СОТРУДНИКИ

Наумова Елена Валериевна

вед. инженер

тел. 333-06-99, вн. 1807

e-mail:

Область научных интересов:
искусственные электромагнитные материалы (метаматериалы), электромагнитная киральность, технологии формирования массивов 3D микро- и наноструктур.

Образование:
В 1993 г. окончила с отличием физический факультет Саратовского Государственного Университета (каф. электроники, теории колебаний и волновых процессов), в 1992 г. с отличием - отделение инженеров-переводчиков Саратовского Государственного Университета (англ.яз.), в 1999 г.- очную аспирантуру Саратовского Государственного Технического Университета.

Научная деятельность:
С 1995 по 2000 год участвовала в разработке новой нанотехнологии, основанной на лазерном управлении и структурировании пучков нейтральных атомов, является соавтором патента. С октября 2004 г. по настоящее время работает ведущим инженером лаборатории физики и технологии трёхмерных наноструктур Института физики полупроводников СО РАН и занимается созданием новых искусственных электромагнитных материалов (метаматериалов) на основе трехмерных оболочек, в основном метаматериалов с киральными свойствами.

Избранные научные публикации:

Является соавтором 32 научных публикаций, 9 приглашенных докладов.

Две публикации по киральным метаматериалам заняли первое место по прикладному направлению на конкурсе научных работ ИФП 2009 года:

1. Наумова Е.В., Принц В.Я., Структура с киральными электромагнитными свойствами и способ ее изготовления, Патент на изобретение № 2317942 опубл. 27.02.08 в БИ № 6.
2. Naumova E.V., Prinz V.Ya., Golod S.V., Seleznev V.A., Soots R.A., Kubarev V.V., Manufacturing chiral electromagnetic metamaterials by directional rolling of strained heterofilms. Journal of Optics A: Pure And Applied Optics, Vol. 11 (7), 074010 (5pp), 2009

СОТРУДНИКИ

Небогатикова Надежда Александровна

Младший научный сотрудник

тел. 333-06-99

503 ЛТК

e-mail:

Образование:
2004 г. – поступление на физический факультет Новосибирского государственного университета по специальности "физика", бакалавратура.
2008 г., 2010 – Защита на «отлично» дипломов бакалавра и магистра.
2013 г. – Окончание аспирантуры Новосибирского государственного университета с представлением кандидатской диссертации на ученом совете ИФП СО РАН (специальность «физика конденсированного состояния вещества»).
Научный руководитель – д-р физ.-мат. наук, в.н.с. ИФП СО РАН Антонова И.В.
2015 г. – защита кандидатской диссертации «Материалы и наноразмерные гетероструктуры на основе графена и фторографена» (специальность «физика конденсированного состояния вещества», 01.04.07).
Научный руководитель – д-р физ.-мат. наук, в.н.с. ИФП СО РАН Антонова И.В.

Трудовая деятельность:
2007-2010 г. – стажер-исследователь в Институте неорганической химии А.В. Николаева СО РАН.
2008-2011 г. – инженер отдела НИРС в Новосибирском государственном университете.
2010-по н/вр. – сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Научная деятельность:
Научные интересы Н.А. Небогатиковой связаны с изучением процессов фторирования таких графеновых материалов, как пленки графена и мультиграфена, а также графеновые суспензии. В результате фторирования пленок графена и мультиграфена были созданы массивы квантовых точек графена в изолирующей диэлектрической матрице, планируется создание приборов на их основе. Цель этих исследований – изучение механизмов и закономерностей для химической функционализации графена с возможностью их дальнейшего использования для практического применения в наноэлектронике, устройствах энергонезависимой памяти с квантовыми точками и др.

Найден оригинальный, простой и технологичный способ фторирования графена и формирования квантовых точек графена в изолирующей матрице фторографена. Исследована электронная структура самоформирующихся массивов квантовых точек и зависимости этих параметров от условий их формирования. Проведены первые измерения методом зарядовой спектроскопии (Q-DLTS) на слоях с квантовыми точками графена и определена система уровней для квантовых точек разной толщины от монослоя до 3 нм. Обнаружено, что меняя толщину квантовых точек можно на несколько порядков (до 4 порядков) менять время релаксации неравновесного заряда с квантовых точек. Такое уникальное свойство полученных точек (представляющее интерес для элементов энергонезависимой памяти) предположительно связано с формой барьеров фторированной части пленки. Исследования спектров фотолюминесценции для суспензии или пленок с квантовыми точками показали, что данные Q-DLTS прекрасно коррелируют с оптическими измерениями.

