Участие Института в программах фундаментальных исследований РАН и СО РАН

Комплексная программа фундаментальных научных исследований Сибирского отделения РАН:

• «Неравновесные эффекты в наноструктурах, вызванные электромагнитными и акустическими внешними полями», руководители – А.В. Чаплик, З.Д. Квон;
• «Особенности атомного строения многокомпонентных твердотельных и полупроводниковых нано-гетеросистем», руководитель – А.В. Латышев;
• «Наноструктурированные полупроводниковые и гибридные системы для наноэлектроники и нанофотоники», руководители – А.Л. Асеев, В.А. Гайслер;
• «Физико-химические основы технологий полупроводниковых фотокатодов с отрицательным электронным сродством: поиск путей упорядочения поверхностных диполей в наноразмерном (Cs,O) – слое и его влияния на вероятность выхода, угловые и энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из p-GaAs (Cs,O) – фотокатодов», руководитель – А.С. Терехов;
• «Физические основы управления спиновым транспортом в наногетероструктурах с квантовыми точками. Метаматериалы на основе трехмерных плазмонных наноструктур», руководители – А.В. Двуреченcкий, В.Я. Принц;
• «Физико-технологические основы создания нового поколения гетероструктур для наноэлектроники и нанофотоники», руководитель – О.П. Пчеляков;
• «Механизмы формирования наноструктур на основе соединений AIIIBV», руководитель – И.Г. Неизвестный.

Программа фундаментальных исследований Президиума РАН по стратегическим направлениям развития науки «Фундаментальные проблемы математического моделирования»:

• «Моделирование полей упругих деформаций и электронного спектра в полупроводниковых наногетероструктурах с пространственно упорядоченным ансамблем квантовых точек», руководитель – А.В. Двуреченский.

В рамках основных научных направлений в Институте проводятся исследования по программам СО РАН 2.1.1, 2.2.2, 2.3.2, 4.6.1 и 5.2.1.

Программа СО РАН №2.1.1

"Физика полупроводников и диэлектриков, твердотельные системы пониженной размерности".
(Координатор - академик РАН А.Л.Асеев)

2.1.1.1. "Эффекты электрон-электронного, электрон-фононного взаимодействия и спиновые явления в структурах с квантовыми точками"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор А.В.Двуреченский.

2.1.1.2. "Разработка излучателей одиночных фотонов на основе полупроводниковых квантовых наноструктур"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.А.Гайслер.

2.1.1.3. "Электронные свойства низкоразмерных систем и наноструктур на их основе"
Руководители - член-корр.РАН, профессор А.В.Чаплик, д.ф.-м.н., профессор З.Д.Квон.

2.1.1.4. "Развитие физико-химических основ наноструктурирования полупроводниковых материалов и анализ основных закономерностей роста и дефектообразования в системах пониженной размерности"
Руководитель - д.ф.-м.н. А.В.Латышев.

2.1.15. "Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур на основе МЛЭ КРТ, квантово-размерных слоев на основе А₃В₅, легированных пленок PbSnTe:In и термоэлектрических свойств оксидов"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор В.Н.Овсюк.

2.1.1.6. "Физико-химические основы формирования границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП-структурах на основе соединений А₃В₅ и КРТ, фоточувствительных в диапазоне 3 мкм"
Руководитель - д.ф.-м.н. Г.Л.Курышев.

2.1.1.8. "Изучение физико-химических процессов роста и легирования многослойных наноструктур на основе соединений А₂В₆ в методе молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием одноволновой и спектральной эллипсометрии"
Руководитель - д.ф.-м.н. Ю.Г.Сидоров.

2.1.1.9. "Изучение атомных, электронных и фотоэмиссионных явлений на атомарно-чистой поверхности соединений А₃В₅"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор А.С.Терехов.

Программа СО РАН №2.2.2

"Фундаментальные основы твердотельных устройств микро- и наноэлектроники".
(Координатор - чл.-корр. РАН, профессор И.Г.Неизвестный)

2.2.2.1. "Базовые технологии оптоэлектронных материалов и физические процессы в слоистых и нанофотонных волноводных структурах"
Руководитель - к.ф.-м.н., доцент В.В.Атучин.

2.2.2.2. "Развитие исследований и разработок физико-химических основ создания наноструктурированных материалов и приборных структур для интегрированных микросенсоров. Исследование физических процессов в сенсорных гетероструктурах. Создание газовых интегрированных микросенсоров на основе пленок наноструктурирванных материалов"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор В.В.Болотов.

