Новости
Поздравляем Алексея Петрова!
События
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Объявления
В четверг, 09.10.2025 в 10-30
в конференц-зале ЛТК состоится
Семинар лаборатории №1: "Флуктуационный кондктанс двумерного полуметалла". Докладчик: З.Д. Квон
Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»
В понедельник, 18.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик:к.ф.-м.н., доцент Сколковского института науки и технологий, руководитель Лаборатории квантовых алгоритмов машинного обучения и оптимизации Палюлин Владимир Владимирович.
«Модели двух состояний для описания диффузии экситонов в низкоразмерных полупроводниках»
В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»
Важное
Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами»
Заявки принимаются до 13.11.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда
Поступление в образовательные организации высшего образования
ПУБЛИКАЦИИ
1974
- Гораин Р.А., Качурин Г.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Скок Э.М., Исследование энергетического спектра глубоких уровней и механизма рассеяния носителей заряда в эпитаксиальных слоях n-GaAs. ФТП, 1974, т. 8, в. 8, с. 1502-1506.
- Р.А. Гораин, А.Ф. Кравченко, В.Я. Принц, Э.М. Скок. О природе аномальной температурной зависимости подвижности в n-GaAs. В кн.: ”Арсенид галлия”, вып. 4. Томск, 1974, с. 3.
- Гораин Р.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Скок Э.М., Шейнман Г.А., Влияние облучения электронами на электрофизические свойства эпитаксиального арсенида галлия с различным профилем распределения концентрации носителей. ”Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна”. Новосибирск, 1974, с. 481-490.
- В.Я. Принц, Ю.Б. Болховитянов, Р.И. Болховитянова, Н.Е. Марченко, В.Н. Молин, П.Л. Мельников, Б.В. Морозов. О распределении примесей в пленках арсенида галлия, выращенных из тонкого слоя раствора, находящегося между подложками. В кн. ”Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна”. Новосибирск, 1974, с. 285-291.
- Принц В.Я., Болховитянов Ю.Б., Болховитянова Р.И., О переходном слое в пленках арсенида галлия, выращенных методом жидкостной эпитаксии. ”Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна”. Новосибирск, 1974, с. 291-301.
ПУБЛИКАЦИИ
1976
- Гораин Р.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Придачин Н.Б., Скок Э.М., Облучение быстрыми электронами эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Микроэлектроника, 1976, т. 5, в. 4, с. 4.
ПУБЛИКАЦИИ
1978
- Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Зависимость энергетического спектра глубоких уровней, вводимых облучением в твердые растворы на основе GaAs от состава. В кн: ”Физика соединений A3B5. Тезисы докладов Всесоюзной конференции, Ленинград, 1978.
- Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Исследование глубоких центров в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии. В кн.: ”Арсенид галлия”. IV Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Тезисы докладов. Томск, 1978.
- Принц В.Я., Скок Э.М., Шарипов Э.О., Мусаев П.Х., Влияние отжига на напряжение пробоя и энергетический спектр электрополевых ловушек в GaAs. В кн.: ”Арсенид галлия”. IV Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Тезисы докладов. Томск, 1978.
- Принц В.Я. Исследование мелких и глубоких уровней в GaAs и твердых растворах на его основе, Физика тонкопленочных систем. Новосибирск 1978, с. 11-26.
- Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Зависимость энергетического спектра уровней, вводимых облучением электронами в GaAs1-xP и AlxGa1-xAs, от состава. ФТП, 1978, т. 12, с. 1612.
ПУБЛИКАЦИИ
1977
- Принц В.Я., Зависимость параметров радиационных дефектов в AlxGa1-xAs от состава твердого раствора. В кн.: Всесоюзная конференция “Радиационные эффекты в твердых телах” Ашхабад, 1977.
- А.с. 573782 (СССР). Способ контроля полупроводниковых материалов и устройство для его осуществления. В.Я. Принц, О.М. Орлов, Э.М. Скок. Опубл. в Б.И., 1977, N 35.
- Принц В.Я., Влияние профиля концентрации носителей заряда на рабочие параметры диодов Ганна, Электронное полупроводниковое приборостроение. Новосибирск, 1977, с. 4-15.
- Орлов О.М., Принц В.Я., Скок Э.М., Прибор для автоматического локального измерения профиля легирования полупроводниковых пленок. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977.
ПУБЛИКАЦИИ
1979
- Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Емкостная спектроскопия примесных и дефектных уровней в полупроводниках типа А3В5, Препринт ИФП СО РАН СССР, 1979, с. 35-79.
- Принц В.Я., Булатецкий К.Г., Спектроскопия глубоких примесных уровней компенсационным методом. ПТЭ, 1979, № 4, с. 255-258.
- Орлов О.М., Принц В.Я., Скок Э.М., Прибор для автоматического измерения профиля концентрации мелких уровней. ПТЭ, 1979, № 4, с. 258-261.
![[Центр коллективного пользования]](/img/logo-ckp.gif){kind=logo} | ![[Контакты]](/img/contacts.gif) | ![[Служба webmail]](/img/webmail_new.gif) | ![[Библиотека]](/img/lib_new.jpg) |
![[Закупки]](/img/gos.gif) |