С 2016 года Небогатиковой Н.А. ведутся работы по исследованию процессов структурирования пленок графена и мультиграфена путем их облучения ионами высоких энергий с целью открытия в энергетическом спектре графеновых слоев запрещенной зоны. Помимо исследования графена Небогатикова Н.А. принимает активное участие в исследовании других перспективных двумерных материалов, таких как MoS₂, Mo₂S₃, VS₄.

Педагогическая деятельность:

• Преподаватель физики в ЛШ СУНЦ НГУ в 2009, 2010, 2011, 2012 гг.
• Преподаватель физики на кафедре физики СУНЦ НГУ с 2011 по 2013 гг.

Премии и награды:

• Стипендия ИФП СО РАН в 2013 г.
• 3-е место в конкурсе научных работ ИФП СО РАН в 2014 г.
• Звание «лучший молодой докладчик» в конкурсе научных работ ИФП СО РАН в 2014 г.

Избранные публикации:

1. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.A. Volodin, V.Ya. Prinz. Functionalization of graphene and few-layer graphene with aqueous solution of hydrofluoric acid, Physica E, 52, 106-111, 2013. DOI 10.1134/S1995078014010108 скачать
2. Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, В.А. Володин, В.Я. Принц, Д.А. Зацепин, Э.З. Курмаев, И.С. Жидков, С.О. Чолах. Функционализация пленок графена и мультиграфена в водном растворе плавиковой кислоты, Российские нанотехнологии, 2014, т. 9, №1-2, стр. 59-65. = N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, V.A. Volodin, D.A. Zatsepin, E.Z. Kurmaev, I.S. Zhidkov, S.O. Cholakh, Functionalization of Graphene and Few-Layer Graphene Films in an Hydrofluoric Acid Aqueous Solution, Nanotechnologies in Russia, 2014, Vol. 9, № 1–2, pp. 51–59. DOI: 10.1134/S1995078014010108 скачать на русском языке скачать на английском языке
3. Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, А.И. Комонов, В.Я. Принц. Создание массивов квантовых точек графена и мультиграфена в матрице фторографена, Автометрия, 2014, Т. 50 №3, стр. 101-107. DOI: 10.3103/S8756699014030145. Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Komonov, A. I., & Prinz, V. Y. (2014). Producing arrays of graphene and few-layer graphene quantum dots in a fluorographene matrix. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 50(3), 298-303. скачать
4. I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, V.Ya. Prinz. Self-organized arrays of graphene and few-layer graphene quantum dots in fluorographene matrix: charge transient spectroscopy, Appl. Phys. Lett. 104, 193108 (2014). DOI 10.1063/1.4878262 скачать
5. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, V.B. Timofeev and S.A. Smagulova. Graphene quantum dots in fluorographene matrix formed by means of chemical functionalization, Carbon, 2014, V 77 (1095-1103). DOI 10.1016/j.carbon.2014.06.026 скачать
6. I. V. Antonova, N. A. Nebogatikova, V. Ya. Prinz, V. I. Popov, S. A. Smagulova. Light-assisted recharging of graphene quantum dots in fluorographene matrix, Journal of Applied Physics 116, 134310 (2014); doi: 10.1063/1.4897231 .
7. M.N. Kozlova, Yu. V. Mironov, E.D. Grayfer, A.I. Smoletsev, V.I. Zaikovskii, N.A. Nebogatikova, T.Yu. Podlipskaya, V.E. Fedorov. Synthesis, Crystal Structure and Colloidal Dispersions of Vanadium Tetrasulfide VS4. Chemistry - A European Journal, Volume 21, Issue 12, pages 4639–4645, March 16, 2015. DOI 10.1002/chem.201406428
8. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, I.I. Kurkina, G.N. Aleksandrov, V.B. Timofeev, S.A. Smagulova, E.R. Zakirov, V.G. Kesler. Fluorinated graphene dielectric films obtained from functionalized graphene suspension: preparation and properties. DOI: 10.1039/C4CP04646C. Physical Chemistry Chemical Physics, 2015, 17, 13257 - 13266
9. И.В. Антонова, И.А.Котин, Н.А.Небогатикова, В.Я. Принц, «Самоформирующиеся латеральные гетероструктуры на основе графена с возможностью модуляции тока на 4-5 порядков», Письма в Журнал технической физики, 2015, том 41, выпуск 19, стр. 64-72.
