ПАТЕНТЫ

1. И.И. Ли. Устройство считывания с временной задержкой и накоплением сигналов с многоэлементных ИК фотоприемников. Положительное решение 06.06.2012 г. по заявке на изобретение № 201112553/037696.

2. Н.А. Валишева, Н.Б. Кузьмин, Н.Р. Вицина. Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на базе МДП-структур полупроводниковых соединений. Патент № RU 2441299, БИ № 3 от 27.01.2012.

3. Кеслер В.Г., Ковчавцев А.П., Гузев А.А., Панова З.В. Структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе соединений A₃B₅ и способ её формирования. // Российский патент RU 2420828 C1. Опубликован 10.06.2010 Бюл. № 16.

4. Ефимов В.М. Индиевые микроконтакты для гибридной микросхемы. Патент на изобретение №2411610, 10.02.2011

5. Ефимов В.М. Наклоняюще-качающее устройство для гибридизации микросхем методом перевернутого кристалла. Патент на изобретение №2411179, 10.02.2011.

6. Ефимов В.М. Индиевые микроконтакты для гибридной микросхемы. Патент на изобретение №2411610, 10.02.2011.

7. Ефимов В.М. Наклоняюще-качающее устройство для гибридизации микросхем методом перевернутого кристалла. Патент на изобретение №2411179, 10.02.2011.

8. Ли И.И. Устройство считывания с временной задержкой и накоплением сигналов с многоэлементных ИК фотоприемников. Заявка на изобретение № 201112553/037696 от 21.06.2011 г.

9. Д.Д. Карнаушенко, Д.Д. Карнаушенко, И.И. Ли, В.Г. Половинкин. Многоконтактное гибридное соединение. Патент №2383966, пр.от 27.10.2008. Зарегистирован 10.03.2010 г.

10. Ефимов В.М. Гибридная структура для детектора инфракрасного излучения. Патент на изобретение №2397573, 20.08.2010.

11. Н.А. Валишева, Н.Б. Кузьмин, Н.Р.Вицина, А.Р. Новоселов, И.Г. Косулина. Способ формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения. Патент № 2392690. Бюллетень изобретений №17 от 20.06.2010. Приоритет от 26.05.2009.

12. Ефимов В.М. Укрепляющий элемент для гибридной микросхемы. Патент на изобретение №2402104, 20.10.2010.

13. Карнаушенко Д.Д., Карнаушенко Д.Д., Ли И.И. Многоконтактное гибридное соединение. Патент РФ №2363072, пр. от 18.02.2008 г. Зар. 27.07.2009 г.

14. Ли И.И. Многоканальное устройство считывания для фотоприемников. Патент РФ, №2357323. Зар. 27.05.2009 г., пр. от 4.12. 2007. Бюл. №15.

15. Левцова Т.А., Валишева Н.А., Курышев Г.Л., Ковчавцев А.П. "Способ изготовления МДП-структур на InAs для многоэлементных фотоприемников". Патент № 2367055, изобретение зарегистрировано 10.09.2009г., опубликовано 10.09.2009г., бюл. № 25.

16. Левцова Т.А., Валишева Н.А., Вицина Н.Р., Курышев Г.Л., Ковчавцев А.П. "Способ изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе МДП-структур". Патент № 2354007, изобретение зарегистрировано 27.04.2009г., опубликовано 27.04.2009г., бюл. № 12.

17. Валишева Н.А., Девятова С.Ф. «Способ формирования висящих конструкций». Патент № 2367591, изобретение зарегистрировано 20.09.2009г., опубликовано 20.09.2009г., бюл. № 26.

18. Н.А. Валишева, Н.Б. Кузьмин, А.Р. Новоселов, И.Г. Косулина. Способ формирования контактного столба многоконтактного гибридного соединения. Заявка № 2009119989/28(027561) от 26.05.2009г.

19. Настаушев Ю.В., Наумова О.В., Девятова С.Ф., Попов В.П. Способ изготовления наносенсора Патент РФ № 2359359 от 20.06.2009 (по заявке РФ №2007142264 от 11.2007).

