отражены современные направления науки и техники – например «транзисторной, полупроводниковой» тематики. При этом сразу дал поручение свои помощникам организовать ликвидацию этого «пробела». Предложение было поддержано не только тогдашними корифеями в физике полупроводников А.Ф. Иоффе, Б.М. Вулом, А.Р. Регелем, В.М. Тучкевичем, но и президентом АН М.В. Келдышем.

Здесь, по-видимому, уместно привести основные аргументы в пользу создания нового института, которые содержались в пояснительной записке А.В. Ржанова к Постановлению Правительства, а затем повторенной для Президиума АН.

Постановление Правительства вышло под грифом «Совершенно секретно». В настоящее время оно, конечно, рассекречено, но найти его мне не удалось. Помню только, что подписано оно было А.И. Микояном.

Основной задачей института предполагалось проведение фундаментальных теоретических и экспериментальных исследований в области физики полупроводников, связанных с разработкой физических основ конструирования полупроводниковых приборов электроники, радиотехники и счётно-вычислительной техники.

Следует заметить, что необходимость создания института такого профиля в системе Академии наук назрела уже давно. Действительно, существующий в настоящее время в системе АН Институт полупроводников (Ленинград), а также отделы и лаборатории полупроводников Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе и Физического института им. П.Н. Лебедева имеют довольно чёткую специализацию по проблемам т.н. малой энергетики (термогенераторы, солнечные батареи), электротехники (мощные выпрямители) и автоматики (датчики разных типов). Таким образом, наибольшая по объёму и значимости в настоящее время область технических применений полупроводников - полупроводниковая электроника была практически не обеспечена фундаментальными исследованиями принципиального характера.

Хорошо известен и результат такого положения вещей: если по проблеме термоэлектричества, например, в Советском Союзе разрабатывались собственные оригинальные идеи полупроводниковых приборов, то по проблеме электроники и радиотехники подавляющее большинство принципов создания полупроводниковых приборов было выдвинуто в США и только в единичных случаях у нас. Наша электронная аппаратура на полупроводниках, как правило, являлась копией существенно устаревших американских образцов, значительно уступая современным, прежде всего в идейном отношении. Выправление создавшегося положения в кратчайшие сроки и являлось важнейшей задачей института.

«Растить Институт из единого центра кристаллизации»

Предложенная структура института в принципе должна была обеспечить возможность восполнения этого пробела. Согласно этой структуре предполагалось сформировать, прежде всего, четыре основных научно-исследовательских отдела:
- теоретический,
- физики твёрдого тела,
- физической химии полупроводников,
- физических основ полупроводниковых приборов.
Эти отделы должны были объединять восемнадцать лабораторий.

Теоретический отдел, включающий четыре лаборатории, имел задачей как разработку наиболее актуальных вопросов общей теории полупроводников и твёрдого тела вообще, так и изыскание и теоретическое исследование новых принципов создания и работы полупроводниковых приборов.

Отдел физики твёрдого тела, в составе пяти лабораторий, призван исследовать закономерности основных электронных процессов в кристаллах в широком диапазоне температур. Интенсивностей излучений (в том числе ядерных), и других внешних воздействий.

В отделе физической химии полупроводников, название которого несколько условно, предполагалось сосредоточить всесторонние исследования поверхностных свойств полупроводников, изучение связи между строением кристаллов и их электрофизическими свойствами, а также разработку технологических методов получения тонких слоёв полупроводниковых материалов, как однородных, так и с заданным распределением примесей и состава.

Наконец, отдел физических основ полупроводниковых приборов, в составе шести лабораторий, будет разрабатывать новые принципы работы полупроводниковых приборов в новейших областях твёрдых полупроводниковых схем и микроэлектроники.

В структуре будущего института предусматривалось также создание инженерно-технического отдела, включающего конструкторское бюро, достаточно мощные и разнообразные по профилю мастерские, бюро контрольно-измерительных при боров, группы главного энергетика и главного механика.

