ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ЛАБОРАТОРИИ

1. Спектроскопия КРС и ИК спектроскопия полупроводниковых наноструктур

Изучение фононного спектра нанопластинок CdSe/CdS методами КРС и ИК спектроскопии

Н.Н. Курусь¹, А.Г. Милёхин^1,2, Р.Б.Васильев³, К.В. Аникин¹, С.А. Бацанов⁴, А.В. Латышев^4,2, D.R.T. Zahn⁵

¹Лаборатория №9
²Новосибирский Государственный университет
³Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
⁴Лаборатория №20
⁵Технический университет г.Хемниц, Германия

Методами ИК спектроскопии и КРС изучен фононный спектр коллоидных наноплателеток CdSe/CdS типа ядро/оболочка с различной толщиной оболочки CdS. Нанопластинки имеют прямоугольную. Форму и латеральные размеры до 100нм и толщины слоев ядра и оболочки в несколько нанометров, как показано на Рис.1а.

Спектры КРС нанопластинок демонстрируют моды продольных оптических фононов (LO) ядра CdSe и поверхностных оптических (SO) фононов в оболочке CdS на частотах 200-210 и 250-290 cm^-1, соответственно (Рис.1b). В ИК спектрах, представленных на Рис. 1c, дополнительно наблюдаются моды поперечных оптических фононов как ядра, так и оболочки. Появление LO- мод в ИК спектрах вызвано наличием компоненты электрического поля, перпендикулярной поверхности, при скользящем падении света на образец. В диапазоне 240–300 cm^{– 1}, дополнительно проявляются особенности SO оболочки CdS shell. При увеличении толщины оболочки фононные моды испытывают частотный сдвиг и изменения в интенсивности. Сдвиг частот фононов связан с изменением механических напряжений в ядре и оболочке и с влиянием эффекта локализации фононов.

Рисунок 1. СЭМ изображение нанопластинок CdSe/CdS nanoplatelets на золотой подложке (a), Спектры КРС (b) и ИК спектры (c) нанопластинок с раличной толщиной оболочки CdS.

2. ГКРС и поверхностно-усиленная фотолюминесценция

Резонансное плазмонное усиление эмиссии света нанопластинками CdSe/CdS на массивах золотых нанодисков

К.В. Аникин¹, Т.А. Дуда², Е.Е. Родякина³, А.Г. Милёхин¹, С.А. Бацанов³, А.К. Гутаковский³, А.В. Латышев³, Б.М. Сайджонов⁴, Р.Б.Васильев⁴, I.A. Milekhin⁵, M. Rahaman⁵, V.M. Dzhagan⁶, D.R.T. Zahn⁵

¹Лаборатория №9, ²Лаборатория №5, ³Лаборатория №20
⁴Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
⁵Технический университет г.Хемниц, Германия
⁶Институт физики полупроводников им.В.Е. Лошкарева, Киев, Украина

Изучено комбинационное рассеяние света (КРС) на оптических фононах и межзонная фотолюминесценция (ФЛ) однородных покрытий нанопластинок CdSe/CdS, нанесенных на массивы золотых нанодисков, сформированных с помощью нанолитографии. Показано, что интенсивность КРС и ФЛ резонансно зависят от размера нанодисков золота и достигают максимальных значений, соответственно, 75 и 7 при размерах диска, для которых энергия локализованного поверхностного плазмонного резонанса (ЛППР) совпадает с энергией межзонных переходов в нанопластинках.

Полупроводниковые нанопластинки CdSe/CdS по типу ядро оболочка обладают оптическими и электронными свойствами, перспективными для ряда оптоэлектронных приложений. Нанопластинки были получены с помощью коллоидной химии (МГУ) и однородно нанесены на массивы золотых нанодисков по технологии Ленгмюра-Блоджетт.

Массивы золотых нанодисков размерами от 20 до 250 нм и периодом 130, 150, 200, 250 нм были изготовлены с помощью нанолитографии. Структурные параметры полупроводниковых и металлических наноструктур контролировались с помощью высокоразрешающей электронной микроскопии (ВРЭМ) на просвет и сканирующей электронной микроскопии (СЭМ). Типичные ВРЭМ и СЭМ структур представлены на Рис.2 а-в.

Энергия ЛППР определялась с помощью оптической спектроскопии на отражение, находится в оптическом диапазоне и сдвигается в красную область с увеличением размеров нанодисков. В случае гигантского КРС, интенсивность КРС на частоте LO фононов в нанопластинках CdSe/СdS проявляет максимум, соответствующий энергии ЛППР нанодисков. Усиление интенсивности сигнала КРС от нанопластинок, находящихся на массиве нанодисков, относительно нанопластинок на кремниевой подложке составляет величину 75.

Нанопластинки CdSe/СdS проявляют экситонную ФЛ при 610нм, интенсивность которой резонансно зависит от размеров нанодисков Au (Рис.2d). Максимальная ФЛ наблюдается для нанодисков, которые имеют размер, соответствующий максимально возможной энергии ЛППР для данных массивов (Рис.2е), когда еще выполняются резонансные условия совпадения энергий ЛППР нанодисков и ФЛ нанопластинок CdSe/СdS. Таким образом, реализованы условия для резонансного плазмонного усиления КРС и ФЛ нанопластинками CdSe/СdS.

Рис. 2. а)- ВРЭМ изображение нанопластинок CdSe/CdS. СЭМ изображения b)- массива нанодисков золота и c)- одного нанодиска, с однородно нанесенными нанопластинками. d)- Спектры ФЛ нанопластинок, нанесенных на массивы нанодисков разного размера. e)- Коэффициент усиления интенсивности ФЛ нанопластинок в зависимости от размеров золотых дисков.

