События

В понедельник, 20 октября 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

В четверг, 09.10.2025 в 10-30
в конференц-зале ЛТК состоится
Семинар лаборатории №1: "Флуктуационный кондктанс двумерного полуметалла". Докладчик: З.Д. Квон

ИФП СО РАН объявляет дополнительный приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»

В понедельник, 18.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик:к.ф.-м.н., доцент Сколковского института науки и технологий, руководитель Лаборатории квантовых алгоритмов машинного обучения и оптимизации Палюлин Владимир Владимирович.
«Модели двух состояний для описания диффузии экситонов в низкоразмерных полупроводниках»

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

Важное







Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами»
Заявки принимаются до 13.11.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ПУБЛИКАЦИИ



1980

  1. Принц В.Я., Геталов В.С., О глубоких центрах в нелигированном эпитаксиальном GaAs. Электронная техника, серия «Материалы», 1980, в. 1, с. 48-52.
  2. Принц В.Я., Метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней, использующих инжекцию дырок в контакте металл-полупроводник. II Всесоюзное совещание по глубоким уровням в полупроводниках: (часть I), Ташкент, 1980, с. 103-104.
  3. Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Исследование глубоких центров в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии. Известия ВУЗов «Физика», 1980, № 1, с. 53-63.
  4. А.с. 710007 (СССР). Способ измерения распределения носителей заряда в полупроводниках. О.М. Орлов, В.Я. Принц, Э.М. Скок. Опубл. в БИ., 1980, N 2.
  5. Принц В.Я., Бобылев Б.А., О влиянии сильного электрического поля на захват электронов безызлучательными центрами в GaAs. ФТП, 1980, т. 12(9), с. 1939-1941.
  6. Болховитянов Ю.Б., Принц В.Я., Хайри Е.Х., Энергетический спектр глубоких уровней в GaAs, легированном Sb. II Всесоюзное совещание по глубоким уровням в полупроводниках: (часть I), Ташкент, 1980, с. 73-74.
  7. Бобылев Б.А., Марченко Н.Е., Принц В.Я., Чикичев С.И., Глубокие центры в эпитаксиальном p-GaAs. II Всесоюзное совещание по глубоким уровням в полупроводниках: (часть I), Ташкент, 1980.