Лаборатория нанотехнологий и наноматериалов

ПУБЛИКАЦИИ

  1. V.A. Voronkovskii, V.S. Aliev, A.K. Gerasimova, T.V. Perevalov, I.P. Prosvirin, D.R. Islamov, Influence of the active TaN/ZrOx/Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior, Nanotechnology, 2020 https://doi.org/10.1088/1361-6528/abce7b

  2. A. Spirina, N. Shwartz, Influence of gallium and arsenic deposition rates on the GaAs planar nanowire morphology, Journal of Physics: Conference Series, Vol. 1482, pp. 12007, 2020. https://doi.org/10.1088/1742-6596/1482/1/012007

  3. A. A. Spirina, N. L. Shwartz, Annealing Kinetics of GaAs under Incongruent Evaporation Conditions, Proceedings 21th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM 2020), Novosibirsk (Russia), June 29 - July 4 2020, р. 19-22. doi: 10.1109/EDM49804.2020.9153347

  4. М.О. Петрушков, Д.С. Абрамкин, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, А.В. Васев, Д.И. Лошкарев, М.Ю. Есин, О.С. Комков, Д.Д. Фирсов, В.В. Преображенский. Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Физика и техника полупроводников, т. 54, № 12, с. 1289-1295, 2020.

  5. A.A. Bocharov, Edge effects for the light beam transmission through the resonant optical tunneling structure: Analytical theory, Opt. Commun. 476, 126318 (2020) doi: 10.1016/j.optcom.2020.126318

  6. A.A. Bocharov, The dependence of the time delay on the shape of the wave packet tunneling through the potential barrier, Eur. Phys. J. D 74, 143 (2020) doi:10.1140/epjd/e2020-10045-4

  7. В.А. Кузнецов, А.Н. Лавров, Б.Ч. Холхоев, В.Г. Макотченко, Е.Н. Ткачев, В.Ф. Бурдуковский, А.И. Романенко, Механизм электронного транспорта в композитах на основе матрицы полибензимидазола с наночастицами графита, Известия НАН Армении, Физика, т.55, №1, с.78–85, 2020. http://physics.asj-oa.am/3928/1/78-85.pdf

Публикации в сборниках конференций в 2020 г.:

  1. A.I. Ivanov, Progress in fluorinated graphene-based materials for memristors / 2th Global Conference on Carbon Nanotubes and Graphene Technologies : Digital Abstract Book , Lisbon, Portugal; February 13-14, 20 https://www.scientificfederation.com/graphene-technology-2020/graphene-technology-2020ebook/#features/35. (приглашенный доклад).

  2. A.I. Ivanov, The resistive switching effect in graphene based materials for flexible and printed electronics 21th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices // EDM 2020 : Digital Abstract Book (Novosibirsk, 29 June - 3 July, 2020) https://lomonosov-msu.ru/file/event/5946/eid5946_attach_7183468859553b806fc6fec2e540cf4db0c4da7d.pdf. (приглашенный он-лайн доклад)

  3. А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, Анализ CVD роста планарных нанопроволок GaAs по механизму пар-жидкость-кристалл, Кузнецовские чтения - 2020, Пятый семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы, 3 – 5 февраля 2020, Новосибирск, pp 38, ISBN 978-5-90168-845-8, (устный доклад)

  4. A. A. Spirina, N. L. Shwartz, Annealing Kinetics of GaAs under Incongruent Evaporation Conditions, 21th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM 2020), Novosibirsk (Russia), June 29 - July 4 2020, р. 19-22. ISBN: 978-1-7281-6846-3, ISSN: 2325-419Х, DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153347 (устный он-лайн доклад).

  5. A. A. Spirina, N. L. Shwartz, Influence of the surface treatment on the GaAs planar nanowire morphology, Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Material, Vladivostok, Russia, July 30 - August 03, 2020, р. 67. ISBN: 978-5-8044-1698-1 (заочное участие).

  6. А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, Влияние обработки поверхности подложки на морфологию GaAs планарных нанопроволок (моделирование методом Монте-Карло), II Международная конференция Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов, 19 - 21 октября 2020, Москва, pp 82-85. ISBN: 978-5-317-06483-9; DOI: 10.29003/m1525.ММMSEC-2020/82-85 (устный он-лайн доклад).

  7. А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, Влияние разориентации поверхности арсенида галлия на скорости испарения галлия и мышьяка, XXII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 23 - 27 ноября 2020 г., Санкт-Петербург (стендовый доклад).

  8. Sultanov D.B., Vorob'ev A.B., Buldygin A.F., Toropov A.I., Microwave Induced Damping of the Shubnikov-de Haas Oscillations in Rolled Nanomembrane in Ballistic Transport Mode21th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM 2020), Novosibirsk (Russia), June 29 - July 4 2020, р. 68-71, DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153489 (устный он-лайн доклад)