Голяшов Владимир Андреевич
| Дата рождения: | 09.09.1989 |
| Вуз (дата окончания): | НГУ (2013) |
| 2013 | |
| Форма обучения: | очная |
| 03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
| Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
| Тема диссертации: | Электрофизические свойства кристаллов халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы, выращенных методом Бриджмена |
| Научный руководитель: | д.ф.-м.н., профессор Терещенко Олег Евгеньевич |
| Лаборатория: | Лаб. №37 |
| E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
| Название | Первая страница |
|---|---|
| V.V. Atuchin, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, I.V. Korolkov, A.S. Kozhukhov, V.N. Kruchinin, I.D. Loshkarev, L.D. Pokrovsky, I.P. Prosvirin, K.N. Romanyuk, O.E. Tereshchenko. Crystal growth of Bi2Te3 and noble cleaved (0001) surface properties. // Journal of Solid State Chemistry 236, 203–208 (2016). |  |
| T. Bathon, S. Achilli, P. Sessi, V.A. Golyashov, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, and M. Bode, Experimental Realization of a Topological p–n Junction by Intrinsic Defect Grading. // Adv. Mater., 28: 2183–2188. doi:10.1002/adma.201504771 (2016). | |
| M.S. Aksenov, A.Yu. Kokhanovskii, P.A. Polovodov, S.F. Devyatova, V.A. Golyashov, A.S. Kozhukhov, I.P. Prosvirin, S.E. Khandarkhaeva, A.K. Gutakovskii, N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, InAs-based metal-oxide-semiconductor structure formation in low-energy Townsend discharge. // Applied Physics Letters 107, 173501 (2015). | |
| O.E. Tereshchenko, V.A. Golyashov, S.V. Eremeev, I. Maurin, A.V. Bakulin, S.E. Kulkova, M.S. Aksenov, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, D.V. Dmitriev, A.I. Toropov, A.K. Gutakovskii, S.E. Khandarkhaeva, I.P. Prosvirin, A.V. Kalinkin, V.I. Bukhtiyarov, A.V. Latyshev. Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs interface for spin-polarimetry applications. // Applied Physics Letters 107, 123506 (2015). | |
| N.A. Valisheva, M.S. Aksenov, V.A. Golyashov, T.A. Levtsova, A.P. Kovchavtsev, A.K. Gutakovskii, S.E. Khandarkhaeva, A.V. Kalinkin, I.P. Prosvirin, V.I. Bukhtiyarov, and O. E. Tereshchenko. Oxide-free InAs(111)A interface in metal-oxide-semiconductor structure with very low density of states prepared by anodic oxidation. // Applied Physics Letters (2014) 105, 161601. | |
| K.A. Kokh, S.V. Makarenko, V.A. Golyashov, O.A. Shegai and O.E. Tereshchenko. Melt growth of bulk Bi2Te3 crystals with a natural p–n junction. // CrystEngComm (2014) 16, 581-584. | |
| A. M. Shikin, I. I. Klimovskikh, S. V. Eremeev, A. A. Rybkina, M. V. Rusinova, A. G. Rybkin, E. V. Zhizhin, J. Sánchez-Barriga, A. Varykhalov, I. P. Rusinov, E. V. Chulkov, K. A. Kokh, V. A. Golyashov, V. Kamyshlov, and O. E. Tereshchenko. Electronic and spin structure of the topological insulator Bi2Te2.4Se0.6. // Phys. Rev. B (2014) 89, 125416. | |
| V. A. Golyashov, K. A. Kokh, S. V. Makarenko, K. N. Romanyuk, I. P. Prosvirin, A. V. Kalinkin, O. E. Tereshchenko, A. S. Kozhukhov, D. V. Sheglov, S. V. Eremeev, S. D. Borisova, and E. V. Chulkov. Inertness and degradation of (0001) surface of Bi2Se3 topological insulator. // J. Appl. Phys. 112 (2012), 113702. | |
| Н.А. Валишева, О.Е. Терещенко, И.П. Просвирин, А.В. Калинкин, В.А. Голяшов, Т.А. Левцова, В.И. Бухтияров. Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава. // Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), c. 569-575. | |
| V.V. Atuchin, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, I.V. Korolkov, A.S. Kozhukhov, V.N. Kruchinin, S.V. Makarenko, L.D. Pokrovsky, I.P. Prosvirin, K.N. Romanyuk, and O.E. Tereshchenko. Formation of inert Bi2Se3(0001) cleaved surface. // Cryst. Growth Des. 11 (2011), pp 5507–5514 | |
| О.Е. Терещенко, К.А. Кох, В.В. Атучин, К.Н. Романюк, С.В. Макаренко, В.А. Голяшов, А.С. Кожухов, И.П. Просвирин, А.А. Шкляев. Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3. // Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), c. 500–503. | |
Труды конференций:
| Название | Обложка | Первая страница |
|---|---|---|
| В.А. Голяшов, К.А. Кох, О.Е. Терещенко. Транспортные свойства топологических изоляторов Bi2Te3 и BixSb2-xTe3 с p-n переходом. Материалы XX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», том 2, стр. 539-540. Нижний Новгород, 14-18 марта 2016. |  |
|
