ПУБЛИКАЦИИ
2009
Акимов А.Н., Беленчук А.В., Климов А.Э., Качанова М.М., Неизвестный И.Г., Супрун С.П., Шаповал О.М., Шерстякова В.Н., Шумский В.Н. Тонкопленочные структуры PbSnTe: In/BaF2/CaF2/Si для монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона // Письма в Журнал технической физики. 2009. Т. 35. № 11. С. 88-96. (перевод - Akimov A.N., Belenchuk A.V., Klimov A.É., Kachanova M.M., Neizvestny I.G., Suprun S.P., Shapoval O.M., Sherstyakova V.N., Shumsky V.N. Thin-film PbSnTe: In/BaF2/CaF2/Si structures for monolithic matrix photodetectors operating in the far infrared range // Technical Physics Letters. 2009. Т. 35. № 6. С. 524-527. DOI: 10.1134/S1063785009060133)
Впервые описано создание матричных фотоприемников форматом 288 × 2 с размером элемента 25 × 25 μm на основе структур PbSnTe: In/BaF2/CaF2/Si и приведены пороговые характеристики этих структур. Обнаружительная способность около 90% элементов составляет от 7.2 · 1012 до 8.7 · 1012 cm· Hz0.5/W при T=21.2 K. Разработанная технология открывает возможности создания монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона. (We report for the first time on the creation of 288 × 2 matrix photodetectors with an element size of 25 × 25 μm based on PbSnTe: In/BaF2/CaF2/Si structures and present their threshold characteristics. The detection ability of about 90% elements ranges from 7.2 × 1012 to 8.7 × 1012 cm Hz0.5/W at T = 21.2 K. The proposed technology opens ways to the creation of monolithic matrix photodetectors operating in the far-IR range.)
Галкин П.С., Игуменов И.К., Климов А.Э., Кубарев В.В., Неизвестный И.Г., Пащин Н.С., Чесноков Е.Н., Шумский В.Н. Разработка элементов системы регистрации изображений в терагерцовой области спектра на основе пленок PbSnTe: In // Автометрия. 2009. Т. 45. № 4. С. 85-94. (перевод - Galkin P.S., Igumenov I.K., Klimov A.E., Kubarev V.V., Neizvestny I.G., Pashchin N.S., Chesnokov E.N., Shumskii V.N. Terahertz imaging system components based on PbSnTe: In films // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2009. Т. 45. № 4. С. 350-360.)
Приведены результаты экспериментальных исследований и расчетов отдельных составляющих макетной системы регистрации терагерцового излучения и формирования изображения, включая лазер на свободных электронах и устройства для диагностики его излучения, пленочные экраны с поглощающими покрытиями для формирования промежуточного теплового изображения, прототипы чувствительных элементов на основе пленок PbSnTe: In. (This paper reports the results of experimental studies and calculations of components of a model system for detection and imaging in the terahertz range, including a free-electron laser and devices for laser radiation diagnostics, film shields with absorbing coatings for intermediate thermal imaging, and prototype sensitive elements based on PbSnTe: In films.)
Климов А.Э., Неизвестный И.Г., Шумский В.Н. Особенности транспорта носителей заряда в узкозонном сегнетоэлектрике PbSnTe: In // Вестник СибГУТИ. 2009. № 3 (7). С. 10-22.
Обсуждаются особенности протекания тока в PbSnTe: In при гелиевых температурах без освещения и при оптическом возбуждении как межзонных переходов, так и переходов электронов с локальных центров в зону проводимости. Рассмотрена трансформация вольтамперных характеристик в зависимости от величины и направления магнитного поля. Обсуждение результатов проводится на основе модели, учитывающей наличие сегнетоэлектрического фазового перехода при Т≈ 20 К, малую концентрацию равновесных носителей заряда и преобладание инжекционного тока, ограниченного пространственным зарядом, в присутствии центров захвата электронов.
Климов А.Э., Шумский В.Н. Матричные фотоприемные устройства инжекционного типа на основе легированных теллуридов свинца и олова: возможности и перспективы // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 12-19. (перевод - Klimov A.E., Shumskii V.N. Injection-type photodetector arrays based on doped lead-tin tellurides: Possibilities and prospects // Journal of Optical Technology. 2009. Т. 76. № 12. С. 744-749. DOI: 10.1364/JOT.76.000744)
Фоточувствительность легированных твердых растворов теллуридов свинца и олова проанализирована с учетом инжекции носителей заряда из контактов. Рассмотрены особенности фотоответа как в области фундаментального поглощения, так и в субмиллиметровой области спектра. Приведены экспериментальные результаты исследования свойств фотоприемных устройств на основе указанных соединений, и рассмотрены перспективы их применения в инфракрасной и субмиллиметровой областях спектра. (The photosensitivity of doped solid solutions of lead-tin tellurides is analyzed, taking into account charge-carrier injection from the contacts. The features of the photoresponse are considered both in the fundamental-absorption region and in the submillimeter spectral region. The experimental results of an investigation of the properties of photodetector devices based on the indicated compounds are presented, and the prospects of using them in the IR and submillimeter regions are considered.)
Супрун С.П., Федосенко Е.В. Формирование гетерограницы GaAs-Ge в присутствии окисла // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2009. Т. 89. № 2. С. 94-97. (перевод - Suprun S.P., Fedosenko E.V. Formation of the GaAs-Ge heterointerface in the presence of oxide // JETP Letters. 2009. Т. 89. № 2. С. 84-87. DOI: 10.1134/S0021364009020088)
Приведены результаты исследования методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение процесса формирования гетерограницы GaAs-Ge при условии неполного удаления всех окисных фаз с поверхности подложки GaAs. Показано, что совмещение процессов окончательной десорбции окисла Ga2O и осаждения Ge позволяет предотвратить испарение мышьяка и нарушение стехиометрии в области границы раздела. (The data of the X-ray photoelectron spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction studies of the formation of the GaAs-Ge heterointerface under incomplete removal of all oxide phases from the GaAs substrate surface are presented. It is shown that the combination of the processes of final Ga2O desorption and Ge deposition allows one to avoid the evaporation of As and the stoichiometry distortion near the interface.)
