Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе соединений А2В6

КОНТАКТЫ

Заведующий лабораторией:

к.ф.-м.н. Георгий Юрьевич Сидоров
Тел.: (383) 330-10-82, вн. 1322
E-mail:

Адрес:

г. Новосибирск, ул. Пирогова, 30
Термостатированный корпус ИФП СО РАН,
к. 112, 113, 115, 208, 224, 312, 313, 319, 341, 350
телефоны: (383) 330-10-82 вн.1322, 330-89-60 вн.1383

Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе соединений А2В6

ИСТОРИЯ

Для разработки технологии изготовления фотоприемников на основе КРТ по инициативе К.К.Свиташева в 1989 году была организована межотраслевая физико-технологическая лаборатория (МФТЛ) в НПО "Восток". Располагалась лаборатория в термокорпусе ИФП. Основные задачи - разработка низкотемпературных технологических процессов при создании фотодиодов. Особая проблема это формирование границы раздела КРТ - диэлектрик. На базе МФТЛ в 1990 году была организована в нашем институте лаборатория № 28 под руководством В.В.Васильева.

Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе соединений А2В6

ПУБЛИКАЦИИ

Количество статей за последние 5 лет – 36
статьи в рецензируемых журналах – 26, Тезисы конференций – 27, (10 приглашенных докладов).

