В этом году в работе мероприятия участвовали 340 человек, представив 358 устных и стендовых докладов. Большинство специалистов приехали из Москвы, Санкт-Петербурга, Новосибирска Нижнего Новгорода, Екатеринбурга, Черноголовки, Саранска, Красноярска, Томска, Владивостока и Троицка. Зарубежные ученые из Германии, Австрии, Бразилии и Кореи выступили с пленарными и приглашенными докладами.
Инстиут физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН стал основным организатором, принимая конференцию уже в третий раз с 1999 года. В разное время хозяевами мероприятия были Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (ФИАН), Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Институт физики микроструктур РАН в Нижнем Новгороде, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН и другие ведущие научные организации.
«Конференция проводилась на высоком научном и организационном уровнях. Работа членов оргкомитета, состоявшего из сотрудников ИФП СО РАН: председателя оргкомитета — академика РАН Александра Васильевича Латышева, заместителей — члена-корреспондента РАН Анатолия Васильевича Двуреченского и доктора физико-математических наук Александра Германовича Милёхина, ученого секретаря — кандидата физико-математических наук Софии Андреевны Аржанниковой, во время подготовки и проведения конференции заслужила самой высокой оценки. Научный совет по физике полупроводников РАН искренне благодарит членов оргкомитета, а также других сотрудников ИФП СО РАН, принимавших активное участие в организации конференции и обеспечении ее работы», — подчеркнул председатель научного совета по физике полупроводников РАН главный научный сотрудник ФТИ РАН член-корреспондент РАН Еугениюс Левович Ивченко.
Впервые за время существования мероприятия был сделан акцент на прикладном направлении: ИФП СО РАН подготовил выставку своих разработок, нашедших применение в промышленности. Гости конференции увидели инфракрасные фотоприемники разных форматов на основе гетероэпитаксиальных наноструктур кадмий-ртуть-теллур на подложках из арсенида галлия и кремния; работающие в инфракрасном диапазоне фотоприемные модули размером 2000 на 2000 элементов; материалы для гибкой электроники на основе фторированного графена. Также посетители выставки познакомились с технологией изготовления гибких и легких солнечных батарей; оценили конструкцию молекулярного биосенсора, способного регистрировать единичные молекулы, благодаря чувствительному элементу — кремниевой нанопроволоке; узнали детали работы двухканального мобильного оптико-электронного комплекса круглосуточного наблюдения, который работает, как в видимом спектральном диапазоне, так и в инфракрасном, что позволяет вести наблюдения в полной темноте; посетили лабораторию молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А2В6.
Соорганизаторами пятидневного научного мероприятия выступили Новосибирский государственный университет, Научный совет РАН по физике полупроводников, Отделение физических наук РАН при содействии Министерства науки и высшего образования РФ, Российского фонда фундаментальных исследований и курорта-отеля «Сосновка».
Следующая, XV Российская конференция по физике полупроводников пройдет через два года в Нижнем Новгороде. Символ конференции — деревянный ключ — директор ИФП СО РАН академик РАН Александр Латышев передал директору Института физики микроструктур РАН члену-корреспонденту РАН Захарию Фишеровичу Красильнику.