10. I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, V.Ya. Prinz, Chemical functionalization as an approach for the creation of arrays of graphene quantum dots embedded in dielectric matrix, book "Chemical Functionalization of Carbon Nanomaterials: Chemistry and Applications". section: Chemical Functionalization of Carbon Nanomaterials: Structure and Synthesis. CRC Press, Taylor & Francis Group, ISBN 9781482253948, 976 Pages, Eds V.K.Thakur, M.K. Thakur, pp 430-453, 2015.
11. Графеновые суспензии для 2D печати, Р.А. Соотс, Е.А. Якимчук, Н.А. Небогатикова, И.А. Котин, И.В. Антонова, «Письма в Журнал технической физики». Год 2016, том 42, выпуск 8, стр. 102 - 110.
12. Resistive switching effect and traps in partially fluorinated graphene films, Kurkina, Irina; Antonova, Irina; Nebogatikova, Nadezhda; Kapitonov, Albert; Smagulova, Svetlana. Journal of Physics D: Applied Physics. 2016, 49, 095303. DOI 10.1088/0022-3727/49/9/095303
13. I. V. Antonova, N. A. Nebogatikova, and V. Ya. Prinz. Fluorinated graphene films with graphene quantum dots for electronic applications, Journal of Applied Physics, 119, 224302 (2016); doi: 10.1063/1.4953239.
14. Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Kurkina, I. I., Soots, R. A., Vdovin, V. I., Timofeev, V. B., Smagulova, S. A., Prinz, V. Ya. (2016). Fluorinated graphene suspension for inkjet printed technologies. Nanotechnology, 27(20), 205601. DOI 10.1088/0957-4484/27/20/205601
15. Antonova I.V., Kurkina I.I., Nebogatikova N.A., Komonov A.I., Smagulova S.A. Films fabricated from partially fluorinated graphene suspension: structural, electronic properties and negative differential resistance. 2016, Nanotechnology, 28(7), 074001, DOI
16. Antonova Irina V, Nebogatikova Nadezhda A. Chapter "Fluorinated graphene dielectric and functional layers for electronic applications" in the book "Graphene Materials - Advanced Applications". Book edited by George Z. Kyzas and Athanasios Ch. Mitropoulos, ISBN 978-953-51-3142-7, Print ISBN 978-953-51-3141-0, Published: May 17, 2017 under CC BY 3.0 license ссылка
17. DFT study and experimental evidence for the sonication induced cleavage of molybdenum sulfide Mo2S3 in liquids. Mariia Kozlova, Andrey Enyashin, Ekaterina Grayfer, Vitalii A. Kuznetsov, Pavel Pluysnin, Nadezhda Aleksandrovna Nebogatikova, Vladimir I. Zaikovskii and Vladimir E. Fedorov. Journal of Materials Chemistry C, DOI 10.1039/C7TC01320E, IF 5.006.
18. Козлова М.Н.1, Артемкина С.Б. 1,2, Подлипская Т.Ю.1, Das M.R3, Федоров В.Е.1,2. Коллоидные дисперсии дисульфида молибдена с узким мономодальным распределением частиц по размерам, Известия АН. Серия химическая, номер 6, 2017. M. N. Kozlova, S. B. Artemkina, T. Yu. Podlipskaya, N. A. Nebogatikova, M. R. Das, and V. E. Fedorov Colloidal dispersions of molybdenum disulfide with a narrow particle size distribution Russian Chemical Bulletin, International Edition, Vol. 66, No. 6, pp. 963—968, 2017
19. N.A. Nebogatikova, P.V. Fedotov, V.I. Vdovin, A.I. Komonov, I.V. Antonova, and E.D. Obraztsova, Optical and electronic properties of the partially fluorinated graphene suspensions and films, Journal of material science. IF 2.3
20. Иванов А.И., Небогатикова Н.А., Куркина И.И., Антонова И.В. Механизм резистивных переключений в плeнках на основе частично фторированного графенаФизика и техника полупроводников, 2017, выпуск 10, стр. 1357. DOI: 10.21883/0000000000. IF 0.8.
21. Ivanov A.I., Nebogatikova N.A., Kotin I.A., Antonova I.V. Two-layer and composite films based on oxidized and fluorinated graphene, Physical Chemistry Chemical Physics, 2017, DOI: 10.1039/C7CP03609D IF 4.123