статьи в журналах   тезисы конференций

  1. З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Д.А. Козлов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, И.О. Парм. Двумерный полуметалл и экситонный диэлектрик в квантовых ямах HgTe. IX российская конференция по физике полупроводников, Тезисы, Новосибирск-Томск, 28.09–03.10.2009, С. 87.
  2. Yu.P. Mashukov, N.N. Mikhailov, V.V. Vasiliyev. The electrical characteristics of n-type CdTe-HgCdTe structure grown in single MBE process. 14th International Conference on II-VI Compounds, Program and Abstracts, St.Petersburg, Russia, August 24-28, 2009, P. 316.
  3. V.V. Vasiliev, A.V. Predein, V.S. Varavin, I.V. Sabinina, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.P. Reva, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, A.O. Suslyakov, A.G. Klimenko. Linear 288×4 LWIR MCT detector. The 2009 E-MRS Fall Meeting, Symposium D, September 14-18, Warsaw, Book of Abstract, p. 86.
  4. V.V. Vasiliev, A.V. Predein, V.S. Varavin, I.V. Sabinina, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, I.V. Marchishin, A.G. Klimenko. Matrix 320×256 infrared long wavelength detector with inner short wavelength cut-off filter. The 2009 E-MRS Fall Meeting, Symposium D, September 14-18, Warsaw, Book of Abstract, p. 88.
  5. A.V. Predein, V.V. Vasiliev. An investigation of gold and nickel contacts to MBE grown p-type MCT. 14th International Conference on II-VI Compounds, Program and Abstracts, St.Petersburg, Russia, August 24-28, 2009, P. 317.
  6. A.V. Vishnyakov, V.S. Varavin, M.O. Garifullin, A.V. Predein, V.G. Remesnik, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov. Effect of post-implantation annealing on the current-volage characteristics of IR photodiodes based on the p-CdxHg1-xTe. 14th International Conference on II-VI Compounds, Program and Abstracts, St.Petersburg, Russia, August 24-28, 2009, P. 322.
  7. А.В. Предеин, В.В. Васильев. Особенности изгиба зон на поверхности варизонного Hg1-xCdxTe. 21-я Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, с. 171, Москва, 25-28 мая 2010. Тезисы докладов.
  8. М.В. Якушев, В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин, А.О. Сусляков, А.Л. Асеев, Е.В. Дегтярев, Д.В. Рябчиков. Гетероструктуры HgCdTe, выращенные методом МЛЭ для мегапиксельных инфракрасных фотоприемников. 21-я Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, с. 13, Москва, 25-28 мая 2010. Тезисы докладов.
  9. А.А. Гузев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, Н.Н. Михайлов, З.В. Панова, И.О. Парм, Ю.Г. Сидоров. Свойства МДП-структур на основе КРТ с широкозонными пассивирующими слоямиZnTe/CdTe. 21-я Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, с. 91, Москва, 25-28 мая 2010. Тезисы докладов.
  10. Ф.Ф. Сизов, В.В. Васильев, В.П. Рева, А.Г. Голенков, В.В. Забудский, И.В. Сабинина, С.В. Коринец. 21-я Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, с. 122, Москва, 25-28 мая 2010. Тезисы докладов.
  11. А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, С.Н. Несмелов, В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, Ю.П. Машуков, М.В. Якушев. Электрические характеристики МДП-структур на основе ГЭС HgCdTEМЛЭ с неоднородным распределением состава. 21-я Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, с. 166, Москва, 25-28 мая 2010. Тезисы докладов.
  12. В.В. Васильев. Инфракраснаые фотоприемники 2 поколения на основе гетероструктур HgCdTe/CdZnTe/GaAS с варизонными слоями HgCdTe. Научно-практическая конференция «Прикладная оптоэлектроника», с. 62, 20-21 мая 2010 г., Вологда. Сборник тезисов докладов участников конференции.
  13. Новоселов А.Р. Лазерное скрайбирование фоточувствительных элементов на основе МЛЭ КРТ//Тезисы докладов 21-я Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. стр. 172, 25-28 мая 2010 г., г. Москва.
  14. А.В. Предеин, В.В. Васильев, И.В. Сабинина, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров. Двухцветный фотодиод на основе слоев ГЭС МЛЭ КРТ. Тезисы, Российская конференция Фотоника 2011, с. 115, Новосибирск 22- 26 августа 2011.
  15. В.С. Варавин, М.О. Гарифуллин, И.О. Парм, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров. Влияние плазмохимического травления на свойства CdHgTe. Тезисы, Российская конференция Фотоника 2011, с. 83, Новосибирск, 22-26 августа 2011.
  16. М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин, И.В. Марчишин, А.Л. Асеев. Полноформатный фотоприемный модуль на основе гетероструктур CdHgTe/Si(310), выращенных методом МЛЭ. Тезисы, Российская конференция Фотоника 2011, с. 15, Новосибирск 22-26 августа 2011.
  17. Н.Н. Михайлов, Д.В. Брунев, В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, А.В. Предеин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.О. Сусляков. Двухспектральные гетероэпитаксиальные структуры HgCdTe и фотоприемные устройства на их основе. Тезисы, Российская конференция Фотоника 2011, с. 49, Новосибирск 22-26 августа 2011.
  18. В.В. Быков, В.В. Васильев, П.П. Добровольский, Ю.М. Корсаков, В.Н. Федоринин, Вл.В. Васильев, Ю.Г. Сидоров, А.О. Сусляков. Тепловизионный прибор на основе интегрального ФПУ отечественного производства с изменяемым полем зрения. Тезисы, Российская конференция Фотоника 2011, с. 74, Новосибирск 22-26 августа 2011.
  19. И.О. Парм, Ю.П. Машуков, Е.В. Федосенко, В.В. Васильев. Формирование границы раздела диэлектрик-полупроводник для тройного соединения теллурид кадмия ртути в процессе низкотемпературного синтеза диоксида кремния. Тезисы, Российская конференция Фотоника 2011, с. 126, Новосибирск, 22-26 августа 2011.
  20. В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Вергилес, А.В. Голицын, С.А. Дворецкий, П.П. Добровольский, Г.Е. Жуков, Ю.Л. Кравченко, И.И. Кремис, В.А. Моисеев, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, Ю.Ф. Тетерятник, Л.В. Тимин, А.В. Турбин, Т.Н. Хацевич, М.Ю. Цивинский, С.Д. Чибурин, В.Б. Шлишевский, Т.В. Яшина. Унифицированные модули и тепловизионные каналы на отечественных и импортных матрицах. Тезисы, Российская конференция Фотоника 2011, с. 144, Новосибирск, 22-26 августа 2011.
  21. M.V. Yakushev, V.S. Varavin, V.V. Vasilyev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mihaylov, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets, A.L. Aseev. HgCdTe nanoheteroepitaxial structures on GaAs and Si substrates for infrared and terahertz detectors, Приглашенный доклад, Международный форум по нанотехнологиям “Rusnanotech 2011”, Москва, 26-28 октября 2011 г.
  22. G. Ribette, G. Lecarpentier, Ефимов В.М., Сидоров Г.Ю., Курышев Г.Л., Сидоров Ю.Г. Новейшие средства гибридизации охлаждаемых инфракрасных фотодетекторов. Труды XXII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения 2012, стр. 20-22, Москва, Россия.
  23. Сорочкин А.В., Варавин В.С., Предеин А.В., Сабинина И.В., Якушев М.В. Фотоэлектрические характеристики диодов на основе HgCdTe/Si(310). XXII МНТК по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 22-25 мая 2012. Труды конференции.
  24. Предеин А.В., Васильев В.В. Измерение диффузионной длины неравновесных носителей в гетероэпитаксиальных структурах Hg1-xCdxTe с планарными фотодиодами. XXII МНТК по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 22-25 мая 2012. Труды конференции.
  25. Михайлов Н.Н., Брунев Д.В., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Икусов Д.Г., Предеин А.В., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сидоров Ю.Г., Сусляков А.О., Асеев А.Л. Двухспектральные фотоприемные устройства на основе HgCdTe. XXII МНТК по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 22-25 мая 2012. С. 11-12. Труды конференции.
  26. А.Р. Новоселов, А.Г. Клименко. Формирование лазерным излучением токоведущих дорожек на сапфировой плате межсоединений для ИК ФПУ. Труды XXII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. Москва, 2012, С. 182-183.
  27. Якушев М.В., Брунев Д.В., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сорочкин А.В., Марчишин И.В., Асеев А.Л. Фотоприемный модуль формата 640х512 на основе гетероструктур CdHgTe/Si(310), выращенных методом МЛЭ. Труды XXII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. Москва, 2012, С. 14-15.

Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе соединений А2В6

ПРОЕКТЫ
  1. Разработка технологии и создание матричных фотоприемников 3 поколения

    • двухцветных матричных фотоприемников на спектральный диапазон 3-5 мкм и 8-12 мкм

    • полноформатных матричных фотоприемников с форматом более 640×480

  2. Исследование путей создания и разработка конструкции чувствительных элементов с длинноволновой границей спектральной чувствительности 12.5 мкм и более.

  3. Разработка и изготовление матричных фотоприемников с шагом между пикселями 20 мкм, а в перспективе – 15 мкм.

  4. Разработка специальных базовых технологических процессов для изготовления фоточувствительных элементов на основе КРТ.

    • формирование разновысоких индиевых столбиков

    • разработка и оптимизация технологии сухого травления КРТ

    • разработка процессов пассивации поверхности КРТ на новой установке Oxford Plasmalab ICP - ALD

    • разработка новой технологии изготовления фотодиодов p-n на слоях n- типа проводимости с низкой величиной темновых токов и низким уровнем дефектных элементов и повышенной рабочей температурой. Отработка процессов ионного легирования слоев КРТ мышьяком с помощью ионного имплантера IMC-200.

Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе соединений А2В6

ПУБЛИКАЦИИ

Количество статей за последние 5 лет – 36
статьи в рецензируемых журналах – 26, Тезисы конференций – 27, (10 приглашенных докладов).