Публикации, относящиеся к полученному результату:
I.A. Milekhin, K.V. Anikin, M. Rahaman, E.E. Rodyakina, T.A. Duda, B.M. Saidzhonov, R.B. Vasiliev, V.M. Dzhagan, A.G. Milekhin, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Resonant plasmon enhancement of light emission from CdSe/CdS nanoplatelets on Au nanodisk arrays. Journal of Chemical Physics, №153, p.164903 2020. https://doi.org/10.1063/5.0023085 Q1, IF= 2.991

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проекты №. 19-52-12041_ННИО_a and 18-02-00615_a) и Министерства образования и науки Российской Федерации [грант No. 075-15-2020-797 (13.1902.21.0024)].

3. Нано ГКРС

Резонансное комбинационного рассеяния света с нанометровым пространственным разрешением нанокристаллами CdSe на плазмонных подложках

К.В. Аникин¹, Т.А. Дуда², Е.Е. Родякина³, А.Г. Милёхин¹, С.А. Бацанов³, А.К. Гутаковский³, А.В. Латышев³, Б.М. Сайджонов⁴, Р.Б.Васильев⁴, I.A. Milekhin⁵, M. Rahaman⁵, V.M. Dzhagan⁶, D.R.T. Zahn⁵

¹Лаборатория №9, ²Лаборатория №5, ³Лаборатория №20
⁴Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
⁵Технический университет г.Хемниц, Германия
⁶Институт физики полупроводников им.В.Е. Лошкарева, Киев, Украина

Использование резонансного комбинационного рассеяния света с нанометровым пространственным разрешением (нано-КРС) в режиме «щелевого» плазмона позволило изучить фононные моды в субмонослоях нанокристаллов CdSe, нанесенных на плазмонные подложки. Интенсивность мод коррелирует с распределением локальных электромагнитных полей по плазмонным подложкам.

В результате выполнение работы показано, что чувствительность метода нано-КРС для определения колебательного спектра нанокристаллов (НК) CdSe может быть многократно увеличена в так называемой моде «щелевого плазмона» за счет использования плазмонных подложек. Геометрия эксперимента по нано-КРС представлена на Рис.1. НК CdSe нанесены на массивы нанодисков Au, сформированные на поверхности Si, или подложки Klarite, представляющие собой инвертированные пирамиды, покрытые шероховатым слоем золота. При облучении специально приготовленного металлизированного кантилевера АСМ микроскопа в зазоре между кантилевером и плазмонной подложкой возникает сильно локализованное электромагнитное поле («щелевой» плазмон), которое приводит к усилению сигнала КРС близлежащих НК CdSe (Рис.2).

Рис. 1. Схема эксперимента по нано-КРС НК CdSe на массиве дисков Au (а) и подложке Klarite (b). Точки 1 и 2 на Рис. (a) обозначают типичные области для записи спектров традиционного нано-КРС и нано-КРС в режиме «щелевого» плазмона, соответственно. На Рис. (b) НК CdSe не обозначены в связи с малым масштабом подложки.

Массивы нанокластеров золота были сформированы с помощью нанолитографии, и их структурные параметры определены с помощью АСМ микроскопии. АСМ изображения полученных плазмонных подложек представлены на Рис.2. На поверхность массивов нанокластеров субмонослои нанокристаллов CdSe по технологии Ленгмюра-Блоджетт.

В случае нанодисков Au мы наблюдали кольцевидную форму на изображении нано-КРС, возникающую в результате усиления LO мод НК CdSe вблизи края дисков (Рис.2б,в), в то время как в случае подложки Klarite усиление сигнала наблюдалось в вершинах перевернутых пирамид (Рис.2е), где, как показывают расчеты, локальное электромагнитное поле значительно. При этом выполняются в резонансные условия, поскольку энергия падающего лазерного излучения совпадает с энергией зазора-плазмона металлических наноструктур и близка к энергии межзонного электронного перехода в НК CdSe. Показано, что выполнение условий щелевого плазмона позволяет проводить локальный анализ фононов LO, SO/TO, а также колебательных мод Se в НК CdSe на массивах нанодисков Au.

Рис. 2.а)- Спектры КРС от областей, указанных на Рис 1а. б) Карта нано-КРС и в) совмещенные изображения АСМ и нано-КРС фрагмента массива нанодисков Au с НК CdSe, г) спектры нано-КРС, усредненные по областям, изображенным на Рис.2д) в сравнении со спектром КРС пленок на кремниевой поверхности. д) Изображения АСМ и е) нано-КРС фрагмента массива нанокластеров Au c нанесенным монослоем НК CdSe.

Публикации, относящиеся к полученному результату:
1. I.A. Milekhin, M. Rahaman, K.V. Anikin, E.E. Rodyakina, T.A. Duda, B.M. Saidzhonov, R.B. Vasiliev, V.M. Dzhagan, A.G. Milekhin, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Resonant Tip-enhanced Raman Scattering by CdSe Nanocrystals on Plasmonic Substrates, Nanoscale Advances, DOI: 10.1039/D0NA00554A (2020).
2. А.Г. Милёхин, Т.А. Дуда, Е.Е. Родякина, К.В. Аникин, С.А. Кузнецов, I.A. Milekhin, D.R.T. Zahn, А.В. Латышев, Плазмон-усиленная колебательная спектроскопия полупроводниковых нанокристаллов, Автометрия, 5 (2020).