2.2.2.3. "Генерация квантового ключа в оптоволоконных линиях связи"
Руководители - член-корр.РАН, профессор И.Г.Неизвестный, д.ф.-м.н. И.И.Рябцев.

2.2.2.4. "Разработка физико-химических методов получения ультра тонких полупроводниковых гетероструктур на изоляторе и исследование процессов электронного транспорта в наноструктурах на их основе"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.П.Попов.

2.2.2.5. "Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.Я.Принц.

2.2.2.6. "Исследование механизмов молекулярно-лучевой эпитаксии и разработка научных основ технологии квантово-размерных структур на основе кремния, германия и соединений А3В5, включая нитриды металлов третьей группы для создания приборов наноэлектроники и фотовольтаики"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков.

2.2.2.7. "Молекулярно-лучевая эпитаксия на основе соединений А₃В₅ для полевых СВЧ транзисторов"
Руководитель - д.ф.-м.н. К.С.Журавлев.

2.2.2.8. "Физико-технологические основы матричных фотоприемных устройств субмиллиметрового диапазона длин волн на основе пленок PbSnTe:In"
Руководитель - д.ф.-м.н. А.Э.Климов.

Программа СО РАН №2.3.2

"Фундаментальные проблемы взаимодействия излучения с веществом"
(Координатор - чл.-корр. РАН, профессор А.М.Шалагин)

2.3.2.1. "Когерентные, нелинейные и столкновительные процессы в атомах, моле- кулах, стеклах, микрочастицах и наноструктурах при взаимодействии с интенсив- ным лазерным излучением"
Руководитель - д.ф.-м.н. П.А.Бохан.

Программа СО РАН No 4.6.1

"Архитектура, организация функционирования и программное обеспечение информационно-вычислительных систем новых поколений"
(Координатор - чл.-корр. РАН, профессор В.Г.Хорошевский)

4.6.1.1. "Методы алгоритмы анализа и организация функционирования распределенных вычислительных систем, параллельное мультипрограммирование и аппаратурно-программный инструментарий для моделирования технологий обработки информации"
Руководитель - чл.-корр. РАН, профессор В.Г.Хорошевский.

В рамках основных научных направлений в Институте проводятся исследования по программам СО РАН 9.1, 9.3, 10.2 и 3.3.

Программа СО РАН №9.1

"Физика полупроводников и диэлектриков, полупроводниковые, композитные нанокристаллические и фотоннокристаллические материалы и структуры, твердотельные системы пониженной размерности, атомные и молекулярные кластеры".
(Координатор - член-корр.РАН А.Л.Асеев)

9.1.1. "Разработка физико-химических основ формирования атомарно-чистых поверхностей и гетероструктур арсенид индия - диэлектрик, обеспечивающих возмож- ность работы МДП-структур при повышенных температурах 120-200К"
Руководитель - д.ф.-.м.н. Г.Л.Курышев.

9.1.2. "Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур на основе МЛЭ КРТ, квантово-размерных слоев на основе А₃В₅, легированных пленок PbSnTe и термоэлектрических свойств оксидов с целью разработки и создания многоэлементных ИК-фотоприемных устройств нового поколения"
Руководитель - д.ф.-м.н, профессор В.Н.Овсюк.

9.1.3. "Изучение влияния структурных перестроек атомарно-гладкой поверхности GaAs при адсорбции Cs,O на электронный спектр и фотоэмиссионные свойства инфракрасных полупроводниковых фотокатодов для перспективных приборов ночного видения"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор А.С.Терехов.

9.1.4. "Перенос носителей заряда и оптические явления в структурах с квантовыми точками".
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор А.В.Двуреченский.

9.1.5. "Электронные и оптические процессы в низкоразмерных системах и наноструктурах на их основе"
Руководители - чл-корр.РАН, профессор А.В.Чаплик, д.ф.-м.н., профессор З.Д.Квон.

9.1.6. "Исследование атомного строения поверхности, границ раздела и дефектов структуры в полупроводниковых материалах и развитие методов современной электронной и зондовой микроскопии для анализа и создания твердотельных систем с пониженной размерностью"
Руководитель - д.ф.-м.н. А.В.Латышев.

9.1.7. "Разработка научных основ технологии выращивания структурно совершенных слоев твердых растворов кадмий-ртуть-теллур на подложках из Si и GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии для создания приемников инфракрасного излучения с предельными характеристиками"
Руководитель - д.ф.-м.н. Ю.Г.Сидоров.