статьи в журналах   тезисы конференций

  1. В. Андреева, В.С. Варавин, В.В. Васильев, Ж.В. Гуменюк-Сычевская, С.А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, З.Ф. Цибрий, Ф.Ф. Сизов. Сравнение токовых характеристик фотодиодов, сформированных на пленках HgCdTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии для спектрального диапазона 8-12 мкм. Оптический журнал, т. 76, № 12, 2009.
  2. В.В. Васильев, А.В. Предеин, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.П. Рева, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, Ф.Ф. Сизов, А.О. Сусляков, А.Л. Асеев. Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом ВЗН. Оптический журнал, т. 76, № 12, 30-35, 2009.
  3. В.В. Васильев, В.С.Варавин, С.А. Дворецкий, И.В Марчишин, Н.Н. Михайлов, А.В. Предеин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.О. Сусляков. Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром. Оптический журнал, т. 76, № 12, 36-41, 2009.
  4. Войцеховский А.В., Васильев В.В., Григорьев Д.В., Романов И.В. Оценка возможности определения электрофизических характеристик CdxHg1-xTe p+-n-структур методом дифференциальных холловских измерений // Известия вузов. Физика, 5, С. 3-8, 2009.
  5. Гуменюк-Сычевская Ж.В., Забудский В.В., Лысюк И.А., Сизов Ф.Ф., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г. «Механизмы токопереноса фотодиодов на основе ГЭС КРТ МЛЭ для спектрального диапазона 8—12 мкм». Прикладная физика, № 2, 2009, с.64-68.
  6. Якушев М.В., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Захарьяш Т.И., Козлов А.И., Сидоров Ю.Г., Фомин Б.И., Асеев А.Л., Виноградов А.В., Дегтярев Е.В. «Разработка элементов технологии монолитного инфракрасного фотоприемника». Прикладная физика, № 2, 2009, с. 120-126.
  7. Вишняков А.В., Варавин В.С., Гарифуллин М.О., Предеин А.В., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю. «Исследование влияния постимплантационного отжига на вольт-амперные характеристики ИК фотодиодов на основе p-CdHgTe». Автометрия, 45, 4, 32-40, 2009.
  8. М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин, А.О. Сусляков. Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников. Автометрия, 45, 4, с.23-31, 2009.
  9. Протасов Д.Ю., Костюченко В.Я., Павлов А.В., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н. «Определение нормальной и латеральной компонент темнового тока n-p-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур p-CdxHg1-xTe с x=0.22». Письма в ЖТФ, 2009, том 35, выпуск 12, с.32-37.
  10. М.В. Якушев, В.В. Васильев, Е.В. Дегтярев, С.А. Дворецкий, А.И. Козлов, А.Р. Новоселов, Ю.Г. Сидоров, Б.И. Фомин, А.Л. Асеев Исследование процессов формирования инфракрасного фотоприемника на основе HgCdTe в монолитном исполнении. Оптический журнал т. 76, №12, сс. 55-62, 2009.
  11. А.Г. Клименко, Т.Н. Недосекина, Н.В. Карнаева, И.В. Марчишин, А.Р. Новоселов, В.Н. Овсюк, Д.Г. Есаев «Технология сборки крупноформатных инфракрасных фотоприёмных модулей на индиевых микростолбах», Оптический журнал, Том 76, 12, 2009 г., с. 63-68.
  12. А.Р. Новоселов, И.Г. Косулина. Оперативный метод контроля сборок flip-chip. Автометрия, 2009, Т. 45, № 6, с. 119-122.
  13. Ольшанецкий Е.Б., Квон З.Д., Энтин М.В., Магарилл Л.И., Михайлов Н.Н., Парм И.О., Дворецкий С.А. Процессы рассеяния в двумерном полуметалле. Письма в ЖЭТФ, том 89, вып. 6, стр. 338-342, 2009.
  14. Новоселов А.Р., Предеин А.В., Косулина И.Г., Васильев В.В. «Оптимизация температуры сварки индиевых столбов в методе групповой сборки многоэлементных ФП» Прикладная физика, № 1, 2010.
  15. A.V. Vishnyakov, V.S. Varavin, M.O. Garifullin, A.V. Predein, V.G. Remesnik, I.V. Sabinina, G.Yu. Sidorov. Effect of post-implantation anneal on the current-voltage characteristics of IR photodiodes basd on p-CdxHg1-x. Phys. Status Solidi C, 1-3 (2010).
  16. А.Р. Новоселов, И.Г. Косулина, А.Г. Паулиш, Н.Б. Кузьмин, В.В. Васильев, Н.А. Валишева. Оплавленные индиевые столбы в технологии сборки ИК ФПУ. Прикладная физика, №5, с. 77-80, 2010.
  17. Ю.П. Машуков, Н.Н. Михайлов, В.В. Васильев «Электрические характеристики структуры CdTe – n-CdHgTe, полученной в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии». ФТП, 44(9), стр. 1216 (2010).
  18. Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Васильев В.В., Якушев М.В. «Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика», Известия Вузов. Физика, 2010, 2, С. 40-45.
  19. Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Машуков Ю.П., Якушев М.В. «Фотоэлектрические покрытия МДП-структур на основе материала кадмий-ртуть-теллур, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии», Прикладная физика, 2010, №3, С.119-123.
