Новости

24.04.25

Назад в будущее: первый в мире спиновый триод на основе наномембранного спин-детектора электронов сделали сибирские физики

Спин-детектор планируется установить на оборудовании станции СКИФ первой очереди
Создание спинового триода — значительный шаг к вакуумной спинтронике — направлению электроники будущего

21.04.25

Новости

К юбилею Виктора Яковлевича Принца

События

26.02.25

Ученый совет

Заседание Ученого совета

В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

05.02.25

Ученый совет

Заседание Ученого совета

В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

20.12.24

Диссовет

Защиты диссертаций

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

15.11.24

Ученый совет

Заседание Ученого совета

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

11.11.24

Новости

Конкурс стипендий ИФП СО РАН

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

24.09.24

Ученый совет

Заседание Ученого совета

В понедельник, 30 сентября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

07.04.25

Семинары

Институтский семинар

В четверг, 10.04.2025 в 15-00
состоится Институтский семинар (онлайн!)
Докладчик: Кубатаев Заур Юсупович
Структурно-динамические свойства и спектры комбинационного рассеяния света композиционных ионных систем на основе перхлоратов щелочных металлов

04.04.25

Семинары

Институтский семинар

В среду, 9.04.2025 в 10-00
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Емельянов Евгений Александрович
«Молекулярно-лучевая эпитаксия твёрдых растворов GaP_xAs_(1-x)(001) и InAs_xSb_(1-x)(001): формирование состава в подрешётке пятой группы»

20.03.25

Новости

Конкурс научных работ сотрудников ИФП СО РАН

На 22 апреля 2025 г. запланировано проведение Конкурса научных работ сотрудников ИФП СО РАН.
Желающим принять участие в конкурсе необходимо до 4 апреля 2025 г. предоставить ученому секретарю Института комплект документов

17.03.25

Семинары

Институтский семинар

В среду, 19 марта 2025 в 10-00
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: д.ф.-м.н., профессор РАН Сачков Михаил Евгеньевич директор Института астрономии РАН
«Ультрафиолетовая Вселенная: задачи и перспективы исследования»

Важное

Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года

КОНКУРСЫ И ГРАНТЫ

Конкурс РНФ на получение грантов по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований под руководством зарубежных ведущих ученых»
Приём заявок продлен до 30.04.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований под руководством зарубежных ведущих ученых» (имеющие прикладной характер)
Приём заявок продлен до 30.04.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Другие конкурсы...

НОВОСТИ МИНОБРНАУКИ

Опрос Минобрнауки России

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ПУБЛИКАЦИИ

1974

Гораин Р.А., Качурин Г.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Скок Э.М., Исследование энергетического спектра глубоких уровней и механизма рассеяния носителей заряда в эпитаксиальных слоях n-GaAs. ФТП, 1974, т. 8, в. 8, с. 1502-1506.
Р.А. Гораин, А.Ф. Кравченко, В.Я. Принц, Э.М. Скок. О природе аномальной температурной зависимости подвижности в n-GaAs. В кн.: ”Арсенид галлия”, вып. 4. Томск, 1974, с. 3.
Гораин Р.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Скок Э.М., Шейнман Г.А., Влияние облучения электронами на электрофизические свойства эпитаксиального арсенида галлия с различным профилем распределения концентрации носителей. ”Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна”. Новосибирск, 1974, с. 481-490.
В.Я. Принц, Ю.Б. Болховитянов, Р.И. Болховитянова, Н.Е. Марченко, В.Н. Молин, П.Л. Мельников, Б.В. Морозов. О распределении примесей в пленках арсенида галлия, выращенных из тонкого слоя раствора, находящегося между подложками. В кн. ”Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна”. Новосибирск, 1974, с. 285-291.
Принц В.Я., Болховитянов Ю.Б., Болховитянова Р.И., О переходном слое в пленках арсенида галлия, выращенных методом жидкостной эпитаксии. ”Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна”. Новосибирск, 1974, с. 291-301.

ПУБЛИКАЦИИ

1976

Гораин Р.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Придачин Н.Б., Скок Э.М., Облучение быстрыми электронами эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Микроэлектроника, 1976, т. 5, в. 4, с. 4.

ПУБЛИКАЦИИ

1978

Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Зависимость энергетического спектра глубоких уровней, вводимых облучением в твердые растворы на основе GaAs от состава. В кн: ”Физика соединений A3B5. Тезисы докладов Всесоюзной конференции, Ленинград, 1978.
Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Исследование глубоких центров в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии. В кн.: ”Арсенид галлия”. IV Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Тезисы докладов. Томск, 1978.
Принц В.Я., Скок Э.М., Шарипов Э.О., Мусаев П.Х., Влияние отжига на напряжение пробоя и энергетический спектр электрополевых ловушек в GaAs. В кн.: ”Арсенид галлия”. IV Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Тезисы докладов. Томск, 1978.
Принц В.Я. Исследование мелких и глубоких уровней в GaAs и твердых растворах на его основе, Физика тонкопленочных систем. Новосибирск 1978, с. 11-26.
Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Зависимость энергетического спектра уровней, вводимых облучением электронами в GaAs_1-xP и Al_xGa_1-xAs, от состава. ФТП, 1978, т. 12, с. 1612.

ПУБЛИКАЦИИ

1977

Принц В.Я., Зависимость параметров радиационных дефектов в Al_xGa_1-xAs от состава твердого раствора. В кн.: Всесоюзная конференция “Радиационные эффекты в твердых телах” Ашхабад, 1977.
А.с. 573782 (СССР). Способ контроля полупроводниковых материалов и устройство для его осуществления. В.Я. Принц, О.М. Орлов, Э.М. Скок. Опубл. в Б.И., 1977, N 35.
Принц В.Я., Влияние профиля концентрации носителей заряда на рабочие параметры диодов Ганна, Электронное полупроводниковое приборостроение. Новосибирск, 1977, с. 4-15.
Орлов О.М., Принц В.Я., Скок Э.М., Прибор для автоматического локального измерения профиля легирования полупроводниковых пленок. Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977.

ПУБЛИКАЦИИ

1979

Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Емкостная спектроскопия примесных и дефектных уровней в полупроводниках типа А3В5, Препринт ИФП СО РАН СССР, 1979, с. 35-79.
Принц В.Я., Булатецкий К.Г., Спектроскопия глубоких примесных уровней компенсационным методом. ПТЭ, 1979, № 4, с. 255-258.
Орлов О.М., Принц В.Я., Скок Э.М., Прибор для автоматического измерения профиля концентрации мелких уровней. ПТЭ, 1979, № 4, с. 258-261.