4. ИК поглощение

Ближнепольная колебательная спектроскопия полупроводниковых наноструктур

А.Г. Милёхин^1,2, M. Rahaman³, Т.А. Дуда¹, И.А. Милёхин¹, К.В. Аникин¹, Е.Е. Родякина^1,2, В.Г. Мансуров¹, Р. Б. Васильев⁴, V. M. Dzhagan⁴, D. R. T. Zahn⁴, А. В. Латышев^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН ²Новосибирский государственный университет ⁴Технический университет г.Хемниц, Германия ⁴Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова ⁵Институт физики полупроводников им.В.Е. Лошкарева, Киев, Украина

Обсуждаются результаты изучения колебательного спектра полупроводниковых наноструктур с нанометровым пространственным разрешением методами ближнепольной колебательной спектроскопии - нано-КРС (комбинационного рассеяния света) и нано-ИК спектроскопии. Нано-КРС позволило обнаружить моды оптических фононов отдельных нульмерных и двумерных нанокристаллов CdSe и CdSe/CdS. С помощью нано-ИК спектроскопии выполнено картирование наноколонн AlN и установлена пространственная локализация мод оптических фононов AlN разной симметрии.

Введение

Методы зондовой ближнепольной колебательной спектроскопии, включая нано-КРС и нано-ИК спектроскопию, являются относительно новыми, но находят все более широкое применение при характеризации вещества с высоким пространственным разрешением. Они сочетает в себе возможности химического анализа, высокую чувствительность и нанометровое пространственное разрешение. Нано-КРС основано на возможности контролируемого создания и позиционирования так называемой «горячей точки», области пространства между металлизированным острием зонда АСМ микроскопа и поверхностью образца с высокой напряженностью локального электрического поля. Усиление интенсивности сигнала КРС для некоторых органических соединений может достигать 7 порядков, что достаточно для детектирования отдельных молекул, причем пространственное разрешение может достигать 2 нм при обычных условиях. Большинство исследований по нано-КРС относится к органическим и биологическим молекулам, в то время как неорганические материалы остаются мало изучены. Вместе с тем, в настоящее время нано-КРС не стало рутинным методом и требует тщательного подбора экспериментальных условий (выбор объекта исследования, материала и радиуса острия зонда АСМ микроскопа, типа подложки и др.). Нано-ИК спектроскопия может применяться для большинства материалов, обладающих дипольным моментом в элементарной ячейке, частоты собственных колебаний которых находятся в среднем ИК диапазоне. Однако, отсутствие эффективных источников и приемников дальнего ИК и терагерцового спектрального диапазонов ограничивают широкое применение нано-ИК для полупроводниковых наноструктур, частоты собственных колебаний которых находятся в этой спектральной области.

В нашей работе, мы представляем исследования фононного спектра нанокристаллов на основе CdSe и наноколонн AlN с помощью нано-КРС и нано-ИК спектроскопии, соответственно.

Методика эксперимента

В качестве исследуемых образцов использовались коллоидные нульмерные и двумерные нанокристаллы (НК) CdSe и CdSe/CdS, нанесенные на массивы нанокластеров Au по технологии Ленгмюра-Блоджетт.

Рисунок 1. Карты интенсивности сигнала КРС а)- НК CdSe и б) нанопластинок CdSe/2CdS на частотах LO фононов CdSe, совмещенные с АСМ изображением. b)- Типичное АСМ изображение и спектр нано-КРС структур с нанопластинками. e) АСМ изображение наноколонки AlN и f,g)-результаты ее нано-ИК картирования в частотных диапазонах 720-770 и 770-790 сm^-1.

Массивы нанокластеров Au были сформированы с помощью нанолитографии. AlN наноколонны гексагональной формы с латеральными размерами ~350 нм и высотой 40 нм были сформированы в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии.

Спектры нано-КРС были записаны на установке Xplora/AIST-NT TERS в геометрии квазиобратного рассеяния. ИК спектры с пространственным разрешением 10 нм были получены с использованием платформы для ближнепольной микроскопии neaSNOM.

Результаты и обсуждение

Спектры нано-КРС НК CdSe демонстрируют характерные особенности при 210 см^-1, соответствующие частотам продольных оптических (LO) фононов CdSe. Картирование сигнала КРС в диапазоне частот LO фононов показывает, что максимальное усиление от НК наблюдается вблизи торцов нанокластеров Au (Рис.1а). Неоднородность усиления сигнала КРС свидетельствует о сильной локализации электромагнитного (ЭМ) поля вблизи торцов нанокластеров Au и резонансном характере КРС. Картирование субмонослойных покрытий НК CdSe [1] и нанопластинок CdSe/2CdS (Рис.1b) и с шагом 2 нм позволило визуализовать отдельные НК CdSe размером 6 нм [2] и нанопластинки (Рис.1с), нанесенные на плазмонную подложку. При этом спектры нано-КРС (Рис.2d) проявляют моды локализованных и поверхностных фононов ядра CdSe и оболочки СdS.

Спектральное нано-ИК картирование наноколонны AlN на частотах поверхностных оптических (SO) фононов при 740 и 778 cm^-1 (Рис.1f,g) соответствует её АСМ изображению (Рис.1е). Различие нано-ИК изображений для двух SO мод свидетельствует о различной симметрии соответствующих им мод оптических фононов.

Заключение

Нано-КРС и нано-ИК спектроскопия успешно применены для установления фононного спектра ряда полупроводниковых наноструктур, включая сферические нанокристаллы CdSe, нанопластинки CdSe/CdS и наноколонны AlN, с пространственным разрешением, находящимся далеко за дифракционным пределом.

Литература

1. I.A. Milekhin, M. Rahaman, K.V. Anikin et al. // Nanoscale advances, 2, 5441 (2020).
2. V.M. Dzhagan, Yu.M. Azhniuk, A.G. Milekhin, et al. // Journ. Phys. D: Appl. Phys., 51, 503001 (2018).