Необходимо специально подчеркнуть, что наличие достаточно мощного и хорошо оснащённого инженерно-технического отдела являлось важнейшим условием нормального функционирования института данного профиля. Отечественный и зарубежный опыт показал, что сама возможность доведения результатов теоретических и экспериментальных работ в области радиотехники и электроники до разработки новых типов приборов существует только в организациях, где налажено повседневное содружество исследователей-учёных с конструкторами и умельцами-производственниками. С другой стороны, сами экспериментальные исследования полупроводников требуют весьма совершенной и разнообразной аппаратуры, которая в подавляющем большинстве случаев не изготавливается промышленностью. Сюда относится ультравысоковакуумное оборудование специальных типов на остаточное давление газов 10^-10-10^-12 мм рт.ст. и специальное криогенное оборудование. В этот перечень можно включить и нестандартные типы волноводов для исследования в сантиметровых и миллиметровых длинах волн, специальное оптическое оборудование, уникальное физико-химическое оборудование и т. д.

Конструирование, создание и систематическое усовершенствование этой аппаратуры требовали наличия в составе института конструкторов, а также разнообразных мастерских: механической, радиомонтажной, оптической, сварочной, вакуумной, стеклодувной, гальванической, керамической, столярной.

Эти мастерские должны были быть оборудованы по последнему слову техники, с тем чтобы они могли выполнять весьма сложные и требующие высокой квалификации работы.

На бюро контрольно-измерительных приборов возлагался ремонт измерительных приборов, поверка их и создание метрологического сопровождения абсолютных измерений, составление заявок на измерительные приборы согласно запросам лабораторий.

Само собой разумеется, что в институте должна быть научная библиотека, специализированная по проблемам физики твёрдого тела и необходимые адм.- хоз. подразделения.

Для меня самым интересным и значительным является не только смелость формулировок (1962 год!) и прозорливость А.В. Ржанова при составлении этой записки, но и то, что всё это он в дальнейшем с удивительной энергией и настойчивостью воплотил в жизнь в созданном под его руководством институте. А это порой было очень не просто и не легко – растить институт из единого центра кристаллизации!

Сразу же после выхода в свет Постановления Правительства о создании института (3.08.62) я был назначен распоряжением Президиума СО АН заместителем директора по научной работе будущего института. Это было сделано для того, чтобы немедленно приступить к фактической работе по формированию будущего института пока на уровне документов.

Ещё до выхода в свет решения Правительства А.В. Ржанов был избран чл.-корр. АН СССР (29.07.62), а затем его кандидатура была согласована во всех необходимых инстанциях на должность будущего директора института.

Анатолий Васильевич Ржанов. Основатель и первый директор Института физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники, который после объединения с Институтом радиофизики и электроники получил название ИНСТИТУТА ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Избран чл. -кор. АН СССР в июне 1962 года и академиком — в декабре 1984 года.

Кстати, упомянутые выше согласующие инстанции включали и ЦК КПСС, где кандидатуры в состав дирекции нового института проходили довольно подробное собеседование. Именно по результатам его и принималось решение о пригодности рассматриваемой кандидатуры для данной должности. Не избежал этого и я, правда, уже после выхода в свет распоряжения Президиума о моём назначении, подписанного М.А. Лаврентьевым. При этом мне недвусмысленно дали понять, что М.А. Лаврентьев поступил неправильно, и что всё «в случае чего» можно изменить при официальном прохождении дела через Президиум СО АН. Далее куратор Сибирского отделения в ЦК (кажется, он имел должность начальника отдела науки ЦК КПСС) Николай Алексеевич Дикарев довольно пристально следил за развитием нашего института. Пару раз даже приглашал меня для беседы и не только при визитах в Москву, но и по спецтелефону (вертушке), которая стояла в приёмной М.А. Лаврентьева. Последний всегда очень внимательно прислушивался к моему разговору. И этот разговор справедливо вызывал его раздражение, которое он и не скрывал. Но что я мог поделать.

Телеграмму, о назначении заместителем директора нового института, воспринял как розыгрыш

Весть о том, что я назначен зам. директора нового института, застала меня на берегу Чёрного моря, где я отдыхал в летнем лагере ФИАН. Пришедшую туда телеграмму я принял за один из широко бытовавших в то время розыгрышей в ФИАНе, и поэтому никак на неё не прореагировал, ибо никаких разговоров на эту тему с АВ у меня не было. Передать разговор на повышенных тонах с Б.М. Вулом при прибытии в Москву я не берусь. Оказалось, что именно от него руководство АН требовало «доставить этого неизвестного» немедленно в Президиум. Он же послал в Крым злополучную телеграмму.