Программа СО РАН №9.3

"Твердотельные устройства и приборы микро- и наноэлектроники, микрофотоэлектроники, медицины и экологии".
(Координатор - член-корр.РАН, профессор И.Г.Неизвестный)

9.3.1. "Разработка научных основ технологии молекулярно-лучевой эпитаксии квантово-размерных структур на основе кремния и германия, псевдоморфных гетероструктур на основе А3В5, исследование кинетики атомных процессов на поверхности структур, включая нитриды металлов GaN, AlN и InN для создания приборов наноэлектроники и НЕМТ-транзисторов"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков.

9.3.2. "Разработка физико-химических основ получения ультратонких КНИ-структур и исследование процессов роста кристаллов кремния методом БЗП для создания нанотранзисторов и материалов для силовой электроники"
Руководители - к.ф.-м.н. В.П.Попов, к.ф.-.м.н. В.В.Калинин.

9.3.3. "Создание и исследование полупроводниковых и металлических нанотрубок и нанооболочек"
Руководитель - к.ф.-м.н. В.Я.Принц.

9.3.4. "Базовые технологии и физические основы работы функциональных элементов интегральной оптики и акустоэлектроники"
Руководители - к.ф.-м.н. В.В.Атучин, к.ф.-м.н. А.В.Царев.

9.3.5. "Разработка и исследование физико-химических основ создания наноструктурированных материалов и приборных структур для интегрированных микросенсоров. Исследование физических процессов в сенсорных гетероструктурах"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор В.В.Болотов.

Программа СО РАН №10.2

"Фундаментальные проблемы взаимодействия излучения и потоков заряженных частиц с веществом".
(Координатор – член-корр.РАН, профессор А.М.Шалагин)

10.2.1. "Исследование когерентных и нелинейных процессов в атомах, молекулах, кристаллах и наноструктурах при взаимодействии с излучением"
Руководитель - д.ф.-м.н. П.А.Бохан.

Программа СО РАН №3.3

"Архитектура, системные решения и программноппаратное обеспечение информационно-вычислительных комплексов новых поколений - распределенные вычисления, распределенные высокопроизводительные вычислительные ресурсы, параллельные вычисления, системы массового параллелизма, программное обеспечение".
(Координатор - академик РАН, профессор Ю.Л.Ершов)

"Разработка методов анализа и алгоритмов организации функционирования больше-масштабных распределенных вычислительных систем и создание аппаратурно-программного инструментария параллельного моделирования"
Руководитель - чл-корр. РАН, профессор В.Г.Хорошевский.

В рамках основных научных направлений в Институте проводятся исследования по программам СО РАН II.6.1, II.6.2, II.6.3, II.7.3, II.8.2, II.9.1 и IV.32.1

"Физика полупроводниковых наноструктур и квантовые эффекты в полупроводниках"
(Координатор - академик А.Л.Асеев)

II.6.1.1. "Физико-химические принципы формирования и электронные процессы в сверхтонких (1-20 нм) пассивирующих пленочных наноструктурах на полупроводниках типа А₃В₅"
Руководитель - д.ф.-м.н. Г.Л.Курышев.

II.6.1.2. "Атомные и электронные процессы на поверхностях соединений А₃В₅ с нанометровыми (Cs,O) покрытиями"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор А.С.Терехов.

II.6.1.3. "Исследование фотоэлектрических и электрофизических свойств гетероструктур на основе квантоворазмерных слоев А₃В₅, нанометровых вакуумных зазоров и термоэлектрических свойств наноразмерных слоев оксидов ванадия"
Руководитель д.ф.-м.н., профессор В.Н.Овсюк.

II.6.1.4. "Электронные и оптические свойства одно- и двумерных нано гетероструктур на изоляторе в деформационных и электромагнитных полях"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.П.Попов.

II.6.1.5. "Разработка одно фотонных излучателей на основе полупроводниковых квантовых наноструктур"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.А.Гайслер.

II.6.1.6. "Атомная и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.А.Гриценко.

II.6.1.7. "Квантовые явления в низкоразмерных системах и наноструктурах"
Руководители - академик, профессор А.В.Чаплик, д.ф.-м.н., профессор З.Д.Квон.

II.6.1.8. "Физико-технологические основы эпитаксии гетероструктур Cd_xHg_1-xTe с нанослоями с локальным легированием акцепторными и донорными примесями и исследование их фотоэлектрических свойств"
Руководитель - д.ф.-м.н. Ю.Г.Сидоров.