Супрун С.П., Шерстякова В.Н., Федосенко Е.В. Эпитаксия ZnSe на GaAs при использовании в качестве источника соединения ZnSe // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. № 11. С. 1570-1575. (перевод - Suprun S.P., Sherstyakova V.N., Fedosenko E.V. Epitaxial growth of ZnSe on GaAs with the use of the ZnSe compound as the source // Semiconductors. 2009. Т. 43. № 11. С. 1526-1531. DOI: 10.1134/S1063782609110220)
Исследованы особенности молекулярно-лучевой эпитаксии субмикронных слоев ZnSe на подложках GaAs (001) при использовании в качестве источника соединения ZnSe в зависимости от исходного состояния поверхности подложки и ее температуры. Показано, что после формирования гетерограницы "избыточный" Ga остается на поверхности растущей пленки, определяя при температуре выше 250°C скорость ее роста. Согласно измеренным спектрам низкотемпературной люминесценции, 240°C является оптимальной температурой получения слоев данным способом. (Processes of the molecular-beam epitaxy of submicron layers of ZnSe on GaAs (001) substrates with the use of the ZnSe compound as the source have been investigated depending on the initial state of the substrate surface and its temperature. It is shown that after the formation of the heterointerface the "excess" Ga remains on the surface of the growing film, determining, at temperatures above 250°C, the rate of its growth. According to the experimentally measured spectra of low-temperature luminescence, the optimum temperature of obtaining layers by this method is 240°C.)
Klimov A., Sherstyakova V., Shumsky V. Giant magnetoresistance in narrow-gap ferroelectric-semiconductor PbSnTe: In // Ferroelectrics. 2009. Т. 378. № 1 Part 1. С. 101-110. DOI: 10.1080/00150190902848016
A giant (up to 104) magnetoresistance effect in magnetic fields B ≈ 4 T was observed in MBE-grown PbSnTe: In films under conditions with space-charge-controlled limitation of injection currents. The relative change in the electric current depended on the strength and mutual orientation of the two (electric and magnetic) fields. The effect is discussed in terms of a model in which the static dielectric permittivity ε of the material is assumed to be dependent on crystallographic orientation. Experimental data that show how the permittivity ε of PbSnTe: In films and their current-voltage characteristics depend on the orientation of the electric field vector at B = 0 are reported.
Klimov A.E., Shumsky V.N. Shallow traps and the space-charged-induced limitation of the injection current in PbSnTe: In narrow-gap ferroelectric // Physica B: Condensed Matter. 2009. Т. 404. № 23-24. С. 5028-5031. DOI: 10.1016/j.physb.2009.08.208
In the present paper, for the first time the energy spectrum of localized states in PbSnTe: In was obtained by analyzing experimental current-voltage characteristics of PbSnTe: In film samples measured at T=4.2 K under conditions with prevailing injection of charge carriers out of contacts. The sensitivity of PbSnTe: In to submillimeter radiation due to localized states was calculated versus the radiation wavelength and the bias voltage. The calculated values were compared to experimental data obtained upon illumination of PbSnTe: In samples with free-electron laser radiation with wavelengths λ=130 and 198 μm.
2008
Аюпов Б.М., Девятова С.Ф., Ерков В.Г., Семёнова Л.А. Профили показателей преломления некоторых термических и CVD оксидных пленок на кремнии // Микроэлектроника. 2008. Т. 37. № 3. С. 163-168. (перевод - Ayupov B.M., Devyatova S.F., Erkov V.G., Semenova L.A. Depth profiles of refractive index in thermally grown and LPCVD oxide films on silicon // Russian Microelectronics. 2008. Т. 37. № 3. С. 141-145. DOI: 10.1134/S1063739708030013)
Методом одноволновой монохроматической эллипсометрии с применением методики решения обратных задач по моделям многослойных пленок определены профили показателей преломления для тонких и толстых слоев оксидов кремния, полученных термическим окислением кремния в сухом кислороде и CVD методом при взаимодействии моносилана с кислородом и закисью азота. Анализ полученных профилей распределения показателей преломления исследованных пленок показал, что закономерности изменения этих профилей хорошо согласуются с известными представлениями о механизмах формирования при термическом окислении кремния и выращивании оксидных слоев кремния с постоянной скоростью роста CVD методом. (Thin and thick silicon oxide films are grown by thermal oxidation of silicon in dry oxygen or by LPCVD from a mixture of monosilane with oxygen or nitrous oxide. Depth profiles of refractive index are determined in these films by monochromatic ellipsometry, with the measurements interpreted by solving an inverse problem within a multilayer model. The differences between the depth profiles are found to be consistent with well-known mechanisms of film growth under the process conditions applied.)
Климов А.Э., Шумский В.Н. Фоточувствительность пленок Pb1-xSnxTe в области собственного поглощения // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. № 2. С. 147-152. (перевод - Klimov A.E., Shumskii V.N. Photosensitivity of Pb1-xSnxTe: In films in the region of intrinsic absorption // Semiconductors. 2008. Т. 42. № 2. С. 149-155. DOI: 10.1007/s11453-008-2005-x)
Сделан расчет стационарного фототока в пленках Pb1-xSnxTe <In> в фундаментальной области поглощения с учетом полевой инжекции электронов из контакта и захвата их на ловушки в объеме. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных вольт-амперных характеристик при гелиевых температурах. Приводятся экспериментальные данные по зависимости эффекта Холла от уровня инжекции, которые хорошо согласуются с рассмотренной моделью. (The steady-state photocurrent in the fundamental absorption region of Pb1-xSnxTe: In films is calculated with the field injection of electrons from the contact and their capture by traps in the bulk taken into account. The calculated and experimental current-voltage characteristics are compared at liquid-helium temperature. The represented experimental data on the dependence of the Hall effect on the injection level agree well with the considered model.)
Супрун С., Щеглов Д.В. Воздействие электронного пучка на эпитаксиальные слои CaF2 и BaF2 на Si // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2008. Т. 88. № 5-6. С. 421-425. (перевод - Suprun S.P., Shcheglov D.V. Effect of an electron beam on CaF2 and BaF2 epitaxial layers on Si // JETP Letters. 2008. Т. 88. № 6. С. 365-369. DOI: 10.1134/S0021364008180057)
На подложках Si(lll) методом молекулярно-лучевой эпитаксии последовательно выращены атомарно гладкие слои CaF2 и BaF2. В местах воздействия электронного пучка дпфрактометра при анализе кристаллической структуры поверхности во время роста при последующем наблюдении методом атомно-силовой микроскопии выявлены макродефекты типа пор. Их образование связано с разложением фторидов под действием высокоэнергетичных электронов, сопровождающимся десорбцией фтора и дрейфовым током положительных ионов из мест стока электронного заряда. (Atomically smooth CaF2 and BaF2 layers have been sequentially grown on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy. Pore macrodefects have been revealed at the points of the action of an electron beam from a diffractometer when analyzing the crystal structure of the surface during the growth with the subsequent observation using atomic force microscopy. The formation of these macrodefects is associated with the decomposition of fluorides by high-energy electrons, which is accompanied by the desorption of fluorine and the drift current of positive ions from the electron charge drains.)