СОТРУДНИКИ

Комонов Александр Иванович

инженер

тел. 333-06-99

504 ЛТК

e-mail:

Образование:
2010 - Новосибирский государственный технический университет, факультет радиотехники и электроники

Опыт работы:
2007 - по настоящее время — инженер ИФП СО РАН

Область научных интересов:
Сканирующая туннельная микроскопия, атомно-силовая микроскопия, локальное зондовое окисление, графен, наноматериалы, трёхмерные наноструктуры.

Избранные публикации:

Монографии, главы монографий, обзоры:

1. E.B. Grokhov, K.A. Astankova, A.I. Komonov, A. I. Kuznetsov, GeO2 Films with Ge-Nanoclusters in Layered Compositions: Structural Modifications with Laser Pulses, Laser Pulses - Theory, Technology, and Applications, Igor Peshko (Ed.), InTech, 2012

Статьи

1. S.B. Artemkina, T.Y. Podlipskaya, A.I. Bulavchenko, A.I. Komonov, Y.V. Mironov, V.E. Fedorov, Preparation and characterization of colloidal dispersions of layered niobium chalcogenides, Colloids and Surfaces A Physicochemical and Engineering Aspects, v.461, pp. 30–39,2014
2. V.E. Fedorov, S.B. Artemkina, E.D. Grayfer, N.G. Naumov, Y.V. Mironov, A.I. Bulavchenko, V.I. Zaikovskii, I.V. Antonova, A.I. Komonov, M.V. Medvedev, Colloidal solutions of niobium trisulfide and niobium triselenide, J. Mater. Chem. C, v.2, №28, 5479-5486, 2014
3. I. V. Antonova, S. V. Golod, R. A. Soots, A. I. Komonov, V. A. Seleznev, M. A. Sergeev, V. A. Volodin, V. Ya. Prinz, Comparison of various methods for transferring graphene and few layer graphene grown by chemical vapor deposition to an insulating SiO2/Si substrate, Semiconductors, v.48, № 6, pp. 804-808, 2014
4. N.A. Nebogatikova, I.V.Antonova, A.I.Komonov, V.Ya.Prinz, Producing arrays of graphene and few-layer graphene quantum dots in a fluorographene matrix, Optoelectronics instrumentation and data processing, v. 50, №3, pp. 298-303, 2014
5. I.A.Kotin, I.V.Antonova, A.I.Komonov, V.A.Seleznev, R.A.Soots, V.Ya.Prinz, High carrier mobility in chemically modified graphene on an atomically flat high-resistive substrate, Journal of Physics D: Applied Physics, v.46, №28, p.285303, 2013

СОТРУДНИКИ

Антонова Ирина Вениаминовна

ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н.

тел. 333-06-99

515 ЛТК

e-mail:

Образование:
1979 - Новосибирский электротехнический институт, физико-технический факультет
1990 - кандидатская диссертация «Исследование неоднородностей в распределении дефектов и примесей в кремнии»
2009 - докторская диссертация «Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях»

Опыт работы:
1979-1981 – стажировка в Институте физико-химических основ переработки минерального сырья СО РАН;
1981-1985 – аспирантура Института физики полупроводников СО РАН (ИФП СО РАН);
1985-2003 – инженер, младший научный сотрудник, научный сотрудник, старший научный сотрудник ИФП СО РАН;
2003 - по настоящее время — ведущий научный сотрудник ИФП СО РАН.

Трудовая деятельность: работает в ИФП СО РАН с 1977 года.
В настоящее время Антонова И.В. работает в должности ведущего научного сотрудника лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур (№ 7), где руководит группой, занимающейся физикой и технологией графена и гетероструктур на его основе.

