Манцурова Снежана Викторовна

Дата рождения: 04.10.2000
Вуз (дата окончания): Новосибирский Государственный Технический Университет (2024)
Год поступления в аспирантуру: 2024
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 1.3.11 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации: Формирование массива планарных нанопроволок AIIIBV на структурированных поверхностях (моделирование методом Монте-Карло)
Научный руководитель: к.ф.-м.н., доцент Шварц Наталия Львовна
Лаборатория: Группа №2
E-mail:

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

НазваниеПервая страница
Манцурова С. В., Шварц Н. Л. "Влияние ориентации подложки и размера капли катализатора на направление роста кремниевых нанопроволок", Автометрия, Т. 61, № 2. 2025. С. 76-83. DOI: 10.15372/AUT20250209.
Mantsurova S.V., Shwartz N.L., Examination of the growth conditions influence on the planar silicon nanowire morphology by Monte Carlo simulation, Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 188, 2025, p. 109221.DOI: 10.1016/j.mssp.2024.109221
C.В. Манцурова, А.А. Спирина , Н.Л. Шварц, Влияние свойств структурированной поверхности подложки на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование Монте-Карло), Физика и техника полупроводников, том 58, вып. 11, 2024, стр. 612-619. DOI: 10.61011/FTP.2024.11.59484.20S
Mantsurova S.V., Shwartz N.L. Effect of Au Deposition Rate on the Gold Droplet Velocity on Si(111) and Si(011) Surfaces (Monte Carlo Simulation), Physica Status Solidi (b), 2024, p.2400103. DOI: 10.1002/pssb.202400103
Mantsurova, S.V., Shwartz, N.L. Effect of silicon surface orientation on the Au droplet motion, Surfaces and Interfaces, vol. 41, 2023, p. 103193. DOI: 10.1016/j.surfin.2023.103193
Кудрич С.В., Спирина А.А., Шварц Н.Л., Формирование капель золота и их движение по поверхности Si(111): Монте-Карло моделирование, Автометрия, т. 58, № 6, 2022, стр.71-78. DOI: 10.15372/AUT20220609

Труды конференций:

НазваниеОбложкаПервая страница
Кудрич С.В., Спирина А.А., Шварц Н.Л. Моделирование методом Монте-Карло формирования и движения капель золота по поверхности кремния, XXII Всероссийская конференция молодых учёных по математическому моделированию и информационным технологиям, 25–29 октября 2021, г. Новосибирск, Россия (устный доклад)
Кудрич С.В., Спирина А.А., Шварц Н.Л. Изучение движения капель золота по поверхности Si(111) с помощью Монте-Карло моделирования, XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 26-30 сентября 2022, г. Новосибирск, Россия (устный доклад)
Шварц Н.Л., Кудрич С.В., Спирина А.А., Неизвестный И.Г. Движение капель золота по вицинальной поверхности Si(111), XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022, г. Нижний Новгород, Россия (устный доклад)
Кудрич С.В., Шварц Н.Л. Влияние температуры на морфологию поверхности Si(111) при осаждении золота, Всероссийская научная конференция молодых ученых "Наука. Технологии. Инновации", 5–8 декабря 2022, г. Новосибирск, Россия (устный доклад)
Кудрич С.В., Шварц Н.Л. Влияние температуры на характеристики движения капель Au-Si по поверхности Si(111), Школа молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», 12-13 декабря 2022, г. Новосибирск, Россия (стендовый доклад)
Кудрич С.В., Спирина А.А., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л. Monte Carlo Simulation of Gold Drop Formation and Movement over a Silicon Substrate, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM, 30 июня - 4 июля 2022, Респ. Алтай, Россия (устный доклад)
Манцурова С.В., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л.Temperature Influence on the Si(111) Surface Relief Evolution During Au Deposition, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM, 29 июня - 3 июля 2023, Респ. Алтай, Россия (устный доклад)
Манцурова С.В., Шварц Н.Л. Движение капель золота по поверхностям Si(011) и Si(311): Монте-Карло моделирование, XXIV Всероссийская конференция молодых учёных по математическому моделированию и информационным технологиям, 23–27 октября 2023, г. Красноярск, Россия (устный доклад)
Манцурова С.В., Шварц Н.Л. Влияние интенсивности потока Au и ориентации поверхности Si на скорость движения капель золота (Монте-Карло моделирование), V Международная конференция "Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов" МММЭК-2023, 23–25 октября 2023, г. Москва, Россия (устный доклад)
Манцурова С.В., Шварц Н.Л. Монте-Карло моделирование движения капель Au-Si по поверхности кремния с ориентацией (011), Школа молодых учёных "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 29–30 ноября 2023, г. Новосибирск, Россия (стендовый доклад)
Манцурова С.В., Шварц Н.Л., Монте-Карло моделирование роста кремниевых нанопроволок разной морфологии и ориентации на поверхности Si(100), Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», 25 – 26 апреля 2024, г. Новосибирск, Россия (стендовый доклад)
Манцурова С.В., Шварц Н.Л., Влияние ростовых условий на морфологию планарных кремниевых нанопроволок на поверхности Si(100) (Монте-Карло моделирование), Международная научная студенческая конференция, 17 – 23 апреля 2024, г. Новосибирск, Россия (устный доклад)
Манцурова С.В., Шварц Н.Л. Контролируемый рост кремниевых нанопроволок на поверхностях Si (011) и (100) (моделирование методом Монте-Карло), XV Конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 15-20 июля 2024, Респ. Бурятия, Россия (устный доклад)
Спирина А. А., Манцурова С. В., Шварц Н. Л. Влияние свойств и структуры поверхности подложки на морфологию планарных нанопроволок GaAs (Монте-Карло моделирование), Тезисы докладов XVI Российской конференции по физике полупроводников (XVI РКФП), 7 – 11 октября 2024, г. Санкт-Петербург, ISBN 978-5-93634-074-5, стр. 71.
Манцурова С.В., Шварц Н.Л., Монте-Карло моделирование начальных этапов роста планарных нанопроволок GaAs с использованием пленок SiOx, Материалы VI Международной конференции "Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов" (ММMЭК–2024), 21–23 октября 2024, г. Москва, ISBN 978-5-317-07281-0, https://doi.org/10.29003/m4249.MMMSEC-2024 (Стр. 88-90) (устный доклад)
Манцурова С.В., Шварц Н.Л. Влияние ориентации траншей структурированной поверхности на устойчивость самокаталитического роста планарных нанопроволок GaAs (Монте-Карло моделирование), Двадцать девятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-29), 14-20 апреля 2025 г., г. Москва, УДК 53 ББК 22.3 (стр. 77) (устный доклад)

Личное участие в конференциях:

НазваниеОбложка тезисовОбложка программыВремя выступленияПервая страница
Манцурова С.В., Шварц Н.Л. , Влияние ориентации траншей структурированной поверхности на устойчивость самокаталитического роста планарных нанопроволок GaAs (Монте-Карло моделирование), Двадцать девятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-29), г. Москва, 14-20 апреля 2025 г., устный доклад
Манцурова С.В., Шварц Н.Л. , Монте-Карло моделирование начальных этапов роста планарных нанопроволок GaAs с использованием пленок SiOx, VI Международная конференция "Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов" ММMЭК–2024, г. Москва, 21–23 октября 2024 г., устный доклад
Манцурова С. В., Шварц Н. Л. , Контролируемый рост кремниевых нанопроволок на поверхностях Si (011) и (100) (моделирование методом Монте-Карло), XV Конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, г. Иркутск, 15-20 июля 2024 г., устный доклад
Манцурова С.В. Шварц Н.Л. , Gold-Assisted Nanowire Growth on Silicon Surfaces with Different Orientations (Monte Carlo Simulation), 25 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), Алтай, 28 июня – 2 июля 2024 г., устный доклад
Манцурова С.В. Шварц Н.Л. , Влияние ростовых условий на морфологию планарных кремниевых нанопроволок на поверхности Si(100) (Монте-Карло моделирование) , Международная научная студенческая конференция 2024, г. Новосибирск, 17 – 23 апреля 2024 г., устный доклад
Манцурова С.В. Шварц Н.Л. , Монте-Карло моделирование роста кремниевых нанопроволок разной морфологии и ориентации на поверхности Si(100) , Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», г. Новосибирск, 25 – 26 апреля 2024 г., стендовый доклад
Манцурова С.В. Шварц Н.Л. , Монте-Карло моделирование движения капель Au-Si по поверхности кремния с ориентацией (011) , Школа молодых учёных "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", г. Новосибирск, 29–30 ноября 2023 г., стендовый доклад
Манцурова С.В. Шварц Н.Л. , Влияние интенсивности потока Au и ориентации поверхности Si на скорость движения капель золота (Монте-Карло моделирование) , V Международная конференция "Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов" МММЭК-2023, г. Москва, 23–25 октября 2023 г., устный доклад
Манцурова С.В. Шварц Н.Л. , Движение капель золота по поверхностям Si(011) и Si(311): Монте-Карло моделирование, XXIV Всероссийская конференция молодых учёных по математическому моделированию и информационным технологиям, г. Красноярск, 23–27 октября 2023 г. , устный доклад
Манцурова С.В. Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л. , Temperature influence on the Si(111) surface relief evolution during Au deposition, 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), Алтай, 29 июня – 3 июля 2023 г., устный доклад
Кудрич С.В., Шварц Н.Л. , Влияние температуры на характеристики движения капель Au-Si по поверхности Si(111), Школа молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» , г. Новосибирск, 12-13 декабря 2022 г., стендовый доклад
Кудрич С.В., Шварц Н.Л. , Влияние температуры на морфологию поверхности Si(111) при осаждении золота, Всероссийская научная конференция молодых ученых "Наука. Технологии. Инновации" , г. Новосибирск, 5–8 декабря 2022 г. , устный доклад
Кудрич С.В., Спирина А.А., Шварц Н.Л. , Изучение движения капель золота по поверхности Si(111) с помощью Монте-Карло моделирования , XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, г. Новосибирск, 26-30 сентября 2022 г., устный доклад
Кудрич С.В., Спирина А.А., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л. , Monte Carlo Simulation of Gold Drop Formation and Movement over a Silicon Substrate, 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), Алтай, 28 июня - 2 июля 2022 г., устный доклад
Кудрич С.В., Спирина А.А., Шварц Н.Л., Моделирование методом Монте-Карло формирования и движения капель золота по поверхности кремния, XXII Всероссийская конференция молодых учёных по математическому моделированию и информационным технологиям, г. Новосибирск, 25–29 октября 2021 г., устный доклад

Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):

  1. Стипендия для молодых ученых ИФП СО РАН - 2024
  2. Диплом 2 степени за доклад на Международной научной студенческой конференции 2024 г.
  3. Диплом 3 степени за доклад на Школе молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» 2024 г.
  4. Диплом 2 степени за доклад на Школе молодых учёных "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем" 2023 г.
  5. Диплом за лучший доклад на XXIV Всероссийской конференции молодых учёных по математическому моделированию и информационным технологиям 2023 г.
  6. Диплом 3 степени за доклад на 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) 2023 г.
  7. Стипендия мэрии города Новосибирска 2023 г.
  8. Стипендия Губернатора Новосибирской области имени Г.П. Лыщинского 2022 г.
  9. Грант НГТУ для выполнения научной работы № 0014 от 06.05.2022

Отчёты о выполнении НИР:

1-й семестр:

В течение 1-го семестра обучения в аспирантуре получены следующие основные результаты:
С помощью моделирования показана возможность использования структурированных слоев оксида кремния для организации планарного роста НП при учете влияния толщины оксида кремния на смачиваемость его поверхности каплями галлия;
Выявлен диапазон интенсивностей потоков Ga и As2, в котором наблюдался стабильный рост ПНП GaAs при заданной температуре;
Исследовано влияние геометрии структурированной поверхности на морфологию планарных нанопроволок;
По теме работы подготовлены и опубликованы тезисы и статья в журнале ФТП.

2-й семестр:

В течение 2-го семестра обучения в аспирантуре получены следующие основные результаты: Проведено Монте-Карло моделирование самокаталитического роста планарных нанопроволок GaAs на подложках Si(111), покрытых структурированной пленкой-маской в виде системы параллельных траншей; Проанализирована геометрия фронта кристаллизации GaAs под каплей Ga для траншей, ориентированных вдоль направлений [01-1] и [-211]; Исследована скорость роста кристалла в траншеях с разной ориентацией; Проанализирована стабильность планарного роста в разных траншеях от температуры; Выяснено, что направление траншеи [01-1] является оптимальным для стабильного роста планарных нанопроволок GaAs; По теме исследования опубликован тезис в трудах конференции ВНКСФ-29 и опубликована статья в журнале "Автометрия".