ОБОРУДОВАНИЕ
В 2020 г. введена в эксплуатацию современная установка атомно-слоевого осаждения металлов, полупроводников и диэлектриков (SI ALD LL, SENTECH, Германия), которая позволяет решить ряд проблем создания новых наноматериалов и наноструктур. Установка атомно-слоевого осаждения позволяет создавать наноразмерные, ультратонкие, конформные пленки с высокой однородностью, проводить широкий спектр процессов атомно-слоевого осаждения, включая осаждение оксидов, нитридов и металлов с помощью термической и плазменной обработки или их комбинации. В состав установки входит система контроля толщины осаждаемых слоев в реальном времени, удаленный источник связанной плазмы с параллельной конструкцией электродов, генератор азота. Установка обеспечивает сверхвысокую однородность толщины формируемых пленок на подложках диаметром до 200 мм. Высокоскоростная (t~ 40 мс) эллипсометрическая система измерения толщины пленок, формируемых в процессе атомно-слоевого осаждения, позволяет полностью автоматизировать процессы формирования многослойных гетеропленок из разных материалов.