Научная деятельность:
Вопросы материаловедения и электрических свойств кремния, многослойных гетероструктур на его основе, включая структуры кремний-на-изоляторе, массивов нанокристаллов кремния и германия, встроенных в диэлектрической матрице, структур с SiGe квантовыми ямами, электрофизические свойства материалов и гетероструктур: электрически активные центра, уровни размерного квантования, процессы захвата и выброса носителей с локализованных состояний, электрическая пассивация поверхности полупроводников и наноструктур, исследование транспортных характеристик и механизмов протекания тока, влияние высокого гидростатического давления на процессы в полупроводниковых материалах, радиационные эффекты в материалах, эффекты, связанные с облучением ионами высоких энергий.

В последние годы под руководством Антоновой И.В. активно ведутся работы по созданию и исследованию графена и мультиграфена, химической функционализации графена для получения новых материалов с широким спектром электронных свойств, создаются и исследуются гетероструктуры на основе графена. Показана возможность создавать на основе функционализированного графена и мультиграфена новых материалов перспективных для электронных приложений благодаря сочетанию в них высокой проводимости, подвижности носителей и возможности модулировать проводимость на 3-4 порядка напряжением на затворе в транзисторных структурах. Накоплен богатый опыт по исследованию свойств и структуры наноматериалов (в том числе материалов на основе графена) методами атомно-силовой микроскопии, электронной микроскопии, комбинационного рассеяния света, исследованию электрических характеристик монослойных материалов. Кроме того, нужно отметить опыт работ с гибридными структурами, органическими монослойными покрытиями и т.д.

Найден оригинальный, простой и технологичный способ фторирования графена и формирования квантовых точек графена в изолирующей матрице фторографена. Исследована электронная структура самоформирующихся массивов квантовых точек и зависимости этих параметров от условий их формирования. Проведены первые измерения методом зарядовой спектроскопии (Q-DLTS) на слоях с квантовыми точками графена и определена система уровней для квантовых точек разной толщины от монослоя до 3 нм. Обнаружено, что меняя толщину квантовых точек можно на несколько порядков (до 4 порядков) менять время релаксации неравновесного заряда с квантовых точек. Такое уникальное свойство полученных точек (представляющее интерес для элементов энергонезависимой памяти) предположительно связано с формой барьеров фторированной части пленки. Исследования спектров фотолюминесценции для суспензии или пленок с квантовыми точками показали, что данные Q-DLTS прекрасно коррелируют с оптическими измерениями.

В последнее время ведутся работы по использованию 2D печати на гибких и твердых подложках для создания приборных структур на струйном принтере Dimatix FUJIFILM DMP-2831. В частности напечатаны и исследованы тестовые элементы резистивной памяти с металлическими контактами и функциональным слоем между ними (структуры типа кроссбары), которые продемонстрировали стабильные переключения сопротивления. Кроме того под руководством Антоновой И.В. ведутся работы в области создания и исследования графеновых чернил с широким диапазоном электрических свойств – от проводящих от диэлектрических. Подобные чернила особенно востребованы в областях гибкой и печатной электроники.

Педагогическая деятельность:
С 2012 г. Антонова И.В. читает курс лекций для студентов 5 курса НГТУ «Микро- и наносистемы в технике и технологии» и отдельные лекции по графену и его применению для студентов и сотрудников лаборатории «Графеновая электроника» СВФУ (Якутск).

Избранные публикации:
На конец 2021 ею опубликовано 242 статьи. Суммарное цитирование работ И.В. Антоновой составляет более 1578 по данным сайта WEB of Knowledge (индекс Хирши составляет 19) и около 2094 по данным сайта научной электронной библиотеки (индекс Хирша составляет 22).