5. Оптическая спектроскопия

Локализованные поверхностные плазмонные резонансы в массивах золотых нанокластеров на непрозрачных подложках

К.В. Аникин, А.Г. Милёхин, Е.Е. Родякина¹, А.В. Латышев¹

Лаборатория №9
¹Лаборатория №20

С помощью нанолитографии сформированы массивы нанокластеров Au и их димеров на поверхностях Siи SiO2/Si и исследованы их плазмонные свойства. Предложен метод определения энергии поверхностного плазмонного резонанса (ЛППР) по спектрам отражения. Получены зависимости энергии ЛППР от структурных параметров металлических нанокластеров и их димеров.

Разработан подход, который позволяет на основе анализа спектров отражения определять энергию ЛППР для нанокластеров, имеющих форму цилиндра, диаметр и период которых варьируются в диапазоне 30–150 и 130–200 нм соответственно, изготовленных методом электронно-лучевой литографии на непрозрачных подложках SiO₂ /Si (Рис.1 а,б). Рассчитанные спектры отражения воспроизводят основные спектральные особенности, наблюдаемые в экспериментальных спектрах нанокластеров Au, их изменение с размером нанокластеров и толщиной слоя SiO2. Численная модель, используемая для подгонки экспериментальных спектров отражения (Рис.1в,г), применялась для моделирования распределения электромагнитных полей вблизи нанокластеров (Рис.1д,е) и расчета спектров поглощения для определения зависимости положения ЛППР как функции от размера и толщины слоя SiO2. Данное исследование выявило сильную зависимость частотного положения ЛППР от размера нанокластеров, расстояния между нанокластерами, а также от толщины слоя SiO2 в нанометровом диапазоне (Рис.1з,и). Особое внимание было уделено наблюдению по спектрам отражения формирования поперечной плазмонной моды, распространяющейся вдоль поверхности подложки и поляризованной перпендикулярно поверхности. Возбуждение данной моды мы связываем с рассеянием электромагнитного поля на соседних нанокластерах.

Предлагаемый метод демонстрирует возможность применения спектроскопии отражения для анализа металлических нанокластерных массивов на непрозрачных подложках и может быть использован для экспрессного определения энергии ЛППР.

Показано, что использование подложек Si / SiO₂ позволяет настраивать положение ЛППР в более широком спектральном диапазоне по сравнению со стандартными подложками из оксида кремния.

Рис.1 Типичные СЭМ-изображения а)-нанокластеров и б)-димеров Au. Элементарные ячейки (в, г) для структур с массивами нанокластеров и димеров Au на подложках Si / SiO₂ (8 нм) и Si / SiO₂ (77 нм), соответственно, и расчетное электрическое поле вблизи этих структур (д и е). Спектральное положений максимумов ЛППР, полученных из спектров поглощения, для з)-кластеров и и) димеров Au с различными структурными параметрами. Пунктирные линии показывают положение максимума поглощения для случаев, где определение энергий ЛППР затруднительно.

Публикации, относящиеся к полученному результату:
1. Anikin K., Rodyakina E., Veber S., Milekhin A., Latyshev A., Zahn D.R.T., Localized surface plasmon resonance in gold nanoclusters arrays, Plasmonics, https://doi.org/10.1007/s11468-019-00949-2, 2019.
2. Аникин К.В., Милёхин А.Г., Родякина Е.Е., Вебер С.Л., Латышев А.В., Zahn D.R.T., Оптические плазмонные резонансы в массивах нанокластеров Au, Сибирский физический журнал, т.14, №1, р.63-75, 2019.

НАУЧНАЯ КООПЕРАЦИЯ. УНИВЕРСИТЕТЫ ПАРТНЕРЫ. ПЕРСОНАЛИИ

1. Новосибирский Государственный университет
   д.ф.-м.н. А.А.Шкляев

2. Технический университет г.Кемниц (Германия)
   Prof.Dr.Dr.h.c. D.R.T.Zahn
   Dr. V.Dzhagan

3. Томский политехнический университет
   Проф. Е.С. Шеремет

ПРОЕКТЫ И ПУБЛИКАЦИИ

Проект Министерства образования и науки

2020-1902-01-058, Квантовые структуры для посткремниевой электроники
Ответственный исполнитель Милёхин А.Г.

Проекты РФФИ

19-52-12041-ННИО_а Гигантское комбинационное рассеяние света полупроводниковыми наноструктурами с нанометровым пространственным разрешением
Руководитель Милёхин А.Г.

18-29-20066 мк Мультиспектральное усиление и детектирование ИК поглощения в полупроводниковых и органических наноматериалах на массивах металлических наноантенн
Руководитель Милёхин А.Г.

18-02-00615-а Эффекты усиления комбинационного рассеяния в гибридных наноструктурах полупроводник/металл
Руководитель Милёхин А.Г.

