Тезисы докладов Международной конференции по актуальным проблемам физики и технологии полупроводниковых наноструктур, посвященной 60-летию образования Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Новосибирск, 22-23 апреля 2024 г. / ИФП СО РАН. 35 с.
В сборник вошли тезисы докладов, представленных на Международной конференции по актуальным проблемам физики и технологии полупроводниковых наноструктур, посвященной 60-летию образования Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, проходившей 22-23 апреля 2024 года в г. Новосибирске.
Тематика конференции охватывает широкий круг вопросов синтеза полупроводниковых наноструктур и наногетероструктур, актуальных проблем физики наноструктур и перспективных устройств электроники и фотоники на их основе. Сборник может быть полезен специалистам в области физики полупроводников.
Тезисы издаются в авторской редакции.
© ИФП СО РАН, 2024
| Содержание | стр. 5 |
| Фотоэлектрические эффекты в квантовых низкоразмерных структурах. Ковалёв В.М. DOI 10.34077/ISP-60_7 | стр.7 |
| Физика и технология гетероструктур применительно к твердотельной и
вакуумной спинтронике и оптоэлектронике. Терещенко О.Е., Альперович В.Л., Шамирзаев Т.С., Голяшов В.А., Ищенко Д.В., Степина Н.П., Русецкий В. С., Кустов Д.А., Бакин В.В., Шайблер Г.Э., Рожков С.А.,Хорошилов В.С., Казанцев Д.М., Супрун С.П., Ахундов И.О., Федосенко Е.В., Закиров Е.Р., Микаева А.С., Соловова Н.Ю., Степанов С.А., Кырова Е.Д. DOI 10.34077/ISP-60_8 | стр.8 |
| Нанометровые слои и структуры в кремниевой электронике Попов В.П., Тарков М.С., Тысченко И.Е., Мяконьких A.В., Руденко K.В. DOI 10.34077/ISP-60_9 | стр.9 |
| Десять лет технологи наногетероэпитаксиальных структур HgCdTe. Рост,
квантовые эффекты и устройства. Якушев М.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Вишняков А.В., Дворецкий С.А., Зверев А.В., Макаров Ю.С., Марин Д.В., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Рыхлицкий С.В., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сидоров Ю.Г., Спесивцев Е.В., Швец В.А., Латышев А.В. DOI 10.34077/ISP-60_10 | стр.10 |
| Синтез наногетероструктур на основе соединений материалов 4 группы методом
молекулярно-лучевой эпитаксии. Никифоров А.И., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Тимофеев В.А., Фрицлер К.Б. DOI 10.34077/ISP-60_11 | стр.11 |
| Лавинный фотодиод на основе гетероструктуры InP/InGaAs/InP для счетчика
фотонов в системах оптоволоконных квантовых коммуникаций. Чистохин И.Б., Путято М.А., Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Аксенов М.С., Рябцев И.И., Преображенский В.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/ISP-60_12 | стр.12 |
| Разработка элементов сенсорных систем кремниевой электроники и фотоники. Наумова О.В. DOI 10.34077/ISP-60_13 | стр.13 |
| Новые квантовые эффекты в низкоразмерных электронных системах на основе HgTe. Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.Д. DOI 10.34077/ISP-60_14 | стр.14 |
| Высокая чувствительность мезоскопических наносистем к микроволнам. Ткаченко В.А., Ярошевич А.С., Квон З.Д., Кузьмин Н.С., Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Марчишин И.В.,Бакаров А.К., Родякина Е.Е., Антонов В.А., Попов В.П., Латышев А.В. DOI 10.34077/ISP-60_15 | стр.15 |