Монографии, главы монографий, обзоры:

1. I.V.Antonova, N.A.Nebogatikova, chapter 11 Fluorinated graphene dielectric and functional layers for electronic applications, in «Graphene Materials - Advanced Applications», book edited by G. Z. Kyzas and A.Ch. Mitropoulos, ISBN 978-953-51-3142-7, Print ISBN 978-953-51-3141-0, Published: May 17, 2017, INTECH. pp. 211-230
2. И.В.Антонова, 2D печатные технологии материалами на основе графена Успехи физ наук 187 (2) 220-234, 2017. DOI: 10.3367/UFNr.2016.03.037783.
3. I.V.Antonova, V.Ya.Prinz, Benefits of few-layer graphene for applications Chapter 30 in Handbook of Graphene Science: Vol. 2, Nanostructure and Atomic Arrangement, Taylor and Francis Books - CRC press, 6 томов – 2768 стр, ISBN-13: 978-1466591189, pp 475 - 492, 2016.
4. И.В.Антонова Вертикальные гетероструктуры на основе графена и других монослойных материалов, ФТП, 30(1), 67-82, 2016.
5. I.V. Antonova, Non-Organic Dielectric Layers for Graphene and Flexible Electronics, International Journal of Nanomaterials, Nanotechnology and Nanomedicine, 2(1) 0.18-0.24, 2016
6. И.В.Антонова, Современные тенденции развития технологий роста графена методом CVD на медных подложках, Успехи физических наук, 183 1115–1122 (2013) скачать
7. I.V. Antonova, Electrical Properties of Semi-Conductor Nanocrystals and Quantum Dots in Dielectric Matrix, in “Nanocrystals and Quantum Dots of Group IV Semiconductors”, ed. T.V.Torchynska and Yu.V.Vorobiev, American Scientific Publisher, Chapter 4, 151 -189, 2010
8. I.V. Antonova, Si nanocrystal arrays created in SiO2 matrix by high-energy ion bombardment, chapter 8 in book Ion Implantation, ISBN 978-953-308-3-1, pp. 153-182, 2012.

Статьи:

2022

1. N.P.Stepinaa, V.A.Golyashova, A.V.Nenasheva, O.E.Tereshchenkoa, K.A.Kokhc, V.V.Kirienkoa, E.S.Kopteva,b, M.G.Rybind, E.D.Obraztsovad and I.V.Antonovaa, Weak antilocalization to weak localization transitionin Bi2Se3 films on graphene, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructure, 135, 114969, 2022

2021

1. A.I. Ivanov, V.Ya. Prinz, I.V. Antonova, A.K. Gutakovskii Resistive switchings on individual V2O5 nanoparticles encapsulated in fluorinated graphene films. Phys. Chem. Chem. Phys. 2021, 23, 20434.
2. Shojaei, S., Antonova, I.V., Yakimchuk, E, Esfahlan, S. M. S. Robust electrical current modulation in functionalized graphene channels, J. Mater. Sci. Mater. in Electron. 32(2) 2021, 1641-1649
3. I.V. Antonova, M. B. Shavelkina, D.A. Poteryaev, N.A. Nebogatikova, A.I. Ivanov, R.A. Soots, A.K. Gutakovskii, I.I. Kurkina, V.A. Volodin, V.A. Katarzhis, P.P. Ivanov, A.N. Bocharov, Graphene / hexagonal boron nitride composite nanoparticles for 2D printing technologies, Advanced Engineering Materials, doi.org/10.1002/adem.202100917
4. Nikolaev, D.V.; Evseev, Z.I.; Smagulova, S.A.; Antonova, I.V. Electrical Properties of Textiles Treated with Graphene Oxide Suspension. Materials 2021, 14, 1999
5. I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, N.P.Stepina, V.A.Volodin, V.V. Kirienko, M.G.Rybin, E.D.Obrazstova, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko Growth of Bi2Se3/graphene heterostructures with the room temperature high carrier mobility J Mater Sci (2021) 56: 9330–9343