ПУБЛИКАЦИИ

2014

1. В.Г. Кеслер, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, А.В. Царенко, З.В. Панова. МДП-фотодиод с туннельно-прозрачным слоем окисла на основе InAs. Автометрия, 2014, 50 (1), 105-115.
2. В.Н. Опарин, Т.А. Киряева, В.Ю. Гаврилов, Р.А. Шутилов, А.П. Ковчавцев, А.С. Танайно, В.П. Ефимов, И.Е. Астраханцев, И.В. Гренев. О некоторых особенностях взаимодействия между геомеханическими и физико-химическими процессами в угольных пластах Кузбасса. Физико-технические проблемы разработки полезных ископаемых, 2014, №2, с. 3-30.

КОНТАКТЫ

ДОКЛАДЫ НА КОНФЕРЕНЦИЯХ

2009

приглашённые

1. Вайнер Б.Г. Коротковолновое спектрально-узкополосное матричное тепловидение – новое направление в экспериментальной физике. В кн.: Десятая международная конференция-семинар по микро/нанотехнологиям и электронным приборам, EDM 2009, Новосибирский государственный технический университет, ЗСОК Эрлагол, Алтай, 1–6 июля, 2009. – Сборник трудов. – IEEE, Новосибирск, 2009. – С. 146–152.
2. Vainer B.G. Infrared thermography and spectrometry realized by the use of indium arsenide multielement CID photodetectors. – In: 2009 International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystems Technologies, INTERNANO 2009, Novosibirsk, Russia – October 28–31, 2009. – Proceedings. – IEEE, Novosibirsk, 2009. – P. 34–36.
3. Г.Л. Курышев. Физико-технологические принципы создания многоэлементных МДП ИК-фотоприемников на InSb и InAs, ДЕСЯТАЯ МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ-СЕМИНАР ПО МИКРО/НАНОТЕХНОЛОГИЯМ И ЭЛЕКТРОННЫМ ПРИБОРАМ, Эрлагол, 1-6 июля 2009, сборник трудов с. 29-31 (IEEE Catalog No. CFP09500-PRT).
4. Г.Л. Курышев. Оптоэлектронные приборы на основе МДП-структур InSb, InAs. Конструктивные особенности, параметры и применение. ДЕСЯТАЯ МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ-СЕМИНАР ПО МИКРО/НАНОТЕХНОЛОГИЯМ И ЭЛЕКТРОННЫМ ПРИБОРАМ Эрлагол, 1-6 июля 2009, сборник трудов с. 325-328,(IEEE Catalog No. CFP09500-PRT).
5. Г.Л. Курышев. Тепловизионная Микроскопия. Применение для Диагностики Микроэлектронных Приборов In: 2009 International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystems Technologies, INTERNANO 2009, Novosibirsk, Russia – October 28–31, 2009. – Proceedings. – IEEE, Novosibirsk, 2009. – P. 44–46.
6. Косинова М.Л., Файнер Н.И., Румянцев Ю.М., Аюпов Б.М., Алферова Н.И., Гевко П.Н., Кеслер В.Г., Кириенко В.В., Максимовский Е.А., Мякишев К.Г., Суляева В.С., Юшина И.В., Кузнецов Ф.А. Карбонитриды бора и кремния - новые материалы для приборов наноэлектроники. VI международная конференция и V школа молодых учёных и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностике кремния, нанометровых структур и приборов на его основе "Кремний-2009", Новосибирск, 7-10 июля 2009 г. Тезисы конференции, стр. 122.
7. Leonid Braginsky and Valery Shklover. Radiative heat transport in porous materials, High-Temperature Photonic Structures, Eds. R. Biswas, V. Shklover, S.-Y. Lin, E. Johnson. (Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Volume 1162E, Warrendale, PA, 2009), paper number 1162-J03-05.