Журналы

2019

1. K. Anikin, E. Rodyakina, S. Veber, A. Milekhin, A. Latyshev, D.R.T.Zahn, Localized surface plasmon resonance in gold nanoclusters arrays, Plasmonics, 14, 1527–1537 (2019), https://doi.org/10.1007/s11468-019-00949-2, IF=2.366, Q2
2. S.V. Adichtchev, N.V. Surovtsev, T.A. Duda, and A.G. Milekhin, Brillouin Scattering From Langmuir–Blodgett Films Doped With CdS and CuS Nanoclusters Phys. Physica Status Solidi B, 256, 1800328-1-4, (2019) IF= 1.454, Q3
3. К.В. Аникин, А.Г. Милёхин, Е.Е. Родякина, С.Л. Вебер, А.В. Латышев, D.R.T. Zahn Оптические плазмонные резонансы в массивах нанокластеров Au, Сибирский физический журнал, 14 (1) 63-75 (2019). DOI: 10.25205/2541-9447-2019-14-1-63-76
4. M. Rahaman, A.G. Milekhin, A. Mukherjee, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, V.M. Dzhagan, and D.R.T. Zahn, The Role of a Plasmonic Substrate on the Enhancement and Spatial Resolution of Tip-enhanced Raman Scattering, Faraday Discussions, (2019) 214, 309-323, doi: 10.1039/C8FD00142A, IF= 3.427. Q2
5. E.Sheremet L.Kim, D.Stepanichsheva, V.Kolchuzhin, A.Milekhin, D.R.T.Zahn, R.D.Rodriguez, Localized surface curvature artifacts in tip-enhanced nanospectroscopy imaging, Ultramicroscopy, 206 (2019) 112811, doi: 112811, 10.1016/j.ultramic.2019.112811, IF= 2.644, Q1
6. К.В. Аникин, А.Г. Милёхин, M. Rahaman, Т.А. Дуда, И. Милёхин, Е.Е. Родякина, Р.Б. Васильев, V.M. Dzhagan, D.R.T. Zahn, А.В. Латышев, Плазмон-усиленная ближнепольная оптическая спектроскопия многокомпонентных полупроводниковых наноструктур, Автометрия, 55, 69-77 (2019). DOI: 10.15372/AUT20190511
7. Milakhin D.S., Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., and Zhuravlev K.S., Electron-stimulated aluminum nitride crystalline phase formation on the sapphire surface. Physica Status Solidi B, v. 256, №6, p. 1800516 (1-5), 2019.
8. Некрасов Д.В., Курусь Н.Н., Дульцев Ф.Н., Ломзов А.А., Шевелёв Г.Ю., Пышный Д.В., Использование кварцевого резонатора для определения термодинамических параметров механической денатурации двойной спирали ДНК, Молекулярная генетика, микробиология и вирусология, спецвыпуск, с. 38, 2019.
9. Е.С. Дюдеева, Н.Н. Курусь, Ф.Н. Дульцев, А.А. Ломзов, Г. Ю. Шевелёв, Д.В. Пышный, Исследование кинетики гибридизации олигонуклеотидов ДНК методом VFDM, Молекулярная генетика, микробиология и вирусология, спецвыпуск, с. 26, 2019.
10. Климов А.Э., Акимов А.Н., Ахундов О.И., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Эпов В.С., Терещенко О.Е. Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон. Физика и техника полупроводников, т. 53, №9, с. 1207, 2019.
11. Тарасов А.С., Ищенко Д.В., Акимов А.Н., Ахундов О.И., Голяшов В.А., Климов А.Э., Пащин Н.С., Супрун С.П., Федосенко Е.В., Шерстякова В.Н., Терещенко О.Е. Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоёв PbSnTe с составом вблизи инверсии зон, Журнал технической физики, т. 89, №11, с. 1795-1799, 2019.
12. Kaveev A.K., Golyashov V.A., Klimov A.E., Schwier E.F., Suturin S.M., Tarasov A.S., Tereshchenko O. E. Structure and magneto-electric properties of Co-based ferromagnetic films grown on the Pb0.71Sn0.29Te crystalline topological insulator, Materials Chemistry and Physics, v. 240, p. 122134, 2020.
13. Фильнов C.О., Сурнин Ю.А., Королёва А.В., Климовских И.И., Естюнин Д.А., Варыхалов A.Ю., Бокай К.А., Кох K.A., Терещенко O.E., Голяшов В.А., Шевченко E.В., Шикин A.M. Магнитная и электронная структуры Gd-легированного топологического изолятора Bi1.09Gd0.06Sb0.85Te3. ЖЭТФ, т. 156, вып. 2 (8), стр. 1–10, 2019.