Shvets V.A., Aliev V.Sh., Gritsenko D.V., Shaimeev S.S., Fedosenko E.V., Rykhlitski S.V., Atuchin V.V., Gritsenko V.A., Tapilin V.M., Wong H. Electronic structure and charge transport properties of amorphous Ta2O5 films // Journal of Non-Crystalline Solids. 2008. Т. 354. № 26. С. 3025-3033. DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2007.12.013
Amorphous Ta2O5 films were deposited by sputtering Ta onto silicon substrates with reactive ion beam. Electron energy loss spectroscopy measurements on the film found that the plasma oscillation energy is 23.1 eV. The refractive index and the extinction coefficient were measured with spectroscopic ellipsometry over the spectral range of 1.9-4.9 eV. The optical band gap is found to be 4.2 ± 0.05 eV. The valence band consists of three bands separated by ionic gaps. The values of electron effective masses were estimated with DFT quantum-chemical calculation. Experiments on injection of minority carriers from silicon into oxide were also conducted and we found that the electron component of conduction current governed by the electron current in the amorphous Ta2O5.
2007
Акимов А.Н., Беленчук А.В., Ерков В.Г., Климов А.Э., Неизвестный И.Г., Шаповал О.М., Шумский В.Н. Чувствительность пленок PbSnTe: In к субмиллиметровому излучению в условиях полевой инжекции электронов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 12. С. 18-24. (перевод - Akimov A.N., Belenchuk A.V., Erkov V.G., Klimov A.E., Neizvestnyi I.G., Shapoval O.M., Shumskyi V.N. Sensitivity of PbSnTe: In films to submillimeter radiation under conditions of field electron injection // Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2007. Т. 1. № 6. С. 711-716. DOI: 10.1134/S102745100706016X)
На основе представлений об инжекционном характере токов в твердом растворе PbSnTe: In рассмотрены механизмы возникновения фотосигнала в пленках PbSnTe: In в субмиллиметровой области спектра при гелиевых температурах. Показано, что наличие распределенных по энергии уровней захвата для электронов, определяющих особенности вольт-амперных характеристик, может привести к примесной фотопроводимости. При такой чувствительности к субмиллиметровому излучению ее спектральная зависимость должна быть связана с уровнем инжекции, который определяет заполнение ловушек с разной энергией. Рассмотрен механизм возникновения чувствительности, обусловленный взаимодействием субмиллиметрового излучения с фононной подсистемой PbSnTe: In, что может привести к увеличению статической диэлектрической проницаемости и, как следствие, к увеличению инжекционного тока. (Based on the concept of injection currents in the PbSnTe: In alloy, the mechanism of photosignal formation in PbSnTe: In films in the submillimeter spectral range at liquid-helium temperatures was considered. It was shown that the existence of energy-distributed electron trap levels controlling the features in current-voltage characteristics can cause extrinsic photoconductivity. For such sensitivity to submillimeter radiation, its spectral dependence should be related to the injection level controlling the filling of traps with different energies. The sensitivity initiation mechanism caused by the interaction of submillimeter radiation with the PbSnTe: In phonon subsystem was considered. Such a process can result in an increase in the static permittivity and, hence, an increase in the injection current.)
Акимов А.Н., Климов А.Э., Неизвестный И.Г., Шумский В.Н., Кубарев В.В., Смолин О.В., Сусов Е.В. Чувствительность пленок Pb1-xSnxTe в субмиллиметровом диапазоне // Прикладная физика. 2007. № 6. С. 12-16.
Исследована чувствительность пленок Pb1-xSnxTe: In в субмиллиметровом (терагерцовом) диапазоне длин волн при Т = 4,2 К и установлено возрастание тока при их освещении как лазером с λ = 336,8 мкм, так и низкотемпературным абсолютно черным телом с ТBB ≥ 20 К. Рассмотрены механизмы возникновения фототока и перспективы использования фотоприемников на основе Pb1-xSnxTe: In для визуализации изображения в терагерцовом диапазоне длин волн.
Акимов А.Н., Климов А.Э., Шумский В.Н., Асеев А.Л. Матричные фото приёмные устройства субмиллиметрового диапазона на основе плёнок PbSnTe: In // Автометрия. 2007. № 4. С. 63-73. (перевод - Akimov A.N., Klimov A.E., Shumsky V.N., Aseev A.L. Submillimeter matrix photosensitive device on PbSnTe: In films // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2007. Т. 43. № 4. С. 342–350.)
Рассмотрены принципы работы матриц фотоприемников большого размера для визуализации изображения в субмиллиметровой области спектра. Проведена оценка параметров тепловой картины, создаваемой на промежуточном экране субмиллиметровой компонентой излучения объекта с температурой около 300 К, и проанализированы параметры фотоприемников, требуемые для регистрации излучения промежуточного экрана. Показана возможность создания на основе плёнок PbSnTe: In матричных фотоприемных устройств большого размера для формирования изображений объектов, имеющих комнатную температуру, без дополнительной субмиллиметровой подсветки. (Principles of operation of large-scale photodetector arrays for image visualization in a submillimeter spectral range are considered. Parameters of a thermal picture produced on an intermediate screen by a submillimeter component of radiation of an object with a temperature of about 300 K are estimated. Photodetector array parameters required for registration of the intermediate screen radiation are analyzed. The possibility of creating large-scale photodetector arrays on PbSnTe: In films for imaging objects with a room temperature without additional submillimeter illumination is shown.)