| В.А. Голяшов, А.А. Родионов, И.Б. Чистохин, А.С. Ярошевич, Т.С. Шамирзаев, И.А. Деребезов, В.А. Гайслер, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, И.И. Мараховка, А.В. Копотилов, Н.В. Кислых, В.В. Аксенов, О.Е. Терещенко. Полупроводниковый спин детектор с пространственным разрешением. Материалы XX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», том 2, стр. 541-542. Нижний Новгород, 14-18 марта 2016. | |
|
| В.А. Голяшов, К.А. Кох, О.Е. Терещенко. Транспортные свойства топологических изоляторов Bi2Te3 и BixSb2-xTe3 с p-n переходом. XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников. Программа и тезисы докладов, стр. 199-200. Екатеринбург, 15 - 20 февраля, 2016. | |
|
| О.Е. Терещенко, М.С. Аксенов, В.А. Голяшов, Н.П. Степина, В.В. Кириенко, Л.В. Бондаренко, А.Ю. Тупчая, Д.В. Грузнев., А.А. Саранин. Спин-поляризованные состояния в системе Bi/InAs(111)A. XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников. Программа и тезисы докладов, стр. 87-88. Екатеринбург, 15 - 20 февраля, 2016. | |
|
| В.А. Голяшов, К.А. Кох, О.А. Шегай, О.Е. Терещенко. p-n переход в объеме и на поверхности топологических изоляторов Bi2Te3 и BixSb2-xTe3. XII Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, стр. 207. Звенигород, Московская область, 21-25 сентября, 2015. | |
|
| О.Е. Терещенко, В.А. Голяшов, И.Б. Чистохин, Т.С. Шамирзаев, А.С. Ярошевич, В.А. Гайслер, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, А. Копотилов, Н.В. Кислых. Инжекция свободных спин-поляризованных электронов в гетероструктуры на основе A3B5. XII Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, стр. 320. Звенигород, Московская область, 21-25 сентября, 2015. | |
|
| О.Е. Терещенко, В.А. Голяшов, К.А. Кох, И.И. Климовских, А.М. Шикин, С.В. Еремеев, Е.В. Чулков. Формирование комбинированной электронной структуры спин-поляризованных поверхностных состояний Дирака и Рашбы. XII Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, стр. 200. Звенигород, Московская область, 21-25 сентября, 2015. | |
|
Личное участие в конференциях:
| Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
|---|---|---|---|---|
| В.А. Голяшов, К.А. Кох, О.Е. Терещенко, Транcпортные свойства топологических изоляторов Bi2Te3 и BixSb2-xTe3 с p-n переходом, XX международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 14-18 марта 2016, стендовый доклад | |
|
|
|
| В.А. Голяшов, К.А. Кох, О.Е. Терещенко, Транcпортные свойства топологических изоляторов Bi2Te3 и BixSb2-xTe3 с p-n переходом, XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург, 15 - 20 февраля 2016, устный доклад | |
|
|
|
| В.А. Голяшов, К.А. Кох, О.А. Шегай, О.Е. Терещенко, p-n переход в объеме и на поверхности топологических изоляторов Bi2Te3 и BixSb2-xTe3, XII Российская конференция по физике полупроводников, Звенигород, Московская область, 21-25 сентября 2015, стендовый доклад | |
|
|
|
| В.А. Голяшов, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, М.С. Аксенов, Н.А.Валишева, И.П. Просвирин, А.В. Калинкин, В.И. Бухтияров, А.В. Бакулин, С.Е. Кулькова, О.Е. Терещенко, Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов, Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур, Новосибирск, 15-18 сентября 2014, стендовый доклад | |
|
|
|
Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):
- В 2015 г. участвовал в конкурсе и получил стипендию ИФП СО РАН для молодых учёных. Название работы: «Модификация электронной структуры поверхности (0001) BiTeI»
Участие в грантах:
- Руководитель гранта РФФИ 16-32-00637_мол_а
Дополнительная информация по научной деятельности:
1) Поездка на синхротрон BESSY (Берлин, Германия), Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, 05.12-15.12.2014.
2) Поездка на синхротрон MaxIV Lab (Лунд, Швеция), Lund University. 01.09-09.09.2014
2) Поездка на синхротрон MaxIV Lab (Лунд, Швеция), Lund University. 01.09-09.09.2014
Отчёты о выполнении НИР:
1-й семестр:
Методами фотоэлектронной спектроскопии и сканирующей туннельной микроскопии было изучено влияния прогревов в вакууме на структуру и электронные свойства поверхности (0001) полупроводника BiTeI, имеющего гигантское расщепление Рашбы. Установлено, что при прогреве BiTeI в вакууме при температурах 300-450 OС идет сублимация атомов I с поверхности, и, вследствие изменения стехиометрического состава поверхностного слоя, в поверхностных слоях происходит структурный фазовый переход с образованием, предположительно, квинтислоев Bi2Te2I. При этом наблюдается изменение зонной структуры поверхности с формированием поляризованных по спину поверхностных состояний Дираковского типа и сохранением гигантского расщепления Рашбы в объеме.