Дата рождения: |
17.08.1993 |
Вуз (дата окончания): |
НГУ (2017) |
Год поступления в аспирантуру: |
2017 |
Форма обучения: |
очная |
Направление подготовки: |
03.06.01 - "Физика и астрономия" |
Специальность: |
01.04.07 - "Физика конденсированного состояния" |
Тема диссертации: |
Атомная структура границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах A3B5-Si |
Научный руководитель: |
к.ф.-м.н. Гутаковский Антон Константинович |
Лаборатория: |
Лаб. № 20 |
E-mail: |
avgystina17mail.ru |
Название | Первая страница |
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К. Исследование структурных и морфологических особенностей нанокристаллов селенида кадмия методом высокоразрешающей электронной микроскопии // Известия высших учебных заведений. Физика. № 34 .2017. |
|
Aksenov, M. S., Gutakovskii, A. K., Prosvirin, I. P., Dmitriev, D. V., Nedomolkina, A. A. Valisheva, N. A. Anodic layer formation on the InAlAs surface in Townsend gas-discharge plasma // Materials Science in Semiconductor Processing, 102, 2019, 5. |
|
Valisheva, N. A., Kruchinin, V. N., Aksenov, M. S., Azarov, I. A. & Nedomolkina, A. AThin Optical properties of native (anodic) layer on the InAlAs surface of different morphology // Solid Films, 728, 2021. |
|
Название | Обложка | Первая страница |
Недомолкина, А.А. Исследование двумерных массивов нанокристаллов CdSe методом высокоразрешающей электронной микроскопии / А.А. Недомолкина, А.К. Гутаковский - Текст: непосредственный // Тезисы докладов Первой ежегодной Российской национальной конференции с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микро/наносистемной технике, NMST-2016. - 2016. - 26-29 июня. - С. 50-54. |
 |
 |
Недомолкина, А.А. Исследование двумерных массивов нанокристаллов CdSe методом высокоразрешающей электронной микроскопии / А.А. Недомолкина, А.К. Гутаковский. - Текст: непосредственный // Тезисы докладов Международной конференции ФизикА.СПб/2016. - 2016. - 1-3 ноября. |
|
 |
Недомолкина, А.А. Исследование двумерных массивов нанокристаллов CdSe методом высокоразрешающей электронной микроскопии / А.А. Недомолкина, А.К. Гутаковский - Текст: непосредственный // Тезисы докладов Международной научной студенческой конференция МНСК-2017. - 2017 - 16 - 20 апреля - С. 24. |
|
 |
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К. Особенности структуры эпитаксиальных слоёв GaSb на поверхности Si(001). Тезисы докладов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018, 2018, 90. |
|
|
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К., Аксенов М.С., Валишева Н.А., Дмитриев Д.В. Исследование морфологии границ раздела Au/Ti/InAlAs и анодный слой/ InAlAs методом высокоразрешающей электронной микрокопии. Тезисы докладов 57-й Международной научной студенческой конференции. Новосибирск, 14-19 апреля 2019 г., с. 23. |
|
|
Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К. , Исследование двумерных массивов нанокристаллов CdSe методом высокоразрешающей электронной микроскопии, Международная научная студенческая конференция МНСК-2017, г. Новосибирск, 16 - 20 апреля 2017 г, устный доклад |
|
|
|
 |
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К. , Исследование двумерных массивов нанокристаллов CdSe методом высокоразрешающей электронной микроскопии, Международная конференция ФизикА.СПб/2016, г. Санкт-Петербург, 1-3 ноября 2016 г, стендовый доклад |
|
|
|
 |
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К., Исследование двумерных массивов нанокристаллов CdSe методом высокоразрешающей электронной микроскопии, Первая ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микро/наносистемной технике, NMST-2016, г. Новосибирск, 26-29 июня 2016 г, устный доклад |
 |
|
|
 |
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К. , Особенности структуры эпитаксиальных слоёв GaSb на поверхности Si(001). , КРЕМНИЙ-2018, Черноголовка, 22-26 октября 2018 г, стендовый доклад |
|
|
|
|