2020

1. I.V Antonova, N A Nebogatikova, K A Kokh, D A Kustov, R A Soots, V A Golyashov, O E Tereshchenko, Electrochemically exfoliated thin Bi2Se3 films and van der Waals heterostructures Bi2Se3/graphene, Nanotechnology, 31, 125602(7), 2020
2. A.Paddubskaya, D.Rutkauskas, R.Karpicz, G.Dovbeshko, N. Nebogatikova, I. Antonova, A. Dementjev, Recognition of Spatial Distribution of CNT and Graphene in Hybrid Structure by Mapping with Coherent Anti-Stokes Raman Microscopy, Nanoscale Research Letters (2020), 15, 37(7).
3. I. Antonova, N. Nebogatikova, N. Zerrouki, I. Kurkina, A. Ivanov, Flexibility of Fluorinated Graphene‐Based Materials, Materials 2020, 13, 1032
4. Irina V. Antonova, Marina B. Shavelkina , Artem I. Ivanov, Regina A. Soots, Peter P. Ivanov and Alexey N. Bocharov, Graphene Flakes for Electronic Applications: DC Plasma Jet-Assisted Synthesis, Nanomaterials 2020, 10, 2050
5. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.A. Demin, D.G. Kvashnin, A. Olejniczak, E.A. Korneeva, P.L.J. Renault, A.V. Skuratov, L.A.Chernozatonskii, Strong structural and electric changes in fluorinated graphene films under high-energy ions irradiation, Nanotechnology, 319(29), 295602, 2020
6. S.A. Smagulova, P.V. Vinokurov, A.A. Semenova, E.I. Zakharkina, F.D. Vasilieva, E. D. Obraztsova, P.V. Fedotov, I.V. Antonova, Investigation of the properties of two-dimensional MoS2 and WS2 films synthesized by the CVD method, Semiconductor, 54(4), 454-464, 2020
7. K.A. Kokh, N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, D.A. Kustov, V.A. Golyashov, E.S. Goldyreva, N.P. Stepina, V.V. Kirienko, O.E. Tereshchenko, Vapor growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se crystals on mica, Materials Research Bulletin, 129, 2020, 110906

2019

1. Olejniczak, N.A. Nebogatikova, A.V. Frolov, M. Kulik, I.V. Antonova, V.A. Skuratov. Swift heavy-ion irradiation of graphene oxide: localized reduction and formation of sp-hybridized carbon chains. Carbon, 141, (2019) 390-399
2. I.V. Antonova, I.I. Kurkina, A.K. Gutakovskii, I.A. Kotin, A.I. Ivanov, N.A. Nebogatikova, R.A. Soots, S.A. Smagulova Fluorinated graphene suspension for flexible and printed electronics: flakes, films, and heterostructures, Materials & Design, 164, 107526, 2019
3. A.I. Ivanov, N.A. Nebogatikova, I.A. Kotin, I.V. Antonova, S.A. Smagulova Threshold Resistive Switching Effect in Fluorinated Graphene Films with Graphene Quantum Dots Enhanced by Polyvinyl Alcohol, Nanotechnology 30, 255701, 2019
4. E. Yakimchuk, V. Volodin, I. Antonova, New graphene derivative with N-methylpirrolidone: suspension, structural, optical and electrical properties, Phys. Chem. Chem. Phys., 21, 12494, 2019
5. A.I. Ivanov, A.K. Gutakovskii, I.A. Kotin, R.A. Soots, I.V. Antonova, Resistive Switching Effect with ON/OFF current relation up to 109 in 2D Printed Composite Films of Fluorinated Graphene with V2O5 Nanoparticles, Advanced Electronic Materials, 2019, 5(10), 1900310
6. V.I. Popov, I.A. Kotin, N.A. Nebogatikova, S.A. Smagulova, I.V. Antonova Graphene–PEDOT: PSS humidity sensors for high sensitive, low-cost, highly-reliable flexible and printed electronics, Materials, 2019, 12, 3477

2018

1. G. Cherevko, Y.V. Morgachev, I. A. Kotin, E.A. Yakimchuk, R.A. Soots, I.V. Antonova, Graphene antenna on a biodegradable substrate for GSM frequency range of cellular operators, 2018 14th International scientific - technical conference on actual problems of electronic instrument engineering (APEIE) – 44894 proceedings, p 312 – 314, 978-1-5386-7054-5/18/$31.00 ©2018 IEEE
2. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, S.V. Erohin, D.G. Kvashnin, A. Olejniczak, V.A. Volodin, A.V. Skuratov, A.V. Krasheninnikov, P.B. Sorokin, L.A. Chernozatonksii, Nanostructured few-layer graphene films with interlayer edge reconstructions for electronic applications, Nanoscale, 2018, 10, 14499-14509.
3. E. Yakimchuk, R. Soots, I. Antonova, Stability of graphene suspensions in an aqueous based multi-component medium, Advanced Material Letters, 2018, 9(3), 211-215.
4. F.D. Vasilieva, A.N. Kapitonov, E.A. Yakimchuk, I.A. Kotin, S.A.Smagulova, I.V. Antonova, Mildly oxidized graphene oxide suspension for printed technologies, Mater. Res. Express, 5 065608, 2018

