ПУБЛИКАЦИИ



1974

  1. Гораин Р.А., Качурин Г.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Скок Э.М., Исследование энергетического спектра глубоких уровней и механизма рассеяния носителей заряда в эпитаксиальных слоях n-GaAs. ФТП, 1974, т. 8, в. 8, с. 1502-1506.
  2. Р.А. Гораин, А.Ф. Кравченко, В.Я. Принц, Э.М. Скок. О природе аномальной температурной зависимости подвижности в n-GaAs. В кн.: ”Арсенид галлия”, вып. 4. Томск, 1974, с. 3.
  3. Гораин Р.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Скок Э.М., Шейнман Г.А., Влияние облучения электронами на электрофизические свойства эпитаксиального арсенида галлия с различным профилем распределения концентрации носителей. ”Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна”. Новосибирск, 1974, с. 481-490.
  4. В.Я. Принц, Ю.Б. Болховитянов, Р.И. Болховитянова, Н.Е. Марченко, В.Н. Молин, П.Л. Мельников, Б.В. Морозов. О распределении примесей в пленках арсенида галлия, выращенных из тонкого слоя раствора, находящегося между подложками. В кн. ”Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна”. Новосибирск, 1974, с. 285-291.
  5. Принц В.Я., Болховитянов Ю.Б., Болховитянова Р.И., О переходном слое в пленках арсенида галлия, выращенных методом жидкостной эпитаксии. ”Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна”. Новосибирск, 1974, с. 291-301.

ПУБЛИКАЦИИ



1976

  1. Гораин Р.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Придачин Н.Б., Скок Э.М., Облучение быстрыми электронами эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Микроэлектроника, 1976, т. 5, в. 4, с. 4.

ПУБЛИКАЦИИ



1978

  1. Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Зависимость энергетического спектра глубоких уровней, вводимых облучением в твердые растворы на основе GaAs от состава. В кн: ”Физика соединений A3B5. Тезисы докладов Всесоюзной конференции, Ленинград, 1978.
  2. Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Исследование глубоких центров в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии. В кн.: ”Арсенид галлия”. IV Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Тезисы докладов. Томск, 1978.
  3. Принц В.Я., Скок Э.М., Шарипов Э.О., Мусаев П.Х., Влияние отжига на напряжение пробоя и энергетический спектр электрополевых ловушек в GaAs. В кн.: ”Арсенид галлия”. IV Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Тезисы докладов. Томск, 1978.
  4. Принц В.Я. Исследование мелких и глубоких уровней в GaAs и твердых растворах на его основе, Физика тонкопленочных систем. Новосибирск 1978, с. 11-26.
  5. Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Зависимость энергетического спектра уровней, вводимых облучением электронами в GaAs1-xP и AlxGa1-xAs, от состава. ФТП, 1978, т. 12, с. 1612.

ПУБЛИКАЦИИ



1977

  1. Принц В.Я., Зависимость параметров радиационных дефектов в AlxGa1-xAs от состава твердого раствора. В кн.: Всесоюзная конференция “Радиационные эффекты в твердых телах” Ашхабад, 1977.
  2. А.с. 573782 (СССР). Способ контроля полупроводниковых материалов и устройство для его осуществления. В.Я. Принц, О.М. Орлов, Э.М. Скок. Опубл. в Б.И., 1977, N 35.
  3. Принц В.Я., Влияние профиля концентрации носителей заряда на рабочие параметры диодов Ганна, Электронное полупроводниковое приборостроение. Новосибирск, 1977, с. 4-15.
  4. Орлов О.М., Принц В.Я., Скок Э.М., Прибор для автоматического локального измерения профиля легирования полупроводниковых пленок. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977.

ПУБЛИКАЦИИ



1979

  1. Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Емкостная спектроскопия примесных и дефектных уровней в полупроводниках типа А3В5, Препринт ИФП СО РАН СССР, 1979, с. 35-79.
  2. Принц В.Я., Булатецкий К.Г., Спектроскопия глубоких примесных уровней компенсационным методом. ПТЭ, 1979, № 4, с. 255-258.
  3. Орлов О.М., Принц В.Я., Скок Э.М., Прибор для автоматического измерения профиля концентрации мелких уровней. ПТЭ, 1979, № 4, с. 258-261.
  1. 1980
  2. 1981
  3. 1982
  4. 1983