Так как Анатолий Васильевич с июня по сентябрь был в заграничной командировке, то мне пришлось проводить всё оформление, начиная с подготовки текста постановления Президиума АН СССР о создании института. Этот текст необходимо было завизировать во всех отделах Президиума. Обычно это всё делает аппарат Президиума, но в связи со срочностью мне предложено было сделать всё своими руками (и ногами).

Надо сказать, что к этому времени я уже имел определённый опыт взаимодействия с аппаратом Президиума в качестве председателя спортсовета ФИАНа и руководителя Клуба подводного плавания АН. Согласование различных командировок, финансирования, аренды спортсооружений, приобретение спортивентаря, организация соревнований, экспедиций и т. д. приводили меня в ОК, ПФУ Президиума и даже на приём к Главному учёному секретарю АН. Я думаю, что моя бурная деятельность (в частности через телефон АВ) на этих постах и привела его к мысли сделать меня своим помощником по созданию института.

Интересной была и совершенно различная реакция руководителя лаборатории физики полупроводников академика Б.М. Вула и руководства ФИАНа. Если первый всячески поддерживал меня и неизменно помогал, то зам. директора ФИАН Н.А. Добротин начал рассказывать мне на повышенных тонах, сколько ему пришлось работать до достижения поста зам. директора, а тут «какой-то, почти мальчишка…» и отказался подписывать приказ о моем переводе в новый институт (до выяснения…). Выйдя в коридор, я встретил будущего нобелевского лауреата, а тогда просто Колю Басова, который только что был назначен новым зам. директора ФИАНа. Увидев меня в полном расстройстве, он затащил меня в свой кабинет и быстро подписал все необходимые документы.

Его опыт и связи в аппарате Президиума были просто удивительны. По его совету, сразу после легализации института я принял на работу сотрудника, который помогал мне «проворачивать» многочисленные дела в Москве. Например, печатание бланков института, командировочных удостоверений, пропусков, изготовление печатей, помощь при отправке грузов из Москвы в Новосибирск и т. д.

Между прочим, я уверен, что наличие такого человека с соответствующими полномочиями во многом облегчило бы и сейчас наше взаимодействие с ЦЕНТРОМ.

На Президиуме наш вопрос представлял, по поручению СО АН, академик А.Л. Яншин. Меня он пригласил на заседание как единственного, на тот момент, сотрудника института и человека, знающего значение слова «полупроводник». Всё это он пояснил мне в получасовой беседе за день до заседания. Мне было предложено играть роль безмолвного свидетеля событий. Вступить в игру я должен был только в том случае, если возникнет «профессиональный, полупроводниковый» вопрос.

Начало заседания меня повергло в уныние. До нашего института была попытка утвердить организацию института «истории науки и техники» и ещё какого-то. Оба они были «похоронены» из-за точных и весьма язвительных высказываний П.Л. Капицы, Н.Н. Семёнова и Л.А. Арцимовича. Я уже готов был к такому же исходу и по нашему вопросу. Но практически те же академики отнеслись к нам очень доброжелательно, и в августе 1962 года в АН родился Институт физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники.

Затем, почти через два месяца появилось постановление Президиума Сибирского отделения АН СССР. В 1964 году после объединения с Институтом радиофизики и электроники СО АН он получил название «Институт физики полупроводников».

Это постановление в полном виде вышло в свет только в сентябре, потому что его надо было наполнить такими регламентирующими документами, как штатное расписание, бюджет, научные направления, перечень предполагаемых лабораторий и подразделений и т. д. Всё это новоиспечённый заместитель директора в соответствии с оставленными АВ заметками и создавал.

Покровская Светлана Вячеславовна		Богданов Сергей Васильевич		Смирнов Леонид Степанович

Моё хождение по инстанциям с этими бумагами можно назвать «плачем Ярославны», но в конце концов всё образовалось. Огромную помощь на этом этапе (да и потом) мне оказали будущие сотрудники Института Светлана Вячеславовна Покровская и Всеволод Михайлович Гавриленко. Позднее к ним присоединился Леонид Степанович Смирнов. Именно этих прекрасных людей, обладавших высочайшим организационным талантом, всесторонними знаниями и наделённых самыми высокими человеческими достоинствами, по праву надо считать «соавторами» создания нашего института.

