| Время | Конкурсант | Виза | Название работы |
| 9:00 | Аксенов Максим Сергеевич | О.Е.Терещенко | Физико-химические принципы создания МДП-структур на основе InAs(111)A с низкой плотностью интерфейсных состояний. |
| 9:15 | Бацанов Степан Анатольевич | А.К.Гутаковский | Исследование атомной структуры и механизмов формирования нанокристаллов сульфидов металлов в плёнках Ленгмюра-Блоджетт |
| 9:30 | Боев Максим Вадимович | В.М.Ковалев | Взаимодействие упругих поверхностных волн с газом двумерных дипольных экситонов |
| 9:45 | Гайдук Алексей Евгеньевич | В.Я.Принц | Плазмонные структуры на основе субволновых дифракционных решеток: дизайн, моделирование, свойства |
| 10:00 | Голицын Александр Андреевич | Ю.Л.Кравченко | Разработка активно-импульсных приборов наблюдения видимого диапазона |
| 10:15 | Горшков Дмитрий Витальевич | А.С.Терехов | Изучение энергетических распределений и направле-ний движения электронов, эмитированных с поверх-ностных состояний p-GaN(Cs,O)-фотокатода |
| 10:30-10:50 | Перерыв (Кофе) | ||
| 10:50 | Есин Михаил Юрьевич | А.И.Никифоров | Исследование морфологии и реконструкции поверхности структур Ge/Si(100) и Ge/GexSi1-x/Si(100) полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии |
| 11:05 | Закиров Евгений Рашитович | В.Г.Кеслер | Стабилизация поверхности КРТ сверхтонким собственным оксидом |
| 11:20 | Ищенко Денис Вячеславович | В.Н.Шумский | Исследование твердых растворов PbTe-SnTe в области составов, близких к инверсии зон |
| 11:35 | Казанцев Дмитрий Михайлович | В.Л.Альперович | Моделирование процессов выглаживания поверхности полупроводников |
| 11:50 | Кожухов Антон Сергеевич | Д.В.Щеглов | Формирование индиевых нанопроволок на поверхности кремния методом атомно-силовой микроскопии |
| 12:05 | Осинных Игорь Васильевич | К.С.Журавлев | Исследование AlGaN/GaN гетероструктур методом фотолюминесцентной спектроскопии при высоком уровне возбуждения |
| 12:20-14:00 | Перерыв на обед | ||
| 14:00 | Свит Кирилл Аркадьевич. | А.И.Торопов | Исследование массивов нанокристаллов CdS, полученных с помощью технологии Ленгмюра-Блоджетт, методом сканирующей туннельной спектроскопии |
| 14:15 | Султанов Денис Борисович | А.Б.Воробьев | Магнетотранспорт двумерного электронного газа в полупроводниковых оболочках под действием микроволнового излучения |
| 14:30 | Туктамышев Артур Раисович | А.И.Никифоров | Синтез гетероструктур на базе материалов Si-Ge-Sn, выращенных на Si(100) методом молекулярно-лучевой эпитаксии |
| 14:45 | Шевырин Андрей Анатольевич | А.Г.Погосов | Электронные транспорт в подвешенном квантовом точечном контакте |
| 15:00 | Якшина Елена Алексеевна | И.И.Бетеров | Радиочастотные резонансы Фёрстера в холодных ридберговских атомах рубидия |
| 15:15-15:30 | Перерыв (Кофе) | ||
| 15:30 | Александров Иван Анатольевич | К.С.Журавлев | Исследование процессов рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AlN |
| 15:45 | Емельянов Евгений Александрович | В.В.Преображенский | Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов InSbAs с использованием различных молекулярных форм As |
| 16:00 | Журавлев Андрей Григорьевич | В.Л.Альперович | Фотоэмиссионные свойства поверхности GaAs с неравновесными слоями цезия |
| 16:15 | Ледовских Дмитрий Владимирович | Н.Н.Рубцова | Оптическая диагностика полупроводниковых гетероструктур A3B5, включающих квантовые ямы |
| 16:30-16:45 | Перерыв (Кофе) | ||
| 16:45 | Малин Тимур Валерьевич | К.С.Журавлев | Исследование начальных этапов роста А3-нитридных структур на подложках Si(111) с помощью метода ДБЭО. |
| 17:00 | Перевалов Тимофей Викторович | В.А.Гриценко | Электронная структура кислородных вакансий в Al2O3 HfO2, TiO2 и Ta2O5: ab initio моделирование и фотоэлектронная спектроскопия |
| 17:15 | Родякина Екатерина Евгеньевна | А.В.Латышев | Морфология поверхности Si(001) в условиях эпитаксиального роста и сублимации |
| 17:30 | Эпов Владимир Станиславович | А.Э.Климов | Исследование фотоэлектрических явлений в PbSnTe:In, обусловленных уровнями захвата |