В четверг 4 октября  в 14:00 в конференц-зале АК состоится научный семинар Совета научной молодёжи ИФП СО РАН. На семинаре будет представлен доклад:

И.О.Ахундов "Формирование упорядоченных террасированных поверхностей GaAs в равновесных условиях".

Развит метод получения террасированных поверхностей GaAs, состоящий в отжиге в условиях равновесия поверхности с парами галлия и мышьяка. Формирование террасированных поверхностей описано с помощью корреляционного и Фурье анализа, а также параметрами среднеквадратичной шероховатости и полной длины моноатомных ступеней. Показано, что разупорядочение поверхности при высоких температурах T>700°С связано с нарушением равновесных условий. Предложена качественная модель разупорядочения.