Ерков В.Г., Девятова С.Ф. Влияние добавок водорода на осаждение поликристаллического кремния LPCVD методом при пиролизе моносилана // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 2. С. 141-147. (перевод - Erkov V.G., Devyatova S.F. Polycrystalline-silicon LPCVD by silane pyrolysis: the effect of hydrogen injection // Russian Microelectronics. 2007. Т. 36. № 2. С. 120-126. DOI: 10.1134/S1063739707020084)
Исследовано влияние добавок водорода, сравнимых с концентрациями моносилана, на особенности пиролиза моносилана и осаждения слоев поликристаллического кремния в температурном интервале 640-700°C в изотермической зоне РПД промышленного типа с горячими стенками. Энергия активации пиролиза моносилана изменяется от 171 кДж/моль в отсутствии водорода до 247 кДж/моль при введении водорода в газовую смесь. Водород существенно замедляет процесс пиролиза моносилана, причем на стадии молекулярного маршрута разложения SiH4 в газовой фазе, при этом эффективный порядок реакции пиролиза по водороду равен (-2 ± 0.02). Обнаружена сложная зависимость расхода моносилана на осаждение ПК от удельной поверхности осаждения слоев поликристаллического кремния. Подобраны режимы осаждения ПК, обеспечивающие при T= 700°C его равномерное осаждение по ИЗ. При этом удельная проводимость полученных слоев ПК после легирования была в 1.5-2 раза выше проводимости слоев, осаждаемых в стандартных режимах при 640°C и легированных таким же образом. (Experiments are conducted to investigate the effect of hydrogen injection on polycrystalline-silicon (poly-Si) deposition by silane (SiH4) pyrolysis at 640-700°C in an industrial hot-wall LPCVD reactor, the hydrogen concentrations being comparable with the silane concentration. The main results are as follows: (1) Hydrogen injection raises the activation energy of silane pyrolysis from 171 to 247 kJ/mol. (2) Hydrogen injection considerably retards silane pyrolysis by affecting the molecular mechanism of the reaction in the gas phase, the effective reaction order in hydrogen being -2 ± 0.02. (3) The expended silane percentage is a complicated function of surface-area-to-volume ratio. (4) Process conditions at 700°C are identified that provide a uniform profile of deposition rate along the heated zone of the reactor; having doped with phosphorus, poly-Si films thus obtained are found to have conductivities 1.5 to 2 times as high as those of films deposited under standard conditions at 640°C and doped in the same fashion.)
Супрун С.П., Федосенко Е.В. Низкотемпературная перекристаллизация нанометровых слоев Ge на ZnSe // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41. № 5. С. 609-614. (перевод - Suprun S.P., Fedosenko E.V. Low-temperature recrystallization of Ge nanolayers on ZnSe // Semiconductors. 2007. Т. 41. № 5. С. 590-595. DOI: 10.1134/S106378260705020X)
Приведены результаты наблюдения в динамике методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии процесса низкотемпературной перекристаллизации аморфного слоя Ge, осажденного при комнатной температуре на пленку ZnSe. Показано, что экспериментально измеренные сдвиги остовного уровня германия 3d согласуются с изменениями кристаллической структуры слоя, наблюдаемыми методом дифракции быстрых электронов на отражение, и могут быть объяснены последовательными изменениями Ge на наноуровне с ростом температуры. (The in situ X-ray photoelectron spectroscopy observation of low-temperature recrystallization of an amorphous Ge layer deposited on a ZnSe film at room temperature is reported. It is shown that the experimentally measured shifts of the Ge 3d core level are consistent with the changes observed in the crystal structure of the layer by the high-energy electron diffraction technique in the reflection mode of measurements. The shifts can be attributed to successive nanometer-scaled structural changes in the Ge layer with increasing temperature.)
Федосенко Е.В., Супрун С.П., Шерстякова В.Н. Особенности эпитаксии ZnSe на GaAs при наличии избыточного Ga на поверхности // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2007. Т. 4. № 4. С. 56-60.
Исследованы особенности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии субмикронных слоев ZnSe, осаждаемых из соединения, на подложках (001) GaAs в зависимости от исходного состояния поверхности подложки и ее температуры. Физико-химическое взаимодействие элементов подложки и пленки при формировании гетерограницы при температуре выше 250°С приводит к выделению «избыточного» Ga, который остается на поверхности растущей пленки, определяя скорость ее роста.
Klimov A. E., Shumsky V. N., Kubarev V.V. Terahertz sensitivity of Pb1-xSnxTe: In // Ferroelectrics. 2007. Т. 347. С. 111-119. DOI: 10.1080/00150190601187252
An increase in the electric current through Pb1-xSnxTe: In exposed to laser radiation with a wavelength of λ = 336.8 μm was observed. The effect can be explained on the assumption that the low-frequency permittivity ε of Pb1-xSnxTe: In increases under illumination due to photon absorption resulting in the production of one or, more likely, two phonons near the center of the Brillouin zone on the branch responsible for the ferroelectric phase transition. In turn, the increase in ε leads to an increase in the electric current, identified as an injection current, known to vary in proportion to ε .
2006
Акимов А.Н., Ерков В.Г., Кубарев В.В., Молодцова Е.Л., Климов А.Э., Шумский В.Н. Фоточувствительность пленок Pb1-xSnxTe в терагерцовой области спектра // Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40. № 2. С. 169-173. (перевод - Akimov A.N., Erkov V.G., Molodtsova E.L., Klimov A.E., Shumskii V.N., Kubarev V.V. Photosensitivity of Pb1-xSnxTe: In films in the terahertz region of the spectrum // Semiconductors. 2006. Т. 40. № 2. С. 164-168. DOI: 10.1134/S1063782606020096)
В жидком гелии в пленках Pb1-xSnxTe/BaF2 обнаружено увеличение тока под воздействием лазерного излучения с длиной волны λ = 336.8 мкм (частота ~ 0.9 · 1012 Гц), которое не может быть объяснено разогревом образца. Наблюдаемое время релаксации фотосигнала не превосходит постоянной времени RC измерительной цепи, составлявшей доли секунды, и значительно меньше, чем при освещении в фундаментальной полосе поглощения Pb1-xSnxTe. Полученные результаты объясняются увеличением низкочастотной диэлектрической проницаемости varepsilon вследствие возбуждения фотонами субмиллиметрового диапазона длин волн одного или двух поперечных оптических фононов вблизи центра зоны Бриллюэна на ветви, ответственной за сегнетоэлектрический фазовый переход. Это приводит к увеличению ограниченного объемным зарядом инжекционного тока из контактов без генерации свободных носителей заряда в объеме. (An increase in the electrical conductivity is observed in the Pb1-xSnxTe: In/BaF2 films subjected to laser radiation with a wavelength λ = 336.8 μm (the frequency of ~ 0.9 × 1012 Hz) at the liquid-helium temperature; this increase cannot be accounted for by a heating of the sample. The observed photosignal-relaxation time does not exceed the RC time constant of the measurement circuit (this time constant amounts to fractions of seconds) and is much shorter than in the case of illumination within the fundamental absorption band of Pb1-xSnxTe: In. The results obtained relate to an increase in the low-frequency permittivity ε as a result of excitation (by photons of the submillimeter region) of one or two transverse optical phonons in the center vicinity of the Brillouin zone at the branch responsible for the ferroelectric phase transition. This circumstance brings about an increase in the space-charge-limited injection current that flows from the contacts without a generation of free charge carriers in the bulk.)