| Рост и характеризация nBn структур на основе Сdх Hg1-х Te для фотоприемников
среднего и дальнего ИК диапазонов Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Войцеховский А.В., Горн Д.И., Дворецкий С.А., Дзядух С.М., Меньшиков Р.В., Ремесник В.Г., Сидоров Г.Ю., Ужаков И.Н. DOI 10.34077/ISP-60_16 | стр.16 |
| Технологии формирования массивов наноструктур, основанные на методах
штамповой литографии и атомно-слоевого осаждения пленок оксидов ванадия. Селезнев В.А., Тумашев В.С., Волошин Б.В. DOI 10.34077/ISP-60_17 | стр.17 |
| Ближнепольная оптическая спектроскопия полупроводниковых наноструктур. Милёхин А.Г., Курусь Н.Н., Басалаева Л.С., Родякина Е.Е., Милёхин И.А., Латышев А.В. DOI 10.34077/ISP-60_18 | стр.18 |
| Управление функциональными характеристиками компонент нанофотоники и
наноэлектроники на основе полупроводниковых наноструктур. Двуреченский А.В., Якимов А.И., Кириенко В.В., Зиновьева А.Ф., Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Кацюба А.В., Володин В.А., Камаев Г.Н., Погосов А.Г., Похабов Д.А., Жданов Е.Ю., Степина Н.П., Блошкин А.А. DOI 10.34077/ISP-60_19 | стр.19 |
| Атомно-силовая микроскопия в полупроводниковых нанотехнологиях:
диагностика, метрология и литография. Щеглов Д.В., Федина Л.И., Рогило Д.И., Родякина Е.Е., Ситников С.В., Гутаковский А.К., Сысоев Е.В., Ткаченко О.А., Ткаченко О.В., Уткин Д.Е., Шкляев А.А., Жачук Р.А., Астанкова К.Н., Насимов Д.А., Пономарев С.А., Петров А.С., Вдовин В.И., Наумова О.В., Семенова О.И., Есаев Д.Г., Родякин С.В., Демьяненко М.А., Латышев А.В. DOI 10.34077/ISP-60_20 | стр.20 |
| Применение высоковозбужденных ридберговских атомов в квантовых
вычислениях и квантовых сенсорах. Рябцев И.И., Бетеров И.И., Третьяков Д.Б., Якшина Е.А., Энтин В.М., Ашкарин И.Н. DOI 10.34077/ISP-60_21 | стр.21 |
| Молекулярно-лучевая эпитаксия приборных гетероструктур. Журавлев К.С., Торопов А.И., Бакаров А.К., Дмитриев Д.В., Гилинский А.М., Гуляев Д.В. DOI 10.34077/ISP-60_23 | стр.23 |
| Развитие технологий и приборов оптического, инфракрасного и миллиметрового
диапазона в Филиале ИФП СО РАН «КТИПМ». Чурилов С.М. DOI 10.34077/ISP-60_25 | стр.25 |
| Разработка основ технологии создания фотоприемных устройств на основе
полупроводников A3B5. Аксенов М.С., Журавлев К.С., Преображенский В.В., Чистохин И.Б., Гилинский А.М., Дмитриев Д.В., Путято М.А., Гензе И.Ю., Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Закиров Е.Р., Суханов М.А. DOI 10.34077/ISP-60_27 | стр.27 |
| Аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия GaN гетероструктур на подложках
кремния для силовых и СВЧ транзисторов. Милахин Д.С., , Малин Т.В., Мансуров В.Г., Протасов Д.Ю., Осинных И.В.,Майдэбура Я.Е., Башкатов Д.Д. DOI 10.34077/ISP-60_28 | стр.28 |
| Синтез пленок золота на подложках кремния и кварца наносекундными
лазерными импульсами. Колосовский Д.А., Бекреева Д.В., Залялов Т.М., Пономарев С.А., Шухов Ю.Г., Морозов А.А., Старинский С.В. DOI 10.34077/ISP-60_30 | стр.30 |
| Влияние температуры подложки на процессы эпитаксиального роста Ge на Si (001). Дирко В.В., Кукенов О.И., Лозовой К.А., Коханенко А.П. DOI 10.34077/ISP-60_31 | стр.31 |