СОТРУДНИКИ

Шварц Наталия Львовна

старший научный сотрудник
к.ф.-м.н.

тел. 333-14-75
Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

519 ЛТК

Область научных интересов:

Монте-Карло моделирование, механизмы формирования наноструктур (нитевидные нанокристаллы, нанокластеры), эпитаксиальный рост полупроводниковых слоёв, морфология поверхностей полупроводников при эпитаксии и отжиге.

Образование:

  • 1973г. - окончила НГУ по специальности физика, прикладная математика,
  • 1991 г. - защитила диссертацию к.ф.-м.н.
  • 1999 г. присвоено звание старший научный сотрудник.

Трудовая деятельность:

основное место работы - Институт физики полупроводников.

  • 1973-1974 стажер исследователь НГУ,
  • 1974-1978 аспирантура НГУ
  • 1979- по настоящее время - ИФП СО РАН
  • с 1987 г. - научный сотрудник,
  • с 1998 г. – старший научный сотрудник.

Педагогическая деательность:

  • С 1996 по настоящее время доцент кафедры ППМЭ РЭФ НГТУ,
  • 1993-2011- Высший колледж информатики НГУ,
  • 1996-2000 – СУНЦ НГУ,
  • 2005-2010 ФИТ НГУ

2010 г. присвоено звание доцента
С 2012- по н/вр. – руководитель филиала кафедры ППМЭ НГТУ в ИФП СО РАН.

Читает лекции по спецкурсу «Элементы и приборы наноэлектроники » и ведет семинары по спецкурсу «Семинары по специальности» на кафедре ППиМЭ НГТУ.

Руководство студентами и аспирантами.

Под руководством Н.Л.Шварц защищена 1 кандидатская диссертация, 9 магистерских диссертаций и 14 диплома бакалавра.

Премии и награды:

  • 2006 г. награждена Почетной грамотой Российской академии наук и Профсоюза работников Российской академии наук
  • За многолетнюю и плодотворную работу отмечена благодарностью Президиума СО РАН.

Избранные публикации:

Опубликовано более 90 научных работ, среди них:

  1. A.A. Spirina, V.L. Alperovich, N.L. Shwartz, Langmuir evaporation of GaAs(111)A and GaAs(111)B: Monte Carlo simulation, Applied Surface Science 540 148281 (2021)
  2. A. G. Nastovjak and N. L. Shwartz Examination of the crystallization process at the liquid-crystal interface during nanowire growth. Nanotechnology, 31 (2020) 354005.
  3. A. Spirina, N. Shwartz, Metal droplet formation and motion during the III-V semiconductor evaporation, Materials Science in Semiconductor Processing, 100, 319-325 (2019).
  4. N.L. Shwartz, M.A. Vasilenko, A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny. Concentric GaAs nanorings formation by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Computational Materials Science 141C pp. 91-100. (2018)
  5. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Anisotropy in Ostwald ripening and step-terraced surface formation on GaAs(001): experiment and Monte Carlo simulation, Appl. Surf. Sci., 2015, v. 359, p. 372-379.
  6. M. A. Vasilenko, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz. Formation of GaAs nanostructures by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Comput. Mater. Sci. 102 (2015) 286-292
  7. D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev. Monte Carlo simulation of GaAs(001) surface smoothing in equilibrium conditions. Applied Surface Science, 333 (2015) 141–146.
  8. E. A. Mikhantiev, I. G. Neizvestny, S. V. Usenkov, N. L. Shwartz. Silicon monoxide role in silicon nanocluster formation during Si-rich oxide layer annealing – Monte Carlo simulation. Computational Materials Science, 90, 99 – 105, 2014.
  9. A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz. Peculiarities of axial and radial Ge–Si heterojunction formation in nanowires: Monte Carlo simulation. Pure Appl. Chem., v. 84, n. 12, p. 2619-2628 (2012).
  10. A.G.Nastovjak, I.G.Neizvestny, N.L.Shwartz. Possibilities of Monte Carlo Simulation for Examination of Nanowhisker Growth. Pure Appl. Chem., 2010, Vol. 82, No. 11, pp. 2017-2025.
  11. А.В. Зверев, К.Ю. Зинченко, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая. Монте-Карло моделирование процессов роста наноструктур с алгоритмом планирования событий на шкале времени. Российские нанотехнологии, 2009, Т. 4, № 3–4, С. 85-93.
  12. I.G.Neizvestny, N.L.Shwartz, Z.Sh.Yanovitskaya, A.V.Zverev. Monte Carlo simulation of porous layers sintering. Key Engineering Materials. (2007) V. 352, pp. 5- 8.
  13. I.G.Neizvestny, K.N.Romanyuk, N.L.Shwartz, S.A.Teys, Z.S.Yanovitskaya, A.V.Zverev.. Edge-dimer row – the reason of three-bilayer steps and islands stability on Si(111) - 7x7. Surf. Sci. (2006) V.600, p.3079-3086
  14. I.G.Neizvestny, N.L.Shwartz, Z.S.Yanovitskaya, A.V.Zverev. Simulation of surface relief effect on ALD process. Computational Material Science (2006) V.36, p.36-41.
  15. А. Зверев, И.; Неизвестный, Н. Шварц, З. Яновицкая. Влияние моновакансий на ширину террас при сублимации с поверхности (111) алмазоподобного кристалла. ФТП, 2003, 37, 674-680.
  16. I.G.Neizvestny, N.L.Shwartz, Z.S.Yanovitskaya, A.V.Zverev. A. V. Monte Carlo simulation of steps behavior on Si(111) surface during sublimation. Thin Solid Films, 2000, 380, 61-63.