| Термостатированный корпус | 4 июля 2018 г. | 
| Конференц-зал | Среда, 15 часов | 
  В. А. Голяшов
Электронная структура поверхности и электрофизические свойства трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы (по материалам диссертации)



 
						