Моей самой большой ошибкой в этой «бумажной работе» было то, что за основу всех бумаг я брал основные документы ФИАНа, которые формировались ещё в «сталинские» времена и поэтому никак не соответствовали существовавшим в 1962 году нормативным актам, например, Министерства труда и зарплаты. Это касалось и набора должностей и соответствующих должностных окладов. Например, в ФИАНе была очень привлекательная должность главного энергетика с очень приличным окладом, но, как затем оказалось, она была введена специальным постановлением Правительства и существовала для оплаты нужных людей в обслуживающих подразделениях. И их тогда насчитывалось в ФИАНе, — по- моему, 18. Всё это мне популярно объяснил М.А. Белоусов, который в то время занимал должность начальника ПФУ СО АН.

Встречался я с ним, кстати, в гостинице «Якорь» на улице Горького. Это была очень уютная академическая гостиница, и ничего не говорило в то время о том, что перестройка превратит её в престижный отель, куда сотрудникам АН теперь не попасть – не по карману.

Главный финансист СО АН жёстко и без сочувствия вернул меня с неба на землю и потребовал полной переделки всех финансовых документов.

Этот процесс затянулся довольно надолго. Это, в частности, привело к тому, что первые два месяца после перевода из ФИАНа на новое место работы я не получал зарплаты. Ведь документально ИФТТиПЭ ещё не существовал. Только в октябре Президиум СО АН «повесил» новое подразделение на бюджет ИНХа, после чего я и вновь приезжающие и принятые в Новосибирске сотрудники сразу «становились на довольствие».

Итак, вместе с АВ из ФИАНа в 1962 году в Новосибирск переехали, насколько я помню, С.В. Покровская, Л.С. Смирнов, М.П. Шадрина, Э.Д. Михалевич, В.М. Гавриленко, Н.Н. Герасименко. Далее из ФИАНа к ним присоединился С.В. Богданов и ещё позднее Ю.Ф. Новотоцкий-Власов.

До приезда этой первой группы сотрудников часто нелегкая, организационная текучка легла на плечи первых сотрудников-новосибирцев. Это были Ю.Б. Меркурьев, А.К. Андреев, А.А. Осягина, Л.А. Рыбакова, Н.А. Барышников. Были и ещё несколько человек, фамилии которых, к сожалению, забылись мною, но и они с удивительным старанием, упорством и добросовестностью вкладывали свои силы, знания и умение в создание нового института.

Подбор кадров, первые сотрудники

«Базировались мы сначала в нескольких комнатах в ИНХе и в квартире на Золотодолинской,
где была развёрнута исследовательская лаборатория»

Во все крупные научные центры страны были разосланы рекламно-пригласительные письма с предложением специалистам в области физики полупроводников, физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники принять участие в развёртывании работы по этой тематике в Сибири.

На призыв АВ откликнулись молодые учёные из различных городов нашей огромной страны. Приехали в первых рядах В.П. Мигаль, В.Н. Овсюк, К.К. Свиташев, Ю.Е. Марончук, Е.А. Карасик, А.Г. Клименко Г.А. Качурин и другие.

Базировались мы сначала в нескольких комнатах в ИНХе и в трёхкомнатной малометражной квартире на Золотодолинской, где была развёрнута исследовательская лаборатория, а весной 1963 года нас приютил Институт катализа, где нам выделили целый этаж.

Оборудование и приборы нового института формировались частично из ФИАНа, откуда старанием переведённых оттуда сотрудников был отправлен целый вагон с «научным барахлом» и частично из богатейших фондов УМТС СО АН, а также ИЯФа.

Надо отметить, что институт был исключительно молодёжный. Самый пожилой среди нас был директор, и насчитывалось ему тогда всего 42 года. А сотрудники были практически все моложе тридцати. Мы много учились, собирались группами и «грызли» физику, электронику, языки и без конца азартно спорили на самые разные темы. Очень активно все вместе отдыхали. Играли смешанным женско-мужским составом в волейбол, футбол. Футбол, кстати, проходил в основном на лесных полянках, где и намёка в то время не было на клещей. Это позднее «человеческий фактор» помог расплодиться этой беде. Летом пляж, грибы (сразу за Институтом гидродинамики за один заход можно было набрать полную корзину подосиновиков).