"Физика твердотельных устройств микро- и наноэлектроники"
(Координатор - член-корреспондент РАН И.Г.Неизвестный)

II.6.2.1. "Высокоскоростная система для генерации квантового ключа в оптоволоконных линиях связи"
Руководители - д.ф.-м.н. И.И. Рябцев, член-корр. РАН, профессор И.Г. Неизвестный.

II.6.2.2. "Исследования и разработка физико-химических основ создания наноструктурированных и нанокомпозитных материалов, приборных структур для интегрированных микро- и наносенсоров. Исследование физических процессов в сенсорных гетероструктурах. Создание газовых микро- и наносенсоров на основе наноструктурированных материалов"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор В.В.Болотов.

II.6.2.3. "Разработка физических основ низкотемпературной технологии получения пленок нано- и микрокристаллического кремния и гетероструктур полупроводниковый нанокластер/диэлектрическая матрица"
Руководитель - к.ф.-м.н. М.Д.Ефремов.

II.6.2.4. "Базовые технологии функциональных оптоэлектронных материалов и волновые процессы в микро- наноразмерных и интегрально-оптических структурах"
Руководитель - к.ф.-м.н., доцент В.В.Атучин.

II.6.2.5. "Развитие МЛЭ технологии низкоразмерных гетероструктур на основе соединений типа А3В5 для полевых СВЧ приборов"
Руководитель - д.ф.-м.н. К.С.Журавлев.

II.6.2.6. "Инжекционные структуры на основе PbSnTe:In для фотоприемных матриц ИК и терагерцового диапазона излучения"
Руководители - д.ф.-м.н. В.Н.Шумский, член-корр. РАН, профессор И.Г.Неизвестный.

Комплексная нанодиагностика систем пониженной размерности, нанолитография и нанометрология
(Координатор - член-корр. РАН А.В.Латышев)

II.6.3.1. "Методы создания и структурно-химической диагностика на атомарном уровне полупроводниковых систем пониженной размерности"
Руководитель - член-корр. РАН А.В.Латышев.

II.6.3.2. "Нанодиагностика и исследование механизмов молекулярно-лучевой эпитаксии квантово-размерных структур на основе кремния, германия и соединений А₃В₅, включая нитриды металлов третьей группы"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков.

II.6.3.3. "Оптическая диагностика полупроводниковых квантово-размерных наноструктур с высоким пространственным разрешением"
Руководители - к.ф.-м.н. А.И.Торопов, к.ф.-м.н. А.М.Гилинский.

Перспективные полупроводниковые материалы наноэлектроники и нанофотоники
(Координатор член-корр. РАН, профессор А.В.Двуреченский)

II.7.3.1. "Плотные и разреженные ансамбли квантовых точек в полупроводниковых наноструктурах"
Руководитель - член-корр. РАН, профессор А.В.Двуреченский.

II.7.3.2. "Эпитаксиальные слои халькогенидов свинца на кремнии для тепловизионных устройств нового типа"
Руководитель - д.ф.-м.н. А.Э.Климов.

II.7.3.3. "Исследование оптических свойств нанокристаллов и нанопористых материалов в условиях плазмонного резонанса"
Руководители - д.ф.-м.н. А.Г.Милёхин, к.х.н. О.И.Семенова.

II.7.3.4. "Создание и исследование новых полупроводниковых и графеновых наноструктур, материалов и метаматериалов для фотоники, плазмоники и электроники"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор В.Я.Принц.

Фундаментальные проблемы взаимодействия излучения с веществом
(Координатор - академик, профессор А.М.Шалагин)

II.8.2.6. "Когерентные и нелинейные оптические процессы в газах, конденсированных средах, микро- и наноструктурах при воздействии излучения, электронного пучка и разряда"
Руководитель - д.ф.-м.н. Н.Н.Рубцова.

Актуальные проблемы оптико-информационных технологий
(Координатор - д.т.н. Ю.В.Чугуй).

II.9.1.3. "Разработка научных основ оптико-информационных технологий создания многоканальных и мультиспектральных систем технического зрения с высоким пространственным и спектральным разрешением"
Руководитель - к.т.н. В.Н.Федоринин.

Архитектура, информационная безопасность, системные решения и программное обеспечение информационно-вычислительных систем новых поколений
(Координаторы - член-корр. РАН, профессор В.Г.Хорошевский, член-корр. РАН В.В. Шайдуров)

IV.32.1.1. "Архитектура, проблемы функционирования и моделирование большемасштабных распределенных вычислительных систем"
Руководитель - член-корр. РАН, профессор В.Г.Хорошевский