СОТРУДНИКИ

Фомин Борис Иванович вед. научн. сотр., к.т.н. тел. 330-67-68, вн. 1292 307, 308 ТК e-mail:

Образование:

• 1965 г. – окончил Томский институт радиоэлектроники и электронной техники по специальности “электронные приборы”

• 1982 г. – защитил кандидатскую диссертацию по реактивной диффузии в тонкопленочных системах металл-металл, кремний-металл

Научная деятельность:

под руководством Б.И. Фомина в Институте создана линейка кремниевой технологии, где сосредоточены основные технологические процессы современной микроэлектроники, позволяющие изготавливать и опытные, и функционально законченные кремниевые интегральные схемы специального назначения. С момента создания линейки и по настоящее время Фомин Б.И. руководит её работой.

Наиболее значительными результатами работы Фомина Б.И. последних лет являются:

1. разработка уникальной технологии изготовления микроболометров на основе окислов ванадия. С использованием данной технологии изготовлены микроболометрические матрицы размерностью 160х120 и 320х240 элементов, размер пикселя - 51 мкм. С помощью матрицы получено тепловое изображение человека с разрешением 0,1 градуса. Продолжается работа по разработке технологии микроболометрических матриц с размером ячейки 25, 17 мкм.

2. Разработка низкотемпературной технологии формирования нанопроволочных сенсорных элементов для различного вида биологических и химических детекторов. С использованием данной технологии изготовлены КНИ-нанопроволочные сенсоры с фемто-мольной чувствительностью к ряду социально-значимых белков.

Указом президента РФ от 11.01.2008 Б.И. Фомин награждён Медалью ордена за заслуги перед Отечеством 2-й степени.