А.К.Гутаковский, Ю.Б.Болховитянов, М.А.Путято, А.П.Василенко

С помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) проведены исследования начальных стадий зарождения и роста пленок GaP на Si (001) 6⁰ (111), выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии с участием атомарного водорода. По данным ПЭМ, в пленках, выращенных без использования H+ не наблюдается сетки дислокаций несоответствия, характерной для гетеросистем (рис. а,б). В пленке, выращенной в присутствии H+, такие ДН обнаруживаются в виде отдельных прямолинейных дислокаций, залегающих параллельно ростовой поверхности по направлении ям [110] и [1¯10] (рис. в). Так как пленка находится на самой начальной стадии пластической релаксации, дислокации имеют малую длину - не более 1 мкм. Кроме этих дефектов, наблюда- ются дислокационные скопления и отдельные наклонные дислокации (рис. в). Плотность их составляет примерно 5-10⁹ см^-2. Образование скоплений, возможно, связано с агрегацией собственных точечных дефектов, концентрация которых может значительно превышать равновесную концентрацию в условиях эпитаксии при низких температурах. В пленках, выращенных без применения H+,

Рис. Дефекты структуры в пленках GaP толщиной 0.1 мкм, выращенных на Si(001) без применения H+ (а, б) и в его присутствии (в): а, в - светлопольные изображения в условиях двухволновой дифракции, g = 220, s > 0; б - темнопольное изображение в условиях "слабого пучка" g = 220, s << 0.

основными дефектами структуры являются антифазные границы и наклонные дислокации. На рис.а антифазные границы выявляются в виде белых квазизамкнутых линий, а на изображениях, полученных в условиях "слабого пучка" (рис.б), наклонные антифазные границы имеют полосчатый контраст. Плотность антифазных границ и наклонных дислокаций в этих составляет около 10¹⁰ см^-2.