2017-2007

1. I.V. Antonova, I.I. Kurkina, N.A. Nebogatikova, A.I. Komonov, S.A. Smagulova, Films fabricated from partially fluorinated graphene suspension: structural, electronic properties and negative differential resistance, Nanotechnology, 27, 074001(10), 2017.
2. V.I. Popov, D.V. Nikolaev, V.B. Timofeev, S.A. Smagulova, I.V. Antonova Graphene Based Humidity Sensors: The Origin of Alternating Resistance Change, Nanotechnology 28 (2017) 355501
3. A.I. Ivanov, N.A.Nebogatikova, I.A.Kotin, I.V.Antonova Two-layer and composite films based on oxidized and fluorinated graphene Phys. Chem. Chem. Phys. 19, 19010 – 19020, 2017
4. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, I.I. Kurkina, R.A. Soots, V.I. Vdovin, V.B Timofeev, S.A.Smagulova, V.Ya Prinz Graphene flakes fragmentation in suspension in the course of fluorination, Nanotechnology, 27 205601, 2016
5. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, I.I. Kurkina, G.N. Aleksandrov, V.B. Timofeev, S.A.Smagulova, E.R. Zakirov, V.G. Kesler, Fluorinated graphene dielectric films obtained from functionalized graphene suspension: preparation and properties, Physical Chemistry Chemical Physics, 2015, 17, 13257 - 13266
6. N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V.Ya. Prinz, V.B. Timofeev, S.A. Smagulova, Graphene quantum dots in fluorographene matrix formed by means of chemical functionalization, Carbon, 77, 1095-1103, 2014.
7. I.V. Antonova, N.A. Nebogatikova, V.Ya. Prinz, Self-organized arrays of graphene and few-layer graphene quantum dots in fluorographene matrix: formation of quantum dots and charge spectroscopy, Appl. Phys. Lett. 104 (19), 193108(5), 2014.
8. N A Nebogatikova, I V Antonova, V A Volodin, V Ya Prinz, Functionalization of graphene and few-layer graphene with an aqueous solution of hydrofluoric acid, Physica E, 52, 106-111, 2013.
9. I.V.Antonova, I.A.Kotin, R.A.Soots, V.A.Volodin, V.Ya.Prinz Tunable Properties of Few-Layer Graphene - N-methylpyrrolidone Hybrid Structures Nanotechnology, 23, 315601, 2012.
10. I.V Antonova, S.V. Mutilin, V.A. Seleznev, R.A. Soots, V.A.Volodin, V.A. Prinz, Extremely High Response of Electrostatically Exfoliated Few-Layer Graphene to Ammonia Adsorption, Nanotechnology, 22, 285502, 2011.
11. I.V. Antonova, A.G. Cherkov, V.A. Skuratov, M.S. Kagan, J. Jedrzejewski, I. Balberg, Low-dimensional effects in a three-dimensional system of Si quantum dots modified by high-energy ion irradiation, Nanotechnology, 20, 185401, 2009.
12. I.V. Antonova, E.P. Neustroev, S.A. Smagulova, M.S. Kagan, P. S. Alekseev, S.K. Ray, N. Sustersic, J. Kolodzey, Deep Level Spectroscopy studies of confinement levels in SiGe quantum wells, J. Appl. Phys., 106, 084903, 2009.
13. I.V. Antonova , M.B. Gulyaev, E. Savir, J. Jedrzejewski I. Balberg Charge storage, photoluminescence and cluster statistics in ensembles of Si quantum dots, Phys. Rev.B, 77, 125318, 2008.
14. I.V. Antonova, R.A. Soots, M.B.Guliaev, V.Ya.Prinz, Miron S. Kagan, J. Kolodzey, Electrical passivation of Si/SiGe/Si structures by 1-octadecene monolayers, Appl. Phys. Let., 91, 102116, 2007.