Климов A.Э., Надолинный В.А., Неизвестный И.Г., Супрун С.П., Цидулко Ю.А., Шумский В.Н. Использование среды с большой диэлектрической проницаемостью для увеличения расстояния между взаимодействующими кубитами // Микроэлектроника. 2006. Т. 35. № 5. С. 323-331. (перевод - Klimov A.E., Neizvestny I.G., Suprun S.P., Shumsky V.N., Nadolinnyi V.A., Tsidulko Yu.A. High-dielectric-constant medium used to increase qubit spacing // Russian Microelectronics. 2006. Т. 35. № 5. С. 277-284. DOI: 10.1134/S1063739706050015)
Предложен вариант квантового компьютера, в котором в качестве среды для межкубитного взаимодействия используется слой с большой диэлектрической проницаемостью на границе с кремниевым регистром. Рассмотрены требования к такой структуре и условия ее реализации на основе твердого раствора Pb1-xSnxTe(In). (A variant of electron-spin quantum computer is discussed in which a film of high dielectric constant is used to provide interaction between qubits situated in silicon. Requirements to be satisfied by such a structure and possible ways of its fabrication are examined in the case of an In-doped Pb1-xSnxTe film.)
Супрун С.П., Федосенко Е.В. Исследование процесса перекристаллизации Ge на поверхности ZnSe // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2006. Т. 3. № 1. С. 92-95.
Изложены результаты наблюдения методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии в динамике процесса низкотемпературной перекристаллизации аморфного слоя Ge, осажденного при комнатной температуре на пленку ZnSe. Показано, что экспериментально наблюдаемые сдвиги остовного уровня Ge 3d согласуются с изменениями кристаллической структуры слоя, наблюдаемыми методом дифракции быстрых электронов на отражение, и могут быть объяснены последовательным изменением размера и типа нанообъекта с ростом температуры.
Талочкин А.Б., Тийс С.А., Супрун С.П. Рамановский Е1, Е1 + Δ1-резонанс в системе ненапряженных квантовых точек германия // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2006. Т. 129. № 5. С. 945-954. (перевод - Talochkin A.B., Teys S.A., Suprun S.P. Raman Е1 and Е1 + Δ1 resonances in a system of unstrained germanium quantum dots // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2006. Т. 102. № 5. С. 828-835. DOI: 10.1134/S1063776106050153)
Исследованы положение и форма рама невского Е1, Е1 + Δ1-резонанса оптических фононов в зависимости от размера ненапряженных квантовых точек германия. Квантовые точки были выращены в структурах GaAs/ZnSe/Ge/ZnSe на подложках GaAs ориентации (111) с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Наблюдался сдвиг положений Е1-, Е1 + Δ1-резонансов, достигающий 0.3 эВ. Показано, что этот сдвиг хорошо описывается в цилиндрической модели с помощью квантования спектра объемных электрон-дырочных состояний германия, образующих экситон в двумерной критической точке. Впервые наблюдалось раздельное проявление пиков Е1- и Е1 + Δ1-резонансов, связанное с трансформацией межзонной плотности состояний в дельта-функцию из-за квантования спектра. Показано, что увеличение амплитуды резонанса в квантовых точках по сравнению с объемным случаем определяется кратностью вырождения экситонного состояния в направлении (111). (The positions and shapes of the Raman Е1 and Е1 + Δ1 resonances of optical phonons are studied as functions of the size of unstrained germanium quantum dots. The quantum dots are grown by molecular-beam epitaxy in GaAs/ZnSe/Ge/ZnSe structures on GaAs(111) wafers. The positions of the Е1 and Е1 + Δ1 resonances are found to shift by at most 0.3 eV. This shift is shown to be well described in terms of a cylindrical model using the quantization of the spectrum of bulk electron-hole states in germanium that form an exciton in a two-dimensional critical point. The fact that the peaks of the Е1 and Е1 + Δ1 resonances appear separately has been detected for the first time, and it is related to the transformation of the interband density of states into a delta function because of spectrum quantization. An increase in the resonance amplitudes in quantum dots as compared to the bulk case is related to the degeneracy multiplicity of the exciton state in the (111) direction.)
2005
Акимов А.Н., Ерков В.Г., Климов А.Э., Молодцова Е.Л., Супрун С.П., Шумский В.Н. Токи инжекции в узкозонном диэлектрике Pb1-xSnxTe // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. № 5. С. 563-568. (перевод - Akimov A.N., Erkov V.G., Klimov A.E., Molodtsova E.L., Suprun S.P., Shumsky V.N. Injection currents in narrow-gap (Pb1-xSnxTe): In insulators // Semiconductors. 2005. Т. 39. № 5. С. 533-538. DOI: 10.1134/1.1923560)
При низких температурах в широком диапазоне напряженности электрического поля исследованы экспериментально вольт-амперные характеристики образцов узкозонного Pb1-xSnxTe и проведены их расчеты. Показано, что полученные результаты хорошо описываются теорией токов, ограниченных объемным зарядом, при наличии центров захвата носителей заряда. Сделаны оценки их концентрации и энергии залегания. (The low-temperature current-voltage characteristics of narrow-gap (Pb1-xSnxTe): In have been studied experimentally and calculated for a wide range of electric fields. It is shown that the obtained data are satisfactorily described in terms of a space-charge-limited current model in the presence of traps. The concentration and energy depth of the traps have been estimated.)
