СОТРУДНИКИ
 |
Милёхин Александр Германович заведующий лабораторией, |
Область интересов:
Оптическая спектроскопия полупроводниковых и плазмонных наноструктур, фононный спектр наноструктур, методы колебательной спектроскопии: ИК спектроскопия, включая поверхностно усиленной ИК поглощение (SEIRA), КРС, включая TERS.
 |
Аникин Кирилл Витальевич м.н.с. |
Область интересов:
Моделирование плазмонных свойств металлических наноструктур, эффектов усиления ИК поглощения на фононах полупроводниковых структур, TERS/
 |
Басалаева Людмила Сергеевна м.н.с. |
Область интересов:
Формирование плазмонных структур методом нанолитграфии. Изучение структурных свойств металлических и полупроводниковых структур методами сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии. Изучение колебательного спектра полупроводниковых наноструктур методами ИК спектроскопии и КРС, в том числе и с применением нанозонда (TERS).
 |
Добрецова Алёна Александровна м.н.с. |
Область интересов:
Экспериментальное исследование свойств вырожденного электронного газа в HgTe квантовых ямах с различным электронным спектром. В том числе дираковских электронов в ямах с толщиной 6.3 - 7 нм, близкой к критической, и электронов с инвертированным спектром в широких 18 - 22 нм квантовых ямах. Проведение магнитотранспортных измерений при температуре 0.2 - 4.2 К, построение теоретических моделей для описания экспериментальных данных, расчет электронного спектра.
 |
Голяшов Владимир Андреевич м.н.с. |
Область интересов:
Исследование поверхностей твердых тел методом фотоэмиссионной спектроскопии с разрешением по углу и спину. Изучение электронной структуры поверхности и транспортных свойств трехмерных (твердые растворы ряда Bi2-xSbxTe3-ySey) и кристаллических топологических изоляторов (Pb1-xSnxTe) и гетероструктур на их основе. Изучение эмиссии и инжекции поляризованных по спину свободных электронов в гетероструктуры на основе полупроводников A3B5 для создания твердотельного многоканального спин-детектора.
 |
Курусь Нина Николаевна м.н.с. |
Область интересов:
Изучение структурных свойств металлических и полупроводниковых структур метод атомно-силовой микроскопии. Изучение колебательного спектра полупроводниковых наноструктур методами спектроскопии КРС с применением нанозонда (TERS).
 |
Милахин Денис Сергеевич м.н.с. |
Область интересов:
Экспериментальное и теоретическое исследование процессов, протекающих при формировании полупроводниковых соединений А3-нитридов (AlN, GaN, твердые растворы AlxGa1-xN различного состава) методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира (Al2O3), кремния (Si), карбида кремния (SiC). In situ изучение методом дифракции быстрых электронов на отражение структуры поверхности соединений А3-нитридов, реконструкционных фазовых переходов и кинетики химических реакций на поверхности подложек сапфира (Al2O3), кремния (Si), карбида кремния (SiC).
 |
Русецкий Вадим Сергеевич м.н.с. |
Область интересов:
Исследование фотоэмиссионных и инжекционных свойств гетероструктур на основе А3В5, а также антимонидов щелочных металлов. Разработка эффективных источников и детекторов свободных электронов, поляризованных по спину. Разработка компактного полупроводникогового детектора спина свободных электронов с пространственным разрешением. Поиск способов повышения эффективности мультищелочных фотокатодов (Na2KSb:Cs) и фотокатодов на основе GaAs:Cs-O, используемых при изготовлении электронно-оптических преобразователей (ЭОП) 2+ и 3-го поколения.
 |
Тарасов Андрей Сергеевич м.н.с. |
Область интересов:
ростом буферных слоёв BaF2/CaF2 на Si (111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), ростом эпитаксиальных плёнок Pb1-xSnxTe:In на буферных слоях BaF2/CaF2/Si(111) и CdTe/ZnTe/GaAs(013) методом МЛЭ, изучением методов получения атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных плёнок соединений IV-VI и II-VI групп, а также исследованием топологических свойств поверхности эпитаксиальных плёнок Pb1-xSnxTe:In.