  20. А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, Ю.П. Машуков, М.В. Якушев, Исследование электрофизических свойств МДП-структур на основе ГЭС КРТ МЛЭ, Прикладная физика, 2010, №6, стр. 102-106.
  21. V.V. Vasiliev, A.V. Predein, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, J.V. Gumenjuk-Sichevska, A.G. Golenkov, V.P. Reva, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, F.F. Sizov, A.L. Aseev. Linear HgCdTe IR FPA 288x4 with bidirectional scanning. Opto-Electr. Review, 18, # 3, p. 338-341 (2010).
  22. V.V. Vasilyev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, I.V. Marchishin, N.N. Mikhailov, A.V. Predein, V.G. Remesnik, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, and A.O. Susliakov. «320×256 HgCdTe IR FPA with a built-in shortwave cut-off filter». Opto-Electronics Review, 2010, v18, №3, p.236-240.
  23. А.В. Предеин, В.В. Васильев. Особенности изгиба зон на поверхности варизонного Hg1-xCdxTe. Прикладная физика, №5, с. 41-47, 2011.
  24. А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, Ю.П. Машуков, М.В. Якушев. Исследование электрофизических свойств МДП-структур на основе ГЭС КРТ МЛЭ. Прикладная физика, №6, с.102-106, 2010.
  25. Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Несмелов С.Н., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Машуков Ю.П., Якушев М.В. Электрические характеристики МДП-структур на основе ГЭС HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава. Прикладная физика, №2, с. 116-122, 2011.
  26. М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин. Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона // ФТП. - 2011. - Т. 45, № 3. - С. 396-402.
  27. М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин, А.О. Сусляков Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры CdHgTe/Si(310) // Письма в ЖТФ. - 2011. - Т. 37, № 4. - С. 1–7.
  28. M.V. Yakushev, V.S. Varavin, V.V. Vasilyev, S.A. Dvoretsky, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, A.V. Sorochkin, A.L. Aseev HgCdTe Heterostructures on Si(310) Substrates for Infrared Photodetectors in Photodiodes world activities in 2011, ed. by Jeong-Woo Park, INTECH, Croatia, p. 367-400.
  29. Книга: V.V. Vasiliev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, I.M. Marchishin, N.N. Mikhailov, A.V. Predein, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, A.L. Aseev. LWIR photodiodes and focal plane arrays based on novel HgCdTe/CdZnTe/GaAs heterostructures grown by MBE technique. Photodiodes - From Fundamentals to Applications, Edited by Ilgu Yun, Janeza Trdine 9, 51000 Rijeka, Croatia, С. 133-172, 2012.
  30. А.Р. Новоселов, И.Г. Косулина. Зависимость размеров «повреждённых» областей вокруг индиевых контактов к p-типу КРТ на GaAs–подложке от температур и времени отжига// Автометрия, 2012, Т. 48, № 6, С. 111-115.
  31. М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин, А.Л. Асеев. Гетероструктуры HgCdTe, выращенные методом МЛЭ на подложках Si(310), для инфракрасных фотоприемников. В книге «Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур», под ред. А.Л.Асеева, Новосибирск, изд. СО РАН, стр. 129-165, 2012.
  32. А.В. Вишняков, В.С. Варавин, М.О. Гарифуллин, А.В. Предеин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров. Исследование влияния постимплантационного отжига на ВАХ ИК-фотодиодов на основе p-CdxHg1-xTe. В книге «Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур», под ред. А.Л.Асеева, Новосибирск, изд. СО РАН, стр. 193-202, 2012.
  33. В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, Н.Н. Михайлов, А.В. Предеин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.О. Сусляков. Матричные фотоприемники 320х256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром. В книге «Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур», под ред. А.Л.Асеева, Новосибирск, изд. СО РАН, стр. 207-215, 2012.
  34. В.В. Васильев, А.В. Предеин, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Д.В. Гуменюк-Сычевская, А.Г. Голенклв, В.П. Рева, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.О. Сусляков, Ф.Ф. Сизов, А.Л. Асеев. Линейчатые фотоприемники формата 288х4 с двунаправленным режимиом ВЗН. В книге «Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур», под ред. А.Л. Асеева, Новосибирск, изд. СО РАН, стр. 215-223, 2012.
  35. А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.В. Васильев, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев. Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-HgCdTe (x=0,21-0,23). Известия ВУЗов. Физика, т. 55, №8, 2012.
  36. А.В. Предеин, Ю.Г. Сидоров, И.В. Сабинина, В.В. Васильев, Г.Ю. Сидоров, И.В. Марчишин, Высококачественные длинноволновые инфракрасные матричные ФПУ формата 320×256 элементов на основе слоев CdHgTe, выращенных методом МЛЭ, Автометрия, т. 49, № 5, с. 78-85, 2013.

Подкатегории