Неизвестный И.Г., Супрун С.П., Шумский В.Н. Исследование фотоэлектрических свойств квантовых точек Ge в матрице ZnSe на GaAs // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. № 1. С. 100-105. (перевод - Neizvestny I.G., Suprun S.P., Shumsky V.N. Study of the photoelectric properties of Ge quantum dots in a ZnSe matrix on GaAs // Semiconductors. 2005. Т. 39. № 1. С. 89-94. DOI: 10.1134/1.1852653)
Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики фототока при T = 4.2 и 300 K в ненапряженной структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/Al с туннельно-прозрачными слоями ZnSe и Ge-квантовыми точками. При комнатной температуре без освещения на вольт-амперных характеристиках наблюдались особенности типа "кулоновской лестницы". На основе анализа экспериментальных данных построена энергетическая зонная диаграмма структуры. В транзисторной структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/p-Ge с каналом из p-Ge и с плавающим затвором из Ge-квантовых точек при освещении светом разного спектрального состава наблюдалось как увеличение, так и уменьшение полного тока канала. Указанные изменения тока канала связаны с захватом положительного и отрицательного заряда на квантовых точках при разных оптических переходах. Накопление заряда ведет к изменению состояния канала вблизи гетерограницы от обеднения до инверсии и либо уменьшает, либо увеличивает полный ток. (The current-voltage (I-V) and spectral characteristics of a photocurrent are studied at T = 4.2 and 300 K for an unstrained GaAs/ZnSe/QD-Ge/ZnSe/Al structure with tunneling-transparent ZnSe layers and Ge quantum dots (QDs). Features such as the Coulomb staircase were observed in I-V characteristics at room temperature and in the absence of illumination. An energy-band diagram of the structure is constructed based on an analysis of the experimental data. In the GaAs/ZnSe/QD-Ge/ZnSe/p-Ge transistor structure with a p-Ge channel and Ge-QD floating gate, the total current of the channel both increased and decreased under exposure to light with various spectra. These variations in channel current are associated with the capture of a positive and negative charge at QDs during different optical transitions. The charge accumulation changes the state of a channel at the heterointerface from depletion to inversion and either decreases or increases the total current.)
Talochkin A.B., Teys S.A., Suprun S.P. Resonance Raman scattering by optical phonons in unstrained germanium quantum dots // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2005. Т. 72. № 11. С. 1-7. DOI: 10.1103/PhysRevB.72.115416
The position and shape of the E1, E1 + Δ1 Raman resonance depending on the size of unstrained Ge quantum dots were studied. The dots were grown in GaAs ZnSe Ge ZnSe structures on (111)-oriented GaAs substrates using molecular-beam epitaxy. A shift of the E1 and E1 + Δ1 resonance energies by up to 0.3 eV was observed. The dependence of the shift on quantum dot size was shown to be well described by a cylindrical model using quantization of the bulk Ge electron-hole states that form excitons at the two-dimensional critical point of the interband density of states. A separate display of the E1 and E1 + Δ1 resonances in the quantum dots related to transformation of the interband density of states into the δ function due to quantization of the energy spectrum was observed.
2004
Климов А.Э., Шумский В.Н. Фотоемкостный эффект в узкозонном PbSnTe<In> // Прикладная физика. 2004. Т. 3. С. 74-78.
В темноте и при освещении исследована низкочастотная диэлектрическая проницаемость твердого раствора PbSnTe. Найдено, что величина e = 2000–300 000 в зависимости от температуры и уровня освещенности. Впервые наблюдалось увеличение e примерно на два порядка при освещении образцов при температуре жидкого гелия. Проведена оценка длинноволнового края наблюдения эффекта. Найдено, что наилучшее соответствие расчетов и экспериментальных данных имеет место, если предположить наличие узкой полосы чувствительности PbSnTe в интервале длин волн 300–400 мкм.
2003
Fedosenko E.V., Litvinova I.A., Neizvestny I.G., Prozorov A.V., Sherstyakova V.N., Shumsky V.N., Suprun S.P. Formation and photoelectric properties of quantum dot ensembels in unstrained GaAs/ZnSe/QD-Ge/ZnSe heterosystem // Physics of Low-Dimensional Structures. 2003. Т. 9-10. С. 59-74.
The present paper contains data for formation and investigation of Ge QD array in a matrix of ZnSe growing on GaAs substrate by molecular beam epitaxy technique. RHEED was used to observe the surface structures in situ. The chemical processes on the heterointerface were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy during QD formation. It was found that Raman spectroscopy of optical phonons of Ge in GaAs/ZnSe/Ge/ZnSe structures could be used as an express-method for detecting the presence of QDs. The current-voltage characteristic and photoelectric properties of a stress-free n +-GaAs/ZnSe/Ge-QD/ZnSe/Al structure with QDs were studied. A band diagram of the system was constructed based on the experimental data.
Литвинова И.А., Неизвестный И.Г., Прозоров А.В., Супрун С.П., Шерстякова В.Н., Шумский В.Н. Накопление заряда в квантовых точках Ge в транзисторной структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2003. Т. 78. № 12. С. 1289-1292. (перевод - Litvinova I.A., Neizvestnyi I.G., Prozorov A.V., Suprun S.P., Sherstyakova V.N., Shumskii V.N. Charge accumulation in Ge quantum dots in a GaAs/ZnSe/QD-Ge/ZnSe/Ge floating gate transistor structure // JETP Letters. 2003. Т. 78. № 12. С. 768-771. DOI: 10.1134/1.1664001)
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получена и исследована транзисторная структура GaAs/ZnSe/KT Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором из квантовых точек германия. Показано, что при освещении светом с длиной волны более 0.5 мкм наблюдается положительное, а при меньших длинах волн отрицательное изменение тока канала, связанное с зарядкой квантовых точек. Измерения релаксационных кривых после выключения освещения показывают, что спад тока продолжается в течение от десятков секунд вплоть до нескольких часов в зависимости от температуры образца. Указанные изменения тока канала и релаксационных кривых объясняются на основе трех типов переходов в квантовых точках при поглощении излучения с привлечением изменения состояния канала вблизи гетерограницы от обеднения до инверсии в результате накопления заряда на квантовых точках. (A GaAs/ZnSe/QD-Ge/ZnSe/Ge germanium-quantum-dot floating-gate transistor structure is obtained and investigated by molecular beam epitaxy. It has been shown that a positive change in the channel current is observed upon light illumination with wavelengths longer than 0.5 μm and a negative change is observed for shorter wavelengths, which is associated with charging of quantum dots. Measurements of relaxation curves after switching off the illumination show that the decay of the current lasts for from tens of seconds to several hours, depending on the temperature of the sample. The changes in the channel current and relaxation curves indicated above are explained based on the existence of three types of transitions in quantum dots upon radiation absorption with allowance made for the variation of the channel state near the heteroboundary from depletion to inversion as a result of charge accumulation in quantum dots.)