устные и стендовые

1. Valeriy G. Kesler, Andrei V. Gorbunov. Investigation of Recombination of Nonequilibrium Charge Carriers in InAs. Proceedings of X International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, July 1-6, 2009, Erlagol, Russia. pp. 17-19. (устный)
2. Fedor N.Dultsev, Valeriy G.Kesler. XPS Investigation of InAs Etching in Planar Inductively Coupled Plasma. Proceedings of X International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, July 1-6, 2009, Erlagol, Russia. pp. 101-103. (устный)
3. N.I. Fainer, Yu.M. Rumyantsev, V.G. Kesler, E.A. Maximovski, F.A. Kuznetsov. Synthesis and thermal stability of nanocomposite SiC_xN_y:H films from cycle siliconorganic precursor. EUROCVD-17, Вена, 2009. Meet. Abstr. - Electrochem. Soc. 902 2607 (2009) (стендовый)
4. В.Г. Кеслер, В.А. Селезнёв, А.П. Ковчавцев, А.А. Гузев. Исследование поверхности InAs(111)A после химической обработки в растворе HCl-изопропиловый спирт и отжигов в вакууме методами РФЭС и АСМ. IX Российская крнференция по физике полупроводников, 28 сентября – 3 октября 2009 г., Новосибирск-Томск, Россия. Тезисы докладов, стр. 335 (стендовый).
5. V.G. Kesler, A.P. Kovchavzev, A.A. Guzev, Z.V. Panova. The chemical composition and electro-physical parameters of tunnel thin oxide films, grown by oxidation of indium arsenide in glow discharge plasma. Russian-Japanese Workshop (review conference) “State of Materials Research and New Trends in Material Science”, August 3-5, 2009, Novosibirsk, Russia. Abstract book, p. 76 (стендовый)
6. А. Лямкина, В.Г. Кеслер, С.П. Мощенко. Исследование смачивающего слоя в системе квантовых точек InAs, выращенных капельной эпитаксией на поверхности (001)GaAs, методами АСМ и Оже-спектроскопии. X Всеросс. молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-10), 9-15 ноября 2009, Екатеринбург. (устный)
7. В.В. Атучин, Т.А. Гаврилова, В.Г. Кеслер, М.С. Молокеев, К.С. Александров. Низкотемпературный химический синтез, морфология и электронная структура микрокристаллов K₃WO₃F₃. Труды международного минералогического семинара «Минералогическая интервенция в микро- и наномир», 9-11 июня 2009г, Сыктывкар, Россия. c. 427-428 (стендовый)
8. Т.А. Гаврилова, В.В. Атучин, В.Г. Кеслер, М.С. Молокеев, К.С. Александров. Низкотемпературный синтез, морфология, структурные и электронные параметры микрокристаллов K₃WO₃F₃. Труды XII Межрегиональной конференции молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов, 17-20 июня 2009, Владивосток, Россия. стр. 214-216 (стендовый)
9. V.V. Atuchin and V.G. Kesler. Top surface properties of nonlinear optical borates. Proceedings of X International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, July 1-6, 2009, Erlagol, Russia. p. 83-85 (устный)
10. V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, V.G. Kesler, M.S. Molokeev and K.S. Alexandrov. Electronic parameters of K₃WO₃F₃ and W-O bonding. Proceedings of X International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, July 1-6, 2009, Erlagol, Russia. p. 92-95 (устный)
11. В.В. Атучин, Т.А. Гаврилова, В.Г. Кеслер, М.С. Молокеев, К.С. Александров. Электронные параметры K₃WO₃F₃. Труды VIII региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование», 10-12 сентября 2009г, Благовещенск, Россия. с. 62-65 (стендовый)
12. Б.И. Кидяров, В.В. Атучин, И.Б. Троицкая, В.Г. Кеслер, М.С. Молокеев, К.С. Александров. Низкотемпературная модификация микрокристаллов K₃WO₃F₃: синтез, морфология, структурные и электронные параметры. Материалы 7 Всероссийской конференции-школы «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия наносистем и материалы)», 28 сентября – 2 октября 2009г, Воронеж, Россия. c. 175-177 (стендовый)
