СОТРУДНИКИ
![]() |
Шварц Наталия Львовна старший научный сотрудник тел. 333-14-75 |
Область научных интересов:
Монте-Карло моделирование, механизмы формирования наноструктур (нитевидные нанокристаллы, нанокластеры), эпитаксиальный рост полупроводниковых слоёв, морфология поверхностей полупроводников при эпитаксии и отжиге.
Образование:
- 1973г. - окончила НГУ по специальности физика, прикладная математика,
- 1991 г. - защитила диссертацию к.ф.-м.н.
- 1999 г. присвоено звание старший научный сотрудник.
Трудовая деятельность:
основное место работы - Институт физики полупроводников.
- 1973-1974 стажер исследователь НГУ,
- 1974-1978 аспирантура НГУ
- 1979- по настоящее время - ИФП СО РАН
- с 1987 г. - научный сотрудник,
- с 1998 г. – старший научный сотрудник.
Педагогическая деательность:
- С 1996 по настоящее время доцент кафедры ППМЭ РЭФ НГТУ,
- 1993-2011- Высший колледж информатики НГУ,
- 1996-2000 – СУНЦ НГУ,
- 2005-2010 ФИТ НГУ
2010 г. присвоено звание доцента
С 2012- по н/вр. – руководитель филиала кафедры ППМЭ НГТУ в ИФП СО РАН.
Читает лекции по спецкурсу «Элементы и приборы наноэлектроники » и ведет семинары по спецкурсу «Семинары по специальности» на кафедре ППиМЭ НГТУ.
Руководство студентами и аспирантами.
Под руководством Н.Л.Шварц защищена 1 кандидатская диссертация, 9 магистерских диссертаций и 14 диплома бакалавра.
Премии и награды:
- 2006 г. награждена Почетной грамотой Российской академии наук и Профсоюза работников Российской академии наук
- За многолетнюю и плодотворную работу отмечена благодарностью Президиума СО РАН.
Избранные публикации:
Опубликовано более 90 научных работ, среди них:
- A.A. Spirina, N.L. Shwartz, Monte Carlo simulation of planar GaAs nanowire growth, Journal of Crystal Growth, Vol. 632, p. 127631, 2024. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127631
- G. Tsamo, A.G. Nastovjak, N.L. Shwartz, P.E. Hoggan, C. Robert-Goumet, A. Pimpinelli, M. Petit, A. Ranguis, E. Gardes, M. Sall, L. Bideux, G. Monier. Growth Mechanisms of GaN/GaAs Nanostructures by Droplet Epitaxy Explained by Complementary Experiments and Simulations. The Journal of Physical Chemistry C, 2024, Vol. 128, No. 12 p. 5168-5178. https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c07945
- S.V. Mantsurova, N.L. Shwartz, Effect of silicon surface orientation on the Au droplet motion, Surfaces and Interfaces, Volume 41, 2023, 103193, ISSN 2468-0230, https://doi.org/10.1016/j.surfin.2023.103193.
- A.G. Nastovjak, D.V. Shterental, N.L. Shwartz. Simulation of GaAs nanowire annealing. Computational Materials Science 228 (2023) 112310. https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2023.112310.
- D M Kazantsev, I O Akhundov, A S Kozhuhov, V S Khoroshilov, N L Shwartz, V L Alperovich and A V Latyshev., Kinetically driven thermal roughening of semiconductor surfaces: experiment on GaAs and Monte Carlo simulation. Phys. Scr. 98, 035702, 2023. DOI 10.1088/1402-4896/acb6bc
- Nastovjak A. G., Shterental, D. V., Shwartz N. L. Monte Carlo Simulation of Alternate Pulsed Epitaxial Growth of GaAs Nanowires. Physica status solidi (b), 2022, 259, 2100641. https://doi.org/10.1002/pssb.202100641
- A.A. Spirina, N.L. Shwartz, Time evolution of GaAs(111) surface morphology and desorption rate during Langmuir evaporation: Monte Carlo simulation, , Materials Science in Semiconductor Processing, 2021, V.124, P. 106025. doi.org/10.1016/j.mssp.2021.106025.
- A.A. Spirina, V.L. Alperovich, N.L. Shwartz, Langmuir evaporation of GaAs(111)A and GaAs(111)B: Monte Carlo simulation, Applied Surface Science 540 148281 (2021)
- A. G. Nastovjak and N. L. Shwartz Examination of the crystallization process at the liquid-crystal interface during nanowire growth. Nanotechnology, 31 (2020) 354005.
- A. Spirina, N. Shwartz, Metal droplet formation and motion during the III-V semiconductor evaporation, Materials Science in Semiconductor Processing, 100, 319-325 (2019).
- N.L. Shwartz, M.A. Vasilenko, A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny. Concentric GaAs nanorings formation by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Computational Materials Science 141C pp. 91-100. (2018)
- D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Anisotropy in Ostwald ripening and step-terraced surface formation on GaAs(001): experiment and Monte Carlo simulation, Appl. Surf. Sci., 2015, v. 359, p. 372-379.
- M. A. Vasilenko, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz. Formation of GaAs nanostructures by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Comput. Mater. Sci. 102 (2015) 286-292
- D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev. Monte Carlo simulation of GaAs(001) surface smoothing in equilibrium conditions. Applied Surface Science, 333 (2015) 141–146.
- E. A. Mikhantiev, I. G. Neizvestny, S. V. Usenkov, N. L. Shwartz. Silicon monoxide role in silicon nanocluster formation during Si-rich oxide layer annealing – Monte Carlo simulation. Computational Materials Science, 90, 99 – 105, 2014.
- A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz. Peculiarities of axial and radial Ge–Si heterojunction formation in nanowires: Monte Carlo simulation. Pure Appl. Chem., v. 84, n. 12, p. 2619-2628 (2012).
- A.G.Nastovjak, I.G.Neizvestny, N.L.Shwartz. Possibilities of Monte Carlo Simulation for Examination of Nanowhisker Growth. Pure Appl. Chem., 2010, Vol. 82, No. 11, pp. 2017-2025.
- А.В. Зверев, К.Ю. Зинченко, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая. Монте-Карло моделирование процессов роста наноструктур с алгоритмом планирования событий на шкале времени. Российские нанотехнологии, 2009, Т. 4, № 3–4, С. 85-93.
- I.G.Neizvestny, N.L.Shwartz, Z.Sh.Yanovitskaya, A.V.Zverev. Monte Carlo simulation of porous layers sintering. Key Engineering Materials. (2007) V. 352, pp. 5- 8.
- I.G.Neizvestny, K.N.Romanyuk, N.L.Shwartz, S.A.Teys, Z.S.Yanovitskaya, A.V.Zverev.. Edge-dimer row – the reason of three-bilayer steps and islands stability on Si(111) - 7x7. Surf. Sci. (2006) V.600, p.3079-3086
- I.G.Neizvestny, N.L.Shwartz, Z.S.Yanovitskaya, A.V.Zverev. Simulation of surface relief effect on ALD process. Computational Material Science (2006) V.36, p.36-41.
- А. Зверев, И.; Неизвестный, Н. Шварц, З. Яновицкая. Влияние моновакансий на ширину террас при сублимации с поверхности (111) алмазоподобного кристалла. ФТП, 2003, 37, 674-680.
- I.G.Neizvestny, N.L.Shwartz, Z.S.Yanovitskaya, A.V.Zverev. A. V. Monte Carlo simulation of steps behavior on Si(111) surface during sublimation. Thin Solid Films, 2000, 380, 61-63.