2020

1. K.V. Anikin, V.А. Timofeev, D. Solonenko, А.I. Nikiforov. A.G. Milekhin, D.R.T. Zahn, Acoustic Phonons in periodical GeSiSn/Si nanostructures, Journal of Physics: Conference Series, 1461 (2020) 012005, doi:10.1088/1742-6596/1461/1/012005
2. A.G. Milekhin, S.A. Kuznetsov, E.E. Rodyakina, K.V. Anikin, I.A. Milekhin, S.L. Veber, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Arrays of Metal Nanostructures for Plasmon-enhanced Spectroscopy, Journal of Physics: Conf. Series, 1461 (2020) 012100, doi:10.1088/1742-6596/1461/1/012100
3. А.Г. Милёхин, Т.А. Дуда, Е.Е. Родякина, К.В. Аникин, С.А. Кузнецов, I.A. Milekhin, D.R.T. Zahn, А.В. Латышев, Плазмон-усиленная колебательная спектроскопия полупроводниковых нанокристаллов, Автометрия, 56 (5), 64-71 (2020).
4. I.A. Milekhin, M. Rahaman, K.V. Anikin, E.E. Rodyakina, T.A. Duda, B.M. Saidzhonov, R.B. Vasiliev, V.M. Dzhagan, A.G. Milekhin, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Resonant Tip-enhanced Raman Scattering by CdSe Nanocrystals on Plasmonic Substrates, Nanoscale Advances, 2, 5441–5449 (2020), DOI: 10.1039/D0NA00554A
5. I.A. Milekhin, K.V. Anikin, M. Rahaman, E.E. Rodyakina, T.A. Duda, B.M. Saidzhonov, R.B. Vasiliev, V.M. Dzhagan, A.G. Milekhin, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Resonant plasmon enhancement of light emission from CdSe/CdS nanoplatelets on Au nanodisk arrays, Journal of Chemical Physics, 153, 164903 (2020); https://doi.org/10.1063/5.002308
6. Kurus N.N., Dultsev F.N., Golyshev V.M. Nekrasov D.V., Pyshnyi D.V. and Lomzov A.A. A QCM-based rupture event scanning technique as a simple and reliable approach to study the kinetics of DNA duplex dissociation. Analytical Methods, v.12, №30, р.3771-3777, 2020 (https://doi.org/10.1039/D0AY00613K)
7. Golod S.V., Gayduk A.E., Kurus N.N., Kubarev V.V., and Prinz V.Ya. 3D micro/ nanoshaping of metal strip arrays by direct imprinting for chiral metasurfaces. Nanotechnology, v. 31, № 43, p. 435302, 2020 (https://doi.org/10.1088/1361-6528/aba46c)
8. Климов А.Э., Акимов А.Н., Ахундов И.О., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Матюшенко Е.В., Неизвестный И.Г., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е., Эпов В.С. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами. Физика и техника полупроводников, Т. 54, №. 10, С. 1122 (2020).
9. Akimov A.N., Akhundov I.O., Ishchenko D.V., Klimov A.E., Neizvestny I.G., Paschin N.S., Suprun S.P., Tarasov A.S., Tereshchenko O.E., Fedosenko E.V. & Sherstyakova V.N. Sign-Alternating Photoconductivity in PbSnTe: In Films in the Space-Charge-Limited Current Regime. Semiconductors, 54 (8), 951-95 (2020).
10. Kaveev A.K., Golyashov V.A., Klimov A. E., Schwier F., Suturin S.M., Tarasov A.S., Tereshchenko O.E., Structure and magneto-electric properties of Co-based ferromagnetic films grown on the Pb0.71Sn0.29Te crystalline topological insulator. Materials Chemistry and Physics, 240, 122134 (2020).
11. Kokh K.A., Nebogatikova N.A., Antonova I.V., Kustov D.A., Golyashov V.A., Goldyreva E.S., Stepina N.P., Kirienko V.V., Tereshchenko O.E. Vapor growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se crystals on mica. Materials Research Bulletin, 129, 110906 (2020). (10.1016/j.materresbull.2020.110906).
12. Paulish A.G., Gusachenko A.V., Morozov A.O., Golyashov V.A., Dorozhkin K.V., Suslyaev V.I. Sensitivity of the tetraaminodiphenyl based pyroelectric sensor from visible to sub-THz range. Sensor Review, 40(3), 0260-2288 (2020). (10.1108/SR-03-2020-0047)
13. Zhuravlev K., Mansurov V., Galitsyn Yu., Malin T., Milakhin D. and Zemlyakov V. Evolution of the surface states during the in situ SiN layer formation on AlN/GaN heterostructures. Semiconductor Science and Technology, v.35, p.075004 (2020). (doi.org/10.1088/1361-6641/ab7e44)
14. Utkin D.E., Anikin K.V., Veber S.L., Shklyaev A.A. Dependence of light reflection of germanium Mie nanoresonators on their aspect ratio. Optical Materials, v.109, p.110466 (2020). (10.1016/j.optmat.2020.110466)
15. Gospodarič J., Dziom V., Shuvaev A., Dobretsova A.A., Mikhailov N.N., Kvon Z.D., Novik E.G., and Pimenov A. Band structure of a HgTe-based 3D topological insulator. Physical Review B v.102, p.115113 (2020).
16. Aleksandrov I. A., Malin T. V., Milakhin D. S., Ber B. Ya., Kazantsev D. Yu. and Zhuravlev K. S., Donor-acceptor nature of orange photoluminescence in AlN, Semiconductor Science and Technology, v. 35, pp. 125006 (2020).
17. Milakhin, D. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Galitsyn, Y. G., Zhuravlev, K. S. Optimal Stage Determination of Sapphire Nitridation Process Completion under High-Energy Electron Beam Influence. 21st International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), p. 14-18 (2020) DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153543
18. Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Milakhin D.S., Protasov D.Yu., Ber B.Ya., Kazantsev D.Yu., Ratnikov V.V., Shcheglov M.P., Smirnov A.N., Davydov V.Yu., Zhuravlev K.S., Mg3N2 nanocrystallites formation during the GaN:Mg layers growth by the NH3-MBE technique. Journal of Crystal Growth, 554, 125963 (2021).
19. Milakhin D.S., Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Kozhukhov A.S., Utkin D.E., Zhuravlev K.S. Peculiarities of the AlN crystalline phase formation in a result of the electron-stimulated reconstruction transition (√31×√31)R±9°-(1×1). Applied Surface Science, 541, 148548 (2021).

Доклады на конференциях

Приглашенные

2019

1. Милёхин А., Rahaman M., Дуда Т., Милёхин И., Аникин К., Родякина Е., Васильев Р.Б., Dzhagan V.M., Zahn D.R.T., Латышев А.В., Локальный спектральный анализ полупроводниковых наноструктур, XIV Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2019, 9-13 сентября, Новосибирск
2. Milekhin A.G., Rahaman M., Duda T.A., Rodyakina E.E., Vasiliev R.B., Milekhin I.A., Anikin K.V., Dzhagan V.M., Latyshev A.V., Zahn D.R.T., Plasmon-enhanced optical spectroscopies of semiconductor nanostructures, The 27th International Conference on Advanced Laser Technologies (ALT’19), 15-20 September 2019, Prague, Czech Republic
3. Милёхин А.Г., Оптика полупроводниковых структур с нанометровым пространственным разрешением, Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», 26 - 28 ноября 2019 Новосибирск
4. Dobretsova A.A., Chepelianskii A.D., Mikhailov N.N. and Kvon Z.D., Spin mixing between subbands and extraordinary Landau-level shift in wide HgTe quantum wells”, International Workshop “Quantum transport in 2D systems – III”, Bagnères-de-Luchon (France), May 25 – June 1, 2019.
5. Терещенко О.Е., Голяшов В.А., Кавеев А.К., Климов А.Э., Акимов А.Н., Тарасов А.С., Ищенко Д.В., Супрун С.П., Ахундов О.И., Спиновая поляризация и спин-зависимый транспорт в кристаллическом топологическом изоляторе PbSnTe, XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, 9-13 сентября, 2019.