13. V.V. Atuchin, V.G. Kesler, T.A. Gavrilova, M.S. Molokeev and K.S. Alexandrov. Chemical synthesis, crystal structure and electronic parameters of noncentrosymmetric K₃WO₃F₃. Proceedings of the 2009 International Forum on Strategic Technologies, October 21-23, 2009, Ho Chi Minh City, Vietnam, vol.3, p. 213-215 (стендовый)
14. V.V. Atuchin and V.G. Kesler. Electronic parameters of RbTiOPO₄ crystal. Proceedings of the 2009 International Forum on Strategic Technologies, October 21-23, 2009, Ho Chi Minh City, Vietnam, vol.3, p. 232-234 (стендовый)
15. V.V. Atuchin, V.G. Kesler and N.V. Pervukhina. Structural and photoemission parameters of anhydrous niobates and Nb-O chemical bonding. Proceedings of the 2009 International Forum on Strategic Technologies, October 21-23, 2009, Ho Chi Minh City, Vietnam, vol.3, p. 235-237 (стендовый)
16. В.В. Атучин, Л.И. Исаенко, В.Г. Кеслер, А.Ю. Тарасова. Рост и химическая стабильность RbPb₂Br₅. XI Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, 25-29 мая 2009, Ульяновск, Россия, стр.331 (стендовый)
17. В.В. Атучин, В.Г. Кеслер, М.С. Молокеев, К.С. Александров, Синтез и электронная структура K₃WO₃F₃ . XI Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, 25-29 мая 2009, Ульяновск, Россия, стр.335 (стендовый)
18. V.V. Atuchin, V.G. Kesler, O.V. Parasyuk. Core level photoemission spectroscopy of AgCd₂GaS₄ and Ga-S chemical bonding. XI Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, 25-29 мая 2009, Ульяновск, Россия, p. 343 (стендовый)
19. М.С. Молокеев, В.В. Атучин, В.Г. Кеслер, К.С. Александров. Химический синтез и электронная структура K₃WO₃F₃. II Научно-техническая конференция «Методы создания, исследования микро-, наносистем и экономические аспекты микро-, наноэлектроники», 26-29 мая 2009, Пенза, Россия, С2-7 (устный)
20. А.Ю. Тарасова, В.В. Атучин, Л.И. Исаенко, В.Г. Кеслер, Рост и электронная структура RbPb₂Br₅. II Научно-техническая конференция «Методы создания, исследования микро-, наносистем и экономические аспекты микро-, наноэлектроники», 26-29 мая 2009, Пенза, Россия, С5-7 (устный)
21. V.V. Atuchin, M.S. Molokeev, V.G. Kesler, T.A. Gavrilova, K.S. Alexandrov. Chemical synthesis, crystal structure and electronic parameters of noncentrosymmetric crystal K₃WO₃F₃. Russian-Japanese Workshop “State of Materials Research and New Trends in Material Science”, August 3-5, 2009, Novosibirsk, Russia. Abstract book, p. 50 (стендовый)
22. V.V. Atuchin, L.I. Isaenko, V.G. Kesler, A.Yu. Tarasova. Single crystal growth and electronic structure of RbPb₂Br₅. Russian-Japanese Workshop “State of Materials Research and New Trends in Material Science”, August 3-5, 2009, Novosibirsk, Russia. Abstract book, p. 51 (стендовый)
23. V.V. Atuchin, Z.S. Lin, L.I. Isaenko, V.G. Kesler and S.I. Lobanov. Electronic structure and optical properties of lithium thiogallate, LiGaS₂. IX International Conference “Atomic and Molecular Pulsed Lasers”, September 14-18, 2009, Tomsk, Russia, G-9, p.102-103 (устный)
24. Yu.G. Galitsyn, A.A. Lyamkina, S.P. Moshchenko. Elastic energy relaxation in InAs heteroepitaxy on GaAs(001). Proceedings of international conference Fundamental bases of mechanochemical technology, Novosibirsk, Russia, May, 27-30, 2009, p. 53. (устный)
25. Yu.G. Galitsyn, A.A. Lyamkina, S.P. Moshchenko. Cracks under elastic strain in droplet grown indium arsenide on (001)GaAs substrate. Proceedings of international conference Fundamental bases of mechanochemical technology, Novosibirsk, Russia, May, 27-30, 2009, p. 107.
26. Yu.G. Galitsyn, A.A. Lyamkina, S.P. Moshchenko. Two-stage nucleation of indium drops on GaAs(001) substrate. Proceedings of international conference Fundamental bases of mechanochemical technology, Novosibirsk, Russia, May, 27-30, 2009, p. 106.
