ПУБЛИКАЦИИ
1979
- А.П. Ковчавцев. Туннельные токи в системе Au-SiO2-Si c окислом толщиной 16-36 А. ФТТ, 1979, т. 21, вып. 10, с. 3055 – 3060.
ПУБЛИКАЦИИ
1983
- Atanasova E.D., Kovchavtsev A.P. Interface properties of Metal/Oxide/Semiconductor Structures with ultrayhin Plasma SiO2. Thin Solid Films, 1983, 100, 131-139.
- A.A. Frantsuzov, A.P. Kovchavtsev. The Determination of Surface Potential Fluctation Values and Spatial Distribution of Traps in Insulators from the Temperature Dependence of the (Gp/ω)- ω Curves of MOS Structures. Phys. Stat. Sol. (a), 1983, 79, 503 – 511.
ПУБЛИКАЦИИ
1985
- Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Постников К.О, Бирюков С.А. Туннельная спектроскопия фононов в арсениде индия, ФТП, 1985, 19, в. 12, стр. 2187-2188.
ПУБЛИКАЦИИ
1984
- А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, В.Н. Дроздов, О.С. Липатникова. Механизм поперечной проводимости МДП-структур на основе арсенида индия при низкой температуре. Поверхность. Физика, химия, механика. 1984, 8, 68-72.
ПУБЛИКАЦИИ
1986
- Kovchavtsev A.P., Kurisev G.L., Postnicov K.O. Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy of InAs-Superthin Insulator-Au Structures. Phys.stat.sol. (a), 1986, 97, 421-425.
- Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Дроздов В.Н. Полевой дрейф ионов в МДП-структурах на основе арсенида индия. Микроэлектроника 1986, 15, в. 4, стр. 324-327.
- Гуртов В.А., Золотов М.В., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л. Объемный заряд в МДП-структурах на основе арсенида индия. Микроэлектроника, 1986, 15, в. 2, стр. 142-146.