Устные

2019

6. Rahaman M., Milekhin A.G., Mukherjee A., Rodyakina E.E., Latyshev A.V., Dzhagan V.M. and Zahn D.R.T., The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering, Faraday discussion, 18-20 February, London, UK, Paper 24057,
7. Милёхин А.Г., Rahaman M., Дуда Т.А., Милёхин И.А., Аникин К.В., Родякина Е.Е., Васильев Р.Б., Dzhagan V.M., Zahn D.R.T., Латышев А.В., Локальный спектральный анализ полупроводниковых нанокристаллов , Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, Фотоника 2019, 27-31 мая 2019 г., Новосибирск
8. Милёхин А., Rahaman M., Дуда Т., Милёхин И., Аникин К., Родякина Е., Васильев Р.Б., Dzhagan V.M., Zahn D.R.T., Латышев А.В., Локальный спектральный анализ полупроводниковых наноструктур, XXIII симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 11-14 марта 2019, Нижний Новгород
9. Milekhin A.G., Kuznetsov S.A., Rodyakina E.E., Anikin K.V., Milekhin I.A., Veber S.L., Latyshev A.V., Zahn D.R.T., Arrays of Metal Nanostructures for Plasmon-enhanced Spectroscopy, METANANO-2019, 15-19 July 2019, St.Petersburg
10. Шкляев А.А., Царёв А.В., Колосовский Е.А., Аникин К.В., Милёхин А.Г., Покрытия из массивов субмикронных частиц Ge и их антиотражающие свойства, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники , Фотоника 2019, 27-31 мая 2019 г., Новосибирск
11. Аникин К.В., Милёхин А.Г., Родякина Е.Е., Вебер С.Л., Латышев А.В., Zahn D.R.T., Оптические плазмонные резонансы в массивах нанокластеров Au, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники , Фотоника 2019, 27-31 мая 2019 г., Новосибирск
12. Голяшов В.А., Климов А.Э., Акимов А.Н., Тарасов А.С., Ищенко Д.В., Супрун С.П., Кавеев А.К., Терещенко О.Е., Спиновая поляризация и спин-зависимые эффекты в кристаллическом топологическом изоляторе PbSnTe, XXIII симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 11-14 марта 2019.
13. Tarasov A.S., Akhundov I.O., Golyashov V.A., Ishchenko D.V., Suprun S.P., XPS and RHEED Study of Chemically Treated PbSnTe Surface, 20th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), Erlagol (Altai Republic), Russia, 29 июня-3 июля 2019.
14. Акимов А.Н., Ахундов И.О., Ищенко Д.В., Климов А.Э., Пащин Н.С., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е., Федосенко Е.В., Шерстякова В.Н., Влияние поверхности на фотопроводимость плёнок Pb_1-хSn_хTe:In с составом 0,28 ≤ х ≤ 0,32, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «ФОТОНИКА 2019», Новосибирск, 27–31 мая, 2019.
15. Климов А.Э., Акимов А.Н., Голяшов В.А., Ищенко Д.В., Пащин Н.С., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е., Шерстякова В.Н., Эпов В. С., Локализованные состояния и фоточувствительность плёнок PbSnTe:In в ИК и ТГц областях спектра, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «ФОТОНИКА 2019», Новосибирск, 27–31 мая, 2019.
16. Климов А.Э., Акимов А.Н., Ахундов О.И., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Эпов В.С., Терещенко О.Е., Поверхностные состояния в PbSnTe:In МДП-транзисторе с индуцированным каналом, XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, 9-13 сентября, 2019.
17. Golyashov V.A., Klimov A.E., Akimov A.N., Tarasov A.S., Ischenko D.V., Suprun S.P., Kaveev A.K., and Tereshchenko O.E. Spin polarized states and spin dependent effects in PbSnTe topological crystalline insulator. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» EASTMAG–2019, Ekaterinburg, Russia, September 08–13 2019. BOOK OF ABSTRACTS. VOLUME I, pp. 71-72, 2019. ISBN 978-5-9500855-7-4.
18. Голяшов В.А., Назаров Н.А., Русецкий В.С., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е. Эмиссия и инжекция электронов низких энергий в вакуумных диодах с электродами на основе полупроводниковых гетероструктур с эффективным отрицательным электронным сродством. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники ФОТОНИКА 2019, Новосибирск, Россия, 27-31 мая 2019. ФОТОНИКА 2019: тезисы докладов, с. 37. ISBN 978-85957-153-6. DOI 10.34077/RCSP2019-37.
19. В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, Н.С. Назаров, И.Б. Чистохин, А.С. Ярошевич, Т.С. Шамирзаев, И.А. Деребезов, В.А. Гайслер, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, И.И. А.В. Миронов, В.В. Аксенов, О.Е. Терещенко, Фотоэмиссионные и инжекционные свойства полупроводниковых гетероструктур с эффективным отрицательным электронным сродством, XXIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Россия, Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.

2020

20. Голяшов В.А., Климов А.Э., Акимов А.Н., Тарасов А.С, Ищенко Д.В., Супрун С.П., Кавеев А.К., Терещенко О.Е., “Спиновый транспорт в пленках Pb1-xSnxTe с составами вблизи инверсии зон”, XXIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург, Россия, 17 – 22 февраля 2020, устный доклад. Докладчик. Тезисы докладов XXIII Уральской международной зимней школы по физике полупроводников, с. 156-157, 2020 ISBN 978-5-8295-0691-9.
21. D.S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Y.G. Galitsyn, K.S. Zhuravlev, Optimal Stage Determination of Sapphire Nitridation Process Completion under High-Energy Electron Beam Influence, XXI International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, Chemal, Russia, 29 June - 3 July 2020, DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153543
22. Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, К.С. Журавлев, Универсальная модель 2D решеточного газа для описания процесса нитридизации сапфира методом молекулярно-лучевой эпитаксии, XIV Всероссийская научная конференция молодых ученых"Наука. Технологии. Инновации" (НТИ-2020), Новосибирск, Россия, 30 Ноября – 4 Декабря 2020.