27. A.A. Lyamkina, Yu.G. Galitsyn, D.V. Dmitriev, V.A. Haisler, S.P. Moshchenko and A.I. Toropov. Droplet to Stranski-Krastanov growth mode transition in indium epitaxy on (001)GaAs substrate. Proceedings of 17th international symposium Nanostructures: Physics and technology, Minsk, Belorussia, June 22-26, 2009, p. 144.
28. A.A. Lyamkina, D.V. Dmitriev, S.P. Moshchenko, Yu.G. Galitsyn and A.I. Toropov. Two-stage nucleation of indium drops on GaAs(001) substrate. Proceedings of 17th international symposium Nanostructures: Physics and technology, Minsk, Belorussia, June 22-26, 2009, p. 153.
29. А.А. Лямкина, Ю.Г. Галицын, Д.В. Дмитриев, С.П. Мощенко, А.И. Торопов. Двухстадийная нуклеация капель индия на поверхности (001) арсенида галлия. International workshops and tutorial on electron device and materials EDM 2009, с. 44-46.
30. А.А. Лямкина, Ю.Г. Галицын, Д.В. Дмитриев, С.П. Мощенко, А.И. Торопов. Кинетика формирования квантовых точек арсенида индия на поверхности (001) арсенида галлия. International workshops and tutorial on electron device and materials EDM 2009, с. 40-43. (устный)
31. Ю.Г. Галицын, А.А. Лямкина, С.П. Мощенко, А.И. Торопов. Статистическое рассмотрение образования ансамбля квантовых точек InAs на (001)GaAs. Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников, 28 сентября-3 октября 2009 г., Новосибирск-Томск, с. 56.
32. A.A. Lyamkina, D.V. Dmitriev, S.P. Moshchenko, Yu.G. Galitsyn and A.I. Toropov. Bimodal distribution of drops and holes in indium epitaxy on (001)GaAs substrate. Proceedings of International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystem Technology 28-31 october 2009, Novosibirsk, Russia, p. 18-20.
33. A.A. Lyamkina, D.V. Dmitriev, S.P. Moshchenko, Yu.G. Galitsyn and A.I. Toropov. Elastic stain driven change of growth mode in indium arsenide heteroepitaxy on (001) GaAs. Proceedings of International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystem Technology 28-31 october 2009, Novosibirsk, Russia, p. 18-20.
34. А. Лямкина, Ю.Г. Галицын, Д.В. Дмитриев, С.П. Мощенко, А.И. Торопов. Двумерный фазовый переход в гомоэпитаксии арсенида галлия на поверхности beta-(2x4) (001). X Всеросс. молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС-10), 9-15 ноября 2009, Екатеринбург. (устный)
35. A.A. Lyamkina, D.V. Dmitriev, S.P. Moshchenko, Yu.G. Galitsyn and A.I. Toropov. Droplet to Stranski-Krastanov growth mode transition in indium epitaxy on (001)GaAs substrate. Abstracts of 2009 Collaborative Conference on Interacting Nanostructures (CCIN09), November 9-13, 2009, San Diego, California, p. 23.
36. Ю.И. Михайлов, Ю.Г. Галицын, В.В. Болдырев. Радиационная и фотохимическая стойкость гидридов металлов. Тезисы докладов 14 международного конгресса по радиационной химии и физике неорганических материалов, 6-10 октября 2009, Астана, Казахстан.
37. N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, I.P. Prosvirin, T.A. Levtsova, E.E. Rodjakina, A.V. Kovchavcev, «Composition and morphology of fluorinated anodic oxides on InAs(111)A surface», Abstract of 12th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-12). July, 5-10, 2009. Weimar, Germany, p. 40 (устный)
38. N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, I.P. Prosvirin, T.A. Levtsova, E.E. Rodiakina, A.P. Kovchavcev. «Passivation of InAs(111)A by fluorinated anodic oxide», Book of abstracts of the VI International Workshop on Semiconductor Surface Passivation (SSP’2009), p. 40. Zakopane, Poland 2009. (устный)
39. Левцова Т.А., Коковкин В.В., Валишева Н.А. «Особенности анодного окисления арсенида индия в аммиачно-гликолевом электролите, «Тезисы докладов четвертой всероссийской конференции (с международным участием) "Химия поверхности и нанотехнология", Санкт-Петербург-Хилово, 28 сентября-4 октября 2009г., с. 129-130. (устный)
