Размер субсидии из федерального бюджета, выделенной Институту физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН на обновление приборной базы в этом году — 113,5 млн рублей. ИФП СО РАН рассчитывает приобрести несколько единиц высокотехнологичного оборудования, самой масштабной закупкой будет установка для производства жидкого азота вместе с системой автоматической подачи. Также Институт запланировал покупку атомно-силового микроскопа, сканирующего электронного микроскопа, 3D профилометра — конфокального микроскопа для высокоточного измерения профиля поверхности, шероховатости поверхности и пленок, трехканальной системы СДОМ 3/100-2М предназначенной для термической обработки полупроводниковых пластин.
«Мы надеемся, что установка для производства жидкого азота позволит покрыть все потребности Института в этом веществе. Жидкий азот используется при создании полупроводниковых структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Например, в термостатированном корпусе ИФП СО РАН функционируют три установки МЛЭ и чтобы обеспечить их одновременную работу, нужна автоматическая система подачи сжиженного газа. Такую систему мы тоже планируем купить на средства гранта», — пояснил заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Александр Германович Милёхин.
Метод молекулярно-лучевой эпитаксии позволяет выращивать полупроводниковые структуры, контролируя их состав на уровне отдельных атомов — это один из лучших способов создания новых полупроводниковых материалов. Жидкий азот используется на всем протяжении технологического цикла.
«Еще мы рассчитываем приобрести 3D профилометр — конфокальный микроскоп для высокоточного измерения поверхности и шероховатости пленок и структур. Он будет использоваться в новой молодежной лаборатории физико-технологических основ создания фотоприёмных устройств на основе полупроводников A3B5. Кроме того, лаборатории нужна установка для резки (скрайбирования) полупроводниковых пластин, благодаря гранту появилась возможность купить и ее.
Для лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур мы подали заявку на приобретение атомно-силового и сканирующего электронного микроскопов. Эти два прибора дополняют друг друга — первый позволяет точно определять высоту рельефа наноструктуры, а второй — измерять латеральные параметры (длину, ширину, расстояние между отдельными элементами наноструктуры).
Еще одна крупная покупка нужна для обновления кремниевой "линейки" (создания полупроводниковых материалов на основе кремния) — установка термической обработки полупроводниковых пластин при проведении технологических процессов диффузии, окисления и отжига в потоке рабочих газов»
, — добавил Александр Милёхин.
Ученый подчеркнул, что 50% закупаемого оборудования — российского производства: «Например, атомно-силовой микроскоп полностью сделан компанией NT MDT Spectrum Instruments — это флагман отечественного научного приборостроения, одна из самых успешных наукоемких компаний в России».
Субсидии на приобретение оборудования предоставляются организациям, выполняющим научные исследования и разработки, в рамках федерального проекта «Развитие инфраструктуры для научных исследований и подготовки кадров» национального проекта «Наука и университеты». В этом году таких организаций (получателей грантов) — 198.
Пресс-служба ИФП СО РАН