Стипендия выделяется аспирантам и студентам очной формы обучения, проявившим выдающиеся успехи в учебе и научных исследованиях, являющимися авторами открытий, изобретений, научных статей в центральных изданиях РФ и за рубежом. Среди получателей этого года — восемь аспирантов из институтов Сибирского отделения.

Алина Константиновна Герасимова работает в лаборатории физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник—диэлектрик. Сфера научных интересов молодой ученой — формирование тонкоплёночных слоёв нестехиометрических оксидов металлов методом ионно-лучевого распыления-осаждения и исследованием их структурных и функциональных свойств. Такие оксиды используются для создания ReRAM устройств — наиболее перспективных кандидатов на роль универсальной энергонезависимой памяти. Эта память может совмещать в себе энергонезависимость как флэш-память и жёсткий диск, высокую скорость работы, характерную для динамической памяти, и большой информационный объём.

«Процесс оформления заявки на стипендию довольно простой, но требует много времени: у меня ушло несколько дней. Нужно перечислить научные достижения, к которым относятся статьи в журналах, индексируемых в WoS, Scopus, РИНЦ, запатентованные научные результаты, выступления на конференциях, победы в конкурсах, олимпиадах. У меня много статей (в том числе в таких журналах, как Nanotechnology, Advanced electronic materials — прим. авт.), думаю это сыграло свою роль при принятии решения о выделении стипендии», — комментирует Алина Герасимова.

Размер стипендии для приоритетных направлений подготовки высшего образования составляет десять тысяч рублей (без учета районного коэффициента) ежемесячно в течение одного календарного года.

Пресс-служба ИФП СО РАН

На фото Алина Герасимова
автор фото Виктор Яковлев