40. Валишева Н.А., Терещенко О.Е., Просвирин И.П., Левцова Т.А., Бухтияров В.И. «Исследование состава поверхности InAs(111)A пассивированной анодным окислом», 1-я Всероссийская научная конференция “Методы исследования состава и структуры функциональных материалов” МИССФМ-2009, Новосибирск, 11-16 октября 2009 года. Тезисы докладов, с. 184. (стендовый)
41. В.М. Базовкин, Н.А. Валишева, А.А. Гузев, В.М. Ефимов, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, В.Г. Половинкин, А.С. Строганов. Универсальное линейчатое фотоприемное устройство на основе InAs МДП структур для систем теплопеленгации. Тезисы доклада на IX Российскую конференцию по физике полупроводников, Новосибирск-Томск, 28 сентября - 3 октября 2009 г., стр. 326. (стендовый)
42. Г.Л. Курышев, В.Г. Половинкин. Расчет и оптимизация спектральных характеристик многослойных тонкопленочных структур в составе ФПУ. IX Всероссийская конференция по физике полупроводников, Тезисы докладов Новосибирск-Томск, 28сентября - 3 октября 2009г, стр. 325 (стендовый)
43. Г.Л. Курышев, А.Е. Настовьяк, В.Г. Половинкин. Модель релаксации неравновесного обеднения в МДП фотоприёмниках, Полупроводники 09, IX Российская конференция по физике полупроводников, Тезисы, стр. 331. (стендовый)
44. A.A. Guzev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, I.I. Lee, Z.V. Panova, Yu.G. Sidorov, M.V. Yakushev. MIS-like behavior of II-VI heterojunctions grown by MBE. 14th International Conference on II-VI Compounds, Program and Abstracts, St. Petersburg, Russia, August 24-28, 2009, P. 89. (устный)
45. В.Г. Ерков, С.Ф. Девятова, Л.А. Семёнова, Н.А. Чернов. «Поиск путей улучшения свойств слоёв LP CVD SiO₂ за счет уменьшения вклада гомогенной составляющей реакции окисления моносилана». 9 Международная конференция “Пленки и покрытия - 2009”, 26-29 мая 2009 г. Санкт-Петербург, Россия, стр. 185-187. (устный)
46. В.Г. Ерков, С.Ф. Девятова. «Исследование возможностей управления разными стадиями пиролиза силана при получении плёнок поликристаллического кремния». 9 Международная конференция “Пленки и покрытия - 2009”, 26-29 мая 2009, г.Санкт-Петербург, Россия, стр. 182-184. (устный)
47. N.A. Chernov, S.F. Devyatova, V.G. Erkov. Search of Resource to Control Properties LP CVD SiO₂ Layers With Monosilane Oxidation. 10-ая международная конференция-семинар по микро/нанотехнологиям и электронным приборам EDM’2009. 1-6 июля 2009, Эрлагол, р. 96-99. (устный)
48. S.F. Devyatova, O.I. Semenova, N.A. Valisheva. Chemical process for fabrication micromechanical infrared detectors. Eleventh Annual Conference YUCOMAT Herceg Novi, August 31 – September 4, p. 15. (устный)
49. N.A. Chernov, S.F. Devyatova, V.G. Erkov. Correlations Between Mode of Deposition and Electrophysical Properties LP CVD SiO₂ Films. Fourth Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductors Materials and Devices. 15-16 June 2009, Novosibirsk p. 37. (стендовый)
50. N.A. Chernov, L.A. Semenova, S.F. Devyatova. «The Route of Improving Properties of Low Temperature Silicon Dioxide Films». Russian-Japanese Workshop “State of Materials Research and New Trends in Material Science”. 1-6 August 2009, Novosibirsk. p. 65. (стендовый)
51. S.F. Devyatova, V.G. Erkov. “The change of monosilane pyrolysis mechanism by propylene and hydrogen addition» Russian-Japanese Workshop“. «State of Materials Research and New Trends in Material Science”. 1-6 August 2009, Novosibirsk. p. 66. (стендовый)
52. Leonid Braginsky, Valery Shklover, Matthew Mishrikey, and Christian Hafner. High-Temperature Fiber Matrix Composites for Reduction of Radiation Heat Transfer, High-Temperature Photonic Structures, Eds. R. Biswas, V. Shklover, S.-Y. Lin, E. Johnson. (Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Volume 1162E, Warrendale, PA, 2009), paper number 1162-J03-05.