Зимой вместе с другими жителями Академгородка по выходным дням плотно заселяли лыжные спуски в долине Зырянки. По вечерам отчаянные катания с гор на санках, которые чаще всего «одалживали» в подъездах у соседей, где вперемешку с детскими колясками они стояли без присмотра. Затем, конечно, санки аккуратно ставились на место.

Были, конечно, многочисленные вечеринки, где всегда звучало много песен. 1963-й новый год встречали всем коллективом (~ 30 человек) в трёхкомнатной малометражке. В большом ходу были шутки, розыгрыши. И, на мой взгляд, самым главным было то, что институт рос и развивался, говоря научным языком, «из единого центра кристаллизации», которым несомненно являлся директор института Анатолий Васильевич Ржанов.

Основным итогом первых двух лет (конец 1962-середина 1964 года) можно считать первичное формирование костяка института. Определение нескольких лидеров и лабораторий, ими руководимых. Были составлены перспективные планы работы, подтверждена правильность выбора основных научных направлений исследований. Организована кафедра физики полупроводников в НГУ (первый зав. кафедрой — А.В. Ржанов) и установлены тесные связи с НЭТИ (руководитель А.Ф. Городецкий) и Новосибирскими полупроводниковыми предприятиями.

В этот же период времени в институте появился и А.Ф. Кравченко. Если Ю.Е. Марончук, единственный имевший опыт работы с тонкими полупроводниковыми плёнками, очень много сделал по развитию физико-технологических основ их получения, то А.Ф. Кравченко создал значительный задел по постановке и развитию методик по их исследованию.

Приезд С.В. Богданова привёл к возникновению нового направления — акустоэлектроника и акустооптика. Его первыми сотрудниками стали Д.В. Шелопут и М.К. Балакирев. Примечательным было то, что основой там тоже были полупроводники. Дальнейшее развитие получила лаборатория «Действия излучения на твёрдое тело» под руководством Л.С. Смирнова.

За эти два года эти лаборатории были сформированы и первично оснащены, насколько позволяло их состояние на «чужой территории». Созданы зачатки КБ и экспериментальных мастерских, бюро измерительных приборов. Но во всех этих подразделениях было буквально по несколько человек.

Необходимо напомнить, что в те далёкие времена практически все экспериментальные установки и основные измерительные электронные схемы изготавливались самими исследователями с помощью соответствующих инженерных служб. Так было в ФИАНе, так и организовывалось всё по плану А.В. Ржанова в новом новосибирском институте. Я не случайно упомянул ФИАН. Многолетний опыт, накопленный в этом старейшем физическом учреждении страны, вошёл за время работы в нем, как говорится, «в плоть и кровь» всех, кто там работал. Мы привыкли, что можно быть уверенным в создании самой фантастической экспериментальной установки, в ремонте самых сложных измерительных приборов и в помощи, в случае необходимости, теоретиков. Всё это по требованию и плану АВ мы пытались организовать и во вновь созданном институте. Но, к сожалению, быстрому развёртыванию в полном, желаемом масштабе мучительно мешало не только отсутствие площадей, но и нехватка квалифицированных кадров.

Первые исследования, лабораторные помещения, оборудование

Наиболее быстро развернулись работы в лаборатории поверхности полупроводников (руководитель А.В. Ржанов). Сначала это была небольшая группа сотрудников, где главным физхимиком была С.В. Покровская, а физические исследования велись И.Г. Неизвестным с помощниками, а оптические и фотоэлектрические Е.С. Ржановой с аспирантом К.К. Свиташёвым. Чуть позже к ним присоединился приехавший из Ташкента М.П. Синюков (бывший ранее дипломником в ФИАНе), В этой лаборатории в первые годы практически продолжались работы, начатые ещё в группе АВ в ФИАНе.

Основными направлениями научных исследований в ИФТТиПЭ были определены следующие:
- поверхность полупроводников,
- тонкие плёнки,
- физические основы полупроводниковых приборов.

В качестве основного места развёртывания института Президиум СО АН выделил т.н. «корпус прочности». Этот комплекс зданий готовился, по-моему, под Институт прочности, под руководством академика Ю.Н. Работнова и состоял из нынешнего административного корпуса и производственных цехов. Первый предназначался для размещения администрации института, библиотеки, конференц-зала и т.д. То есть представлял собой сугубо «конторские» помещения, снабжённые только освещением и бытовыми розетками.

