Новости
События
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.
Объявления
В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»
В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."
Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"
Важное
 | Российская конференция и школа молодых ученых 8-12 сентября 2025 года |
Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций
Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее
Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН
Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее
Поступление в образовательные организации высшего образования
ПУБЛИКАЦИИ
1974
- Гораин Р.А., Качурин Г.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Скок Э.М., Исследование энергетического спектра глубоких уровней и механизма рассеяния носителей заряда в эпитаксиальных слоях n-GaAs. ФТП, 1974, т. 8, в. 8, с. 1502-1506.
- Р.А. Гораин, А.Ф. Кравченко, В.Я. Принц, Э.М. Скок. О природе аномальной температурной зависимости подвижности в n-GaAs. В кн.: ”Арсенид галлия”, вып. 4. Томск, 1974, с. 3.
- Гораин Р.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Скок Э.М., Шейнман Г.А., Влияние облучения электронами на электрофизические свойства эпитаксиального арсенида галлия с различным профилем распределения концентрации носителей. ”Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна”. Новосибирск, 1974, с. 481-490.
- В.Я. Принц, Ю.Б. Болховитянов, Р.И. Болховитянова, Н.Е. Марченко, В.Н. Молин, П.Л. Мельников, Б.В. Морозов. О распределении примесей в пленках арсенида галлия, выращенных из тонкого слоя раствора, находящегося между подложками. В кн. ”Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна”. Новосибирск, 1974, с. 285-291.
- Принц В.Я., Болховитянов Ю.Б., Болховитянова Р.И., О переходном слое в пленках арсенида галлия, выращенных методом жидкостной эпитаксии. ”Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна”. Новосибирск, 1974, с. 291-301.
ПУБЛИКАЦИИ
1976
- Гораин Р.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Придачин Н.Б., Скок Э.М., Облучение быстрыми электронами эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Микроэлектроника, 1976, т. 5, в. 4, с. 4.
ПУБЛИКАЦИИ
1978
- Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Зависимость энергетического спектра глубоких уровней, вводимых облучением в твердые растворы на основе GaAs от состава. В кн: ”Физика соединений A3B5. Тезисы докладов Всесоюзной конференции, Ленинград, 1978.
- Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Исследование глубоких центров в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии. В кн.: ”Арсенид галлия”. IV Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Тезисы докладов. Томск, 1978.
- Принц В.Я., Скок Э.М., Шарипов Э.О., Мусаев П.Х., Влияние отжига на напряжение пробоя и энергетический спектр электрополевых ловушек в GaAs. В кн.: ”Арсенид галлия”. IV Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Тезисы докладов. Томск, 1978.
- Принц В.Я. Исследование мелких и глубоких уровней в GaAs и твердых растворах на его основе, Физика тонкопленочных систем. Новосибирск 1978, с. 11-26.
- Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Зависимость энергетического спектра уровней, вводимых облучением электронами в GaAs1-xP и AlxGa1-xAs, от состава. ФТП, 1978, т. 12, с. 1612.
ПУБЛИКАЦИИ
1977
- Принц В.Я., Зависимость параметров радиационных дефектов в AlxGa1-xAs от состава твердого раствора. В кн.: Всесоюзная конференция “Радиационные эффекты в твердых телах” Ашхабад, 1977.
- А.с. 573782 (СССР). Способ контроля полупроводниковых материалов и устройство для его осуществления. В.Я. Принц, О.М. Орлов, Э.М. Скок. Опубл. в Б.И., 1977, N 35.
- Принц В.Я., Влияние профиля концентрации носителей заряда на рабочие параметры диодов Ганна, Электронное полупроводниковое приборостроение. Новосибирск, 1977, с. 4-15.
- Орлов О.М., Принц В.Я., Скок Э.М., Прибор для автоматического локального измерения профиля легирования полупроводниковых пленок. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977.
ПУБЛИКАЦИИ
1979
- Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Емкостная спектроскопия примесных и дефектных уровней в полупроводниках типа А3В5, Препринт ИФП СО РАН СССР, 1979, с. 35-79.
- Принц В.Я., Булатецкий К.Г., Спектроскопия глубоких примесных уровней компенсационным методом. ПТЭ, 1979, № 4, с. 255-258.
- Орлов О.М., Принц В.Я., Скок Э.М., Прибор для автоматического измерения профиля концентрации мелких уровней. ПТЭ, 1979, № 4, с. 258-261.
![[Центр коллективного пользования]](/img/logo-ckp.gif){kind=logo} | ![[Контакты]](/img/contacts.gif) | ![[Служба webmail]](/img/webmail_new.gif) | ![[Библиотека]](/img/lib_new.jpg) |
![[Закупки]](/img/gos.gif) |