Бородин И.Ю., Литвинова И.А., Неизвестный И.Г., Прозоров А.В., Супрун С.П., Талочкин А.Б., Шерстякова В.Н., Шумский В.Н. Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe-Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Gе // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2003. Т. 78. № 3. С. 184-187. (перевод - Borodin I.Yu., Litvinova I.A., Neizvestny I.G., Prozorov A.V., Suprun S.P., Talochkin A.B., Sherstyakova V.N., Shumsky V.N. Electric and photoelectric properties of GaAs/ZnSe-Ge/ZnSe/Al structures with Ge quantum dots // JETP Letters. 2003. Т. 78. № 3. С. 152-155. DOI: 10.1134/1.1618882)
Исследованы вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фото-ЭДС при Т = 4.2 и 300 К в ненапряженных структурах с квантовыми точками (KT) германия в системе - GaAs/ZnSe/KT-Ge/ZnSe/Al. Наблюдаемые при комнатной температуре без освещения особенности типа "кулоновской лестницы" на вольт-амперной характеристике обусловлены кулоновским взаимодействием электронов при резонансном туннелировании через собственные уровни в KT. Особенности в спектрах фото-ЭДС связываются с поглощением излучения в системе дискретных уровней KT. На основе экспериментальных данных построена энергетическая зонная диаграмма структуры. (Current-voltage characteristics and spectral dependences of photovoltage are investigated at T = 4.2 and 300 K in stress-free structures with germanium quantum dots (QDs) in the GaAs/ZnSe/QD-Ge/ZnSe/Al system. The "Coulomb staircase" type features in the current-voltage characteristic observed at room temperature without illumination are due to the Coulomb interaction of electrons in resonant tunneling through intrinsic levels in QDs. The features in the photovoltage spectra are related to the absorption of radiation in the system of discrete levels of QDs. An energy band diagram of the structure is constructed based on the experimental data.)
2002
В.Г. Ерков, С.Ф. Девятова Исследование особенностей осаждения слоев поликристаллического кремния при пиролизе моносилана в РПД в присутствии пропилена и некоторые свойства полученных слоев // Микроэлектроника. 2002. Т. 31. № 5. С. 335. (перевод - Erkov V.G., Devyatova S.F. Polycrystalline-silicon LPCVD by propene-assisted silane pyrolysis: a study of the process and the films // Russian Microelectronics. 2002. Т. 31. № 5. С. 282-289. DOI: 10.1023/A:1020282807704)
The effect of propene injection on the LPCVD of polycrystalline-silicon films by pyrolysis of SiH4 is studied experimentally. The deposition is carried out in a hot-wall reactor at 640-700°C. The pyrolysis activation energies are determined for zero and nonzero propene contents. Also addressed are the variation in process pattern with the longitudinal coordinate, the change in effective reaction order in propene when passing from 640 to 700°C, and the dependence of consumed silane percentage on the ratio of the total area of the wafers and the walls to the volume of the reaction zone. These relationships are explained within a model whereby the pyrolysis proceeds by a free-radical chain mechanism and basically follows a heterogeneous route at lower temperatures and a homogeneous route as well as a heterogeneous one at higher temperatures. It is found that polycrystalline-silicon films deposited in the presence of propene have a much lower conductivity and exhibit a much lower dissolution rate in a KOH etchant.
Akimov A.N., Fedosenko E.V., Neizvestnyi I.G., Shumsky V.N., Suprun S.P., Talochkin A.B. Formation of self-organized quantum dot ensembles in unstrained GaAs/ZnSe/QD-Ge/ZnSe heterosystem // Physics of Low-Dimensional Structures. 2002. Т. 1-2. С. 191-202.
For the first time systems of Ge quantum dots were formed using molecular beam epitaxy in unstrained GaAs/ZnSe/Ge heterostructure and their properties were studied with scanning tunnel microscopy and Raman spectroscopy.
2001
Васильева Л.Ф., Петиков Н.И., Климов А.Э., Шумский В.Н. Коррекция свойств пленок PbSnTe<In>, полученных МЛЭ, при помощи низкотемпературных диффузионных отжигов // Неорганические материалы. 2001. Т. 37. № 2. С. 193-198. (перевод - Vasil'eva L.F., Klimov A.E., Petikov N.I., Shumskii V.N. Effect of low-temperature diffusion annealing on the properties of PbSnTe<In> epilayers // Inorganic Materials. 2001. Т. 37. № 2. С. 144-148. DOI: 10.1023/A:1004105510160)
A procedure was proposed for low-temperature vapor-phase In doping of Ph1-xSnxTe films grown by molecular-beam epitaxy on BaF2 substrates. Diffusion annealing was carried out in a hydrogen atmosphere in the presence of a vapor source identical in composition to the film and a dopant source at temperatures which were, in most cases, no higher than the growth temperature (300-460°C). The effect of diffusion annealing on the composition, transport properties, and homogeneity of both undoped and In doped films was examined. The results suggest that indium is transported in the vapor phase in the form of indium tellurides resulting from the reaction between Te vapor and liquid In.
Климов А.Э. Компактный заливной криостат, заполняемый жидким гелием внутри обычного транспортного сосуда Дьюара // Наука – производству. 2001. № 12. С. 47-49.
Климов А.Э., Неизвестный И.Г., Супрун С.П., Шумский В.Н. Среда для взаимодействия двух кубитов в квантовых вычислениях // Квантовые компьютеры и квантовые вычисления. 2001. Т. 2. № 2. С. 79-84. (перевод - Klimov A.E., Neizvestnyi I.G., Suprun S.P., Shumsky V.N. Medium for interaction between two qubits in quantum computations // Quantum Computers & Computing. 2001. Т. 2. № 2. С. 79-84.)
Климов А.Э., Шумский В.Н. Фотодиэлектрический эффект в эпитаксиальных пленках PbSnTe<In>, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Автометрия. 2001. № 3. С. 65-75. (Klimov A.E., Shumsky V.N. Photodielectric effect in epitaxial Pb1-xSnxTe<In> films produced by molecular beam epitaxy // Optoelectronics Instrumentation and Date Processing. 2001. № 3. С. 53-62.)
Впервые экспериментально обнаружена и исследована зависимость низкочастотной диэлектрической проницаемости ε эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxTe(In) от освещения при температурах жидкого гелия. В зависимости от освещенности и температуры получен диапазон изменения ε = 2000-200000. (Dependence of the low-frequency permittivity ε of epitaxial Pb1-xSnxTe(In) films on the illumination at liquid helium temperatures was found experimentally for the first time and analyzed. The range of changing ε = 2000-200000 was obtained depending on luminance and temperature.)