Стендовые

2019

23. Anikin K.V., Timofeev V.А., Solonenko D. , Nikiforov А.I., Milekhin А.G., Zahn D.R.T., Acoustic Phonons in periodical GeSiSn/Si nanostructures, METANANO-2019, 15-19 July 2019, St.Petersburg
24. Milekhin I.A., Rahaman M., Dzhagan V.M. , Zahn D.R.T., Duda T.A., Anikin K.V., Rodyakina E.E., Milekhin A.G., Latyshev A.V., Surface- and Tip-Enhanced Raman Scattering by CdSe Nanocrystals: Importance of Resonance Effects, International Conference of Enhanced Spectroscopy (ICES 4), June 17‐20th 2019, London, Ontario, Canada p.119
25. Аникин К.В., Тимофеев В.А., Solonenko D., Никифоров А.И., Милёхин А.Г., Zahn D.R.T., Акустические фононы в сверхрешётках SiGeSn, XIV Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2019, 9-13 сентября, Новосибирск
26. Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Журавлев К.С., Лебедок Е.В., Разумец Е.А. Образование нанокристаллов GaN на графеноподобных g-AlN и g-Si3N3 методом аммиачной МЛЭ. XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, Россия, санаторий «Сосновка», 9-13 сентября, 2019
27. Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Малин Т.В., Милахин Д.С., Конфедератова К.А, Журавлев К.С., Лебедок Е.В., Разумец Е.А., Фазовый 2D-3D переход на поверхности (0001) тонкого слоя GaN. XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, Россия, санаторий «Сосновка», 9-13 сентября, 2019.
28. Dobretsova A.A., Spin splitting of the surface states in HgTe quantum wells”, School for young scientists «Interaction between Radiation and Quantum Matter» (IRQ2019), Moscow, July 2-5, 2019.
29. Добрецова А.А., Квон З.Д., Криштопенко С.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Спиновое расщепление поверхностных состояний в 20 нм HgTe квантовой яме, XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, 9 – 13 сентября 2019г.
30. Голяшов В.А., Назаров Н.А., Русецкий В.С., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е. Угловое распределение эмитируемых из GaAs/(Cs,O) фотокатодов электронов. XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск, Россия, 9-13 сентября 2019. Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников. Часть 1, с. 94, 2019. ISBN 978-5-00150-447-4. DOI 10.34077/Semicond2019-94.
31. Курусь Н.Н., Дульцев Ф.Н., Ломзов А.А., Шевелёв Г. Ю., Пышный Д.В., Исследование энергетического профиля механической денатурации двойной спирали ДНК методом атомно-силовой спектроскопии, V Школа-конференция молодых учёных «Неорганические соединения и функциональные материалы» ICFM-2019 , Новосибирск, Россия, 30 сентября- 4 ноября 2019г.
32. Курусь Н.Н., Дюдеева Е.С., Дульцев Ф.Н., Ломзов А.А., Шевелёв Г. Ю., Пышный Д.В., Использование методов силовой спектроскопии для определения температуры плавления двойной спирали ДНК, V Школа-конференция молодых учёных «Неорганические соединения и функциональные материалы» ICFM-2019, Новосибирск, Россия, 30 сентября-4 ноября 2019г.
33. Курусь Н.Н., Некрасов Н.В., Дульцев Ф.Н., Ломзов А.А.,. Шевелёв Г. Ю, Пышный Д.В., Использование химически функционализированного кварцевого резонатора в исследовании термодинамических параметров денатурации молекулы ДНК, V Школа-конференция молодых учёных «Неорганические соединения и функциональные материалы» ICFM-2019 , Новосибирск, Россия, 30 сентября- 4 ноября 2019г.
34. Курусь Н.Н., Некрасов Н.В., Дульцев Ф.Н., Ломзов А.А.,. Шевелёв Г. Ю, Пышный Д.В., Использование химически функционализированного кварцевого резонатора в исследовании термодинамических параметров денатурации молекулы ДНК, V Школа-конференция молодых учёных «Неорганические соединения и функциональные материалы» ICFM-2019 , Новосибирск, Россия, 30 сентября- 4 ноября 2019г.
35. Ахундов О.И., Голяшов В.А., Ищенко Д.В., Климов А.Э., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е., Пассивирующие и термодесорбционные свойства теллура на поверхности PbSnTe, XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, 9-13 сентября, 2019.
36. Русецкий В.С., Голяшов В.А., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е., Исследование фотоэмиссионных свойств мультищелочных фотокатодов // XIV Российская конференция по физике полупроводников 9-13 сентября 2019 г, Новосибирск

2020

37. Basalaeva L.S., Features of resonant light scattering by silicon metasurfaces, METANANO School – Summer school on nanophotonics and metamaterials, online, 6-10 Jule 2020, стендовый доклад.
38. Basalaeva L.S., Light scattering by silicon nanopillars arrays, SLALOM – School on advanced light-emitting and optical materials, online, 29-30 June 2020.
39. А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, В. С. Эпов, О. Е. Терещенко, Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами, Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 9-13 марта.
40. Д.С. Милахин, К.С. Журавлёв, Анализ фазового перехода AlN на поверхности сапфира в рамках универсальной модели 2D решеточного газа в условиях МЛЭ, XXII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 23-27 Ноября 2020.

НОВОСТИ