Стандартная версия
Шрифт
А
А
А
Интервал
АБВ
АБВ
АБВ
Цветовая схема
А
А
А
Изображения
Вкл
Выкл
Search ...
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics
Siberian Branch of Russian Academy of Sciences
Home
Institute
Science
Education
Developments
Events
Home
→
Science
→
SB RAS Programs
→
Научные подразделения
→
Лаборатория 7
→
Публикации лаб7
1976
ПУБЛИКАЦИИ
1976
Гораин Р.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Придачин Н.Б., Скок Э.М., Облучение быстрыми электронами эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Микроэлектроника, 1976, т. 5, в. 4, с. 4.
Basic Results
Publication
SB RAS Programs
Grants and state contracts