Неизвестный И.Г., Супрун С.П., Талочкин А.Б., Шумский В.Н., Ефанов А.В. Квантовые точки Ge в ненапряженной гетеросистеме GaAs / ZnSe / Ge / ZnSe Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35. № 9. С. 1135-1142. (перевод - Neizvestnyi I.G., Suprun S.P., Talochkin A.B., Shumsky V.N., Efanov A.V. Germanium quantum dots in an unstrained GaAs/ZnSe/Ge/ZnSe heterosystem // Semiconductors. 2001. Т. 35. № 9. С. 1088-1094. DOI: 10.1134/1.1403574)
Впервые методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены массивы квантовых точек германия в ненапряженной гетеросистеме GaAs / ZnSe / Ge. Проведены исследования пространственных характеристик островков при помощи сканирующей туннельной микроскопии и их электронной структуры методом рамановской спектроскопии. (Arrays of Ge quantum dots in unstrained GaAs/ZnSe/Ge heterostructures were obtained by molecular-beam epitaxy for the first time. Their spatial parameters are examined by scanning tunneling microscopy, and their electronic structure is studied by Raman spectroscopy.)
Неизвестный И.Г., Супрун С.П., Талочкин А.Б., Шумский В.Н., Кожемяко И.Г. Ансамбли квантовых точек Ge в ненапряженной гетеросистеме GaAs/ZnSe // Автометрия. 2001. № 3. С. 97-107. (перевод - Neizvestnyj I.G., Suprun S.P., Talochkin A.B., Shumskij V.N., Kozhemyako I.G. Ensembles of Ge quantum points in the non-stressed heterosystem GaAs/ZnSe // Avtometriya. 2001. № 3. С. 97-107.)
Впервые получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии и исследованы сканирующей туннельной микроскопией и методом рамановской спектроскопии массивы квантовых точек германия в ненапряженной гетеоосистеме GaAs/ZnSe/Ge. (The data are given about obtaining and investigation of the ensembles of quantum points (QP) in the heterosystem GaAs/ZnSe/Ge. The GP ensembles were obtained by the method of molecular-beam epitaxy and studied using scanning tunnel microscopy and the method of Raman spectroscopy. In this heterosystem, mismatch of the lattice constants is less than 0.3%, therefore one cannot expect that the self-organization mechanisms operate.)
Талочкин А.Б., Супрун С.П., Ефанов А.В., Кожемяко И.Г., Шумский В.Н. Рамановский Е1, Е1 + Δ1 резонанс в ненапряженных квантовых точках германия // Письма ЖЭТФ. 2001. Т. 73. № 6. С. 337-341. (перевод - Talochkin A.B., Suprun S.P., Efanov A.V., Kozhemyako I.G., Shumskii V.N. Raman Е1, Е1 + Δ1 resonance in unstrained germanium quantum dots // JETP Letters. 2001. Т. 73. № 6. С. 297-300. DOI: 10.1134/1.1374265)
Raman scattering by optical phonons in unstrained Ge quantum dots obtained in GaAs/ZnSe/Ge/ZnSe structures was studied using molecular beam epitaxy. A shift in the Е1, Е1 + Δ1 resonance energy due to the quantization of the spectrum of electron and hole states in quantum dots was observed. The properties observed were explained with the use of a simplest model of localization with allowance for the spectrum of Ge electron states.
Akimov A.N., Suprun S.P., Shumsky V.N. Photocurrent in heterojunctions with high band discontinuities // Physics of Low-Dimensional Structures. 2001. Т. 2001. № 11-12. С. 317-324.
Calculations of the photocurrent in heterojunctions with high band discontinuities were made without any tentative assumptions. The analysis of the heterojunction peculiarities associated with the charge accumulation of the minority charge carriers is carried out.
Klimov A.E. Compact bath cryostat filled with liquid helium inside an ordinary storage Dewar // Review of Scientific Instruments. 2001. Т. 72. № 9. С. 3723-3725. DOI: 10.1063/1.1394177
An economical bath cryostat for optical and galvano-magnetic measurements is described. The small overall diameter of the cryostat allows filling with liquid helium directly upon immersion into an ordinary storage Dewar vessel. As a result, it needs no more than 0.2 L of liquid helium for a single cycle of low-temperature measurements outside the storage Dewar lasting 1.5-4 h. Simplicity and low cost are other advantages of the cryostat. The basic ideas used in this device are the mobility of a helium can relative to the external body of the cryostat and the essential increase of the helium boiling point if pressure increases up to 0.5-1.5 atm over atmospheric pressure.
Neizvestny I.G., Suprun S.P., Shumsky V.N., Talochkin A.B., Fedosenko E.V., Burbaev T.M., Kurbatov V.A. Quantum dots of Ge in a GaAs/ZnSe/Ge unstrained heterosystem: fabrication and properties // Nanotechnology. 2001. Т. 12. № 4. С. 437-440. DOI: 10.1088/0957-4484/12/4/310
Fabrication of ensembles of Ge quantum dots in an unstrained heterosystem of GaAs/ZnSe/Ge was studied. The dimensional characteristics and electronic structure of the islands were analyzed. It was found that the structures exhibited a high density of islands along with the absence of bold faceting. The formation of the ensembles was affected by technological conditions and characteristics of the contacting materials.
2000
Erkov V.G., Devyatova S.F., Molodstova E.L., Malsteva T.V., Yanovskii U.A. Si-TiO2 interface evolution at prolonged annealing in low vacuum or N2O ambient // Applied Surface Science. 2000. Т. 166. № 1-4. С. 51-56. DOI: 10.1016/S0169-4332(00)00415-3
Titanium dioxide layers were obtained by the low-pressure chemical vapour deposition (LPCVD) method from a TiCl4, H2 and N2O mixture at 630 °C and had rutile modification. The dielectric constant of the titanium dioxide is high, approximately 110, and the breakdown electric field strength more than 1 MV/cm. The fixed charge for the Si-TiO2 structures is negative and has a value in the order of 5×10-8 C cm-2 and the interface state density of these structures is 6×1010 eV-1 cm-2. After annealing in oxidizing ambient, the dielectric constant is found to fall off, and the interface density of states of the Si-TiO2 structures is increased. It is proposed that this is connected with the Si-TiO2 interface evolution by the formation of a superthin silicon dioxide layer.
