События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ПУБЛИКАЦИИ



1993

  1. A.V.Dvurechenskii, A.A.Karanovich, A.V.Rybin, R.Gr? tzschel. Paramagnetic defects in silicon irradiated with 40 MeV As ions. Nuclear Instrum. Methods in Phys. Research, B, 1993, v.80/81, Iss. JUN Part 1, p.620-623.
  2. А.В.Двуреченский, В.Г.Ремесник, И.А.Рязанцев, Н.Х.Талипов. Инверсия типа проводимости слоев Cdx Hg1-xTe,подвергнутых плазменной обработке. Физ. и техн. полупроводн. 1993, т.27, вып.1, с.168-171.
  3. А.И.Якимов, А.В.Двуреченский, Э.М.Баскин. Кулоновская щель в явлениях нелинейного экранирования и неомической прыжковой проводимости. ЖЭТФ, 1993, т.104, вып.1, с.2473-2482.
  4. С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, Д.Шток, В.А.Зиновьев. Возможные механизмы роста в процессе перекристаллизации слоев кремния на SiO2 при импульсном миллисекундном нагреве. Физика и химия обработки материалов, 1993, № 4, с.28-34.
  5. A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Spontaneous fluctuations of variable-range hopping current in amorphous silicon microstructures. Phys. Lett. A, 1993, v.179, Iss.2 p.131-134.