Поэтому много сил было потрачено на перепроектирование, а затем и оборудование (вплоть до вытяжных химических шкафов) помещений под лаборатории. Остальная часть корпуса прочности состояла из огромных залов, которые планировались для установки испытательных стендов под крупногабаритные детали машин и механизмов типа шагающих экскаваторов и поэтому легко могли вместить двухэтажный дом среднего размера. Таких залов в нашей части корпуса было четыре. (Часть выделенного нам комплекса зданий по ходу передачи М.А. Лаврентьев отдал отделу Института гидродинамики под руководством проф. Мигиренко). Два зала в проекте перестройки были отданы под механические мастерские и заготовительный цех с участком покраски, а оставшиеся два надо было превратить в обычные лабораторные помещения, расположенные на двух этажах. Всё это требовало серьёзных по содержанию и объёму проектных работ. Управление капитального строительства наложило резолюцию на нашей просьбе о перепланировке: «Согласны, но только после сдачи объекта в эксплуатацию по проекту!». Это означало, что реконструкция построенного здания растянется на долгие годы, да и стоить будет не дёшево. Силами куратора по строительству, главного энергетика З.Ф. Фёдорова и командира отделения стройбата по сантехнике В. Царапкина проект на реконструкцию был изготовлен, правдами и неправдами согласован со всеми инстанциями и осуществлён. Именно в этих комнатах (72 м²) в настоящее время помещаются все лазерные стенды, часть экспериментального цеха, Л.15 и т. д.

Особенно надо отметить титанический труд по строительству в этой части корпуса прочности сотрудников лаборатории радиационной физики полупроводников под руководством Л.С. Смирнова.

Вообще в то время многие из сотрудников выполняли не свойственные им по должности функции, но с энтузиазмом. Тогда приходилось определённым образом формализовать этот процесс. Хотя бы для соблюдения требований техники безопасности. Для соучастия сегодняшних читателей этого текста в тех давних событиях, думаю, интересно посмотреть, какие приказы тогда издавались.

Много сил и времени было потрачено на составление многочисленных заявок на приборы, оборудование и материалы. В средствах на оплату всего этого ограничения практически не было. Это позволило достаточно быстро оснастить лаборатории и производственные подразделения самым современным оборудованием, приборами и установками. Прекрасное и очень грамотное оснащение института в те далёкие годы сказывается и до настоящего времени.

Не было ограничения и на квартиры для появляющихся новых сотрудников. Дело доходило до того, что сотрудники иногда выбирали этаж и сторону света, куда выходили окна будущего жилья.

Огромную помощь при организации института оказали работники Президиума СО АН, особенно заместители М.А. Лаврентьева - Б.В. Белянин, Л.Г. Лавров, Т.Ф. Горбачёв, а также руководители основных отделов Президиума: план.- фин. - М.А. Белоусов, УМТС - М.Г. Третьяков, упр. кадров — В.Г. Сорокин, УКС - гл. инж. А.С. Ладинский. Последнее управление вместе с ГИПРОНИИ особенно много сделало при проектировании термостатированного корпуса, которое началось с первых бесед ещё в Москве, даже до выхода в свет официального постановления о создании института.

Всё это я рассказываю для того, чтобы читатель хоть немного почувствовал, в каком бешеном темпе мы тогда жили, с каким энтузиазмом строили свой будущий научный дом, и как своим трудом доказали, что дружные усилия в дружественной среде за короткий срок могут привести к прекрасным свершениям.

В начале 1964 года мы начали заселять административный корпус. Наряду с оборудованием лабораторий, началось заполнение мастерских (вернее, экспериментального цеха) станками и другим производственным оборудованием. В этом процессе мы тоже руководствовались опытом ФИАНа. Были оборудованы стеклодувно-кварцедувный, сварочный, техно-химический, керамический и оптический участки. Отмечу, что этот задел, так же как и накопленный в то время приборный парк, обеспечил успешное получение высоких результатов работы сотрудников института по многим направлениям экспериментальной работы на многие годы.

В середине 1964 года начался процесс объединения с Институтом радиоэлектроники (ИРЭ).

Коллективное фото на встрече ветеранов ИФТТиПЭ, посвященное 30 - летнему юбилею. 1962-1992 г.
Фото предоставлено фотоархивом СО РАН

Больше подробностей из жизни Института физики полупроводников можно прочитать в книге «40 лет ИФП СО РАН»