ПУБЛИКАЦИИ
1980
- Принц В.Я., Геталов В.С., О глубоких центрах в нелигированном эпитаксиальном GaAs. Электронная техника, серия «Материалы», 1980, в. 1, с. 48-52.
- Принц В.Я., Метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней, использующих инжекцию дырок в контакте металл-полупроводник. II Всесоюзное совещание по глубоким уровням в полупроводниках: (часть I), Ташкент, 1980, с. 103-104.
- Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Исследование глубоких центров в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии. Известия ВУЗов «Физика», 1980, № 1, с. 53-63.
- А.с. 710007 (СССР). Способ измерения распределения носителей заряда в полупроводниках. О.М. Орлов, В.Я. Принц, Э.М. Скок. Опубл. в БИ., 1980, N 2.
- Принц В.Я., Бобылев Б.А., О влиянии сильного электрического поля на захват электронов безызлучательными центрами в GaAs. ФТП, 1980, т. 12(9), с. 1939-1941.
- Болховитянов Ю.Б., Принц В.Я., Хайри Е.Х., Энергетический спектр глубоких уровней в GaAs, легированном Sb. II Всесоюзное совещание по глубоким уровням в полупроводниках: (часть I), Ташкент, 1980, с. 73-74.
- Бобылев Б.А., Марченко Н.Е., Принц В.Я., Чикичев С.И., Глубокие центры в эпитаксиальном p-GaAs. II Всесоюзное совещание по глубоким уровням в полупроводниках: (часть I), Ташкент, 1980.
![[Центр коллективного пользования]](/img/logo-ckp.gif){kind=logo}
![[Контакты]](/img/contacts.gif)
![[Служба webmail]](/img/webmail_new.gif)
![[Библиотека]](/img/lib_new.jpg)
![[Закупки]](/img/gos.gif)