web-master


Труханов Евгений Михайлович

   

Доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник, руководитель группы рентгеновских и структурных исследований отдела молекулярно-лучевой эпитаксии
Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Основные научные интересы Е.М. Труханова согласуются с тематикой его кандидатской и докторской диссертаций:
- «Дислокации и напряжения в структурах германий – аморфные пленки двуокиси и нитрида кремния» (1980г.);
- «Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка – подложка» (2002г.). Автореферат диссертации.

Автор более 200 работ, из которых более 100 опубликованы в рецензируемых журналах. К наиболее интересным научным результатам можно отнести следующие.

- Теоретически предсказаны и экспериментально обнаружены дислокационные конфигурации подложек, формирующие дислокации несоответствия (ДН) [1].
- Получены аналитические выражения для определения критической толщины пленки при введении ДН из подложки [2].
- Показана принципиальная роль винтовой составляющей ДН на напряженное состояние и качество структуры полупроводниковых гетеросистем [3].
- В вицинальных границах раздела бездислокационных гетеросистем установлено существование напряженных линейных дефектов, получивших название псевдодислокаций [4].
- Разработан пленочный рентгеновский интерферометр, позволяющий определять структурное качество псевдоморфных слоев [5].

[1] E.M. Trukhanov, S.I. Stenin, A.G. Noskov. "Dislocations and stresses in a crystal with an island film" Phys. Stat. Sol (a) v.53, p.433-440, (1979)
[2] Trukhanov E.M. "Accomodation of misfit in heterostructures with continous and island films". Phys. Stat. Sol.(a) v.76 p.437-445 (1983)
[3] Е.М. Труханов "Влияние типа дислокаций несоответствия на энергию и структуру эпитаксиальных пленок" Поверхность N2, с. 13-21 (1995)
[4] Е.М. Труханов "Свойства дислокаций несоответствия и псевдодислокаций, не типичные для дефектов однородных кристаллов" Поверхность. рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 1, с. 43–51 (2010)
[5] A.A. Fedorov, E.M. Trukhanov, A. P. Vasilenko, A.V. Kolesnikov and M.A. Revenko "X-Ray Interference Topography Investigation of Si/GexSi1 x/Si(001) Heterosystem" J. of Physics D : Applied Physics, v.36, A44-A48.(2003)

 

Список важнейших работ, опубликованных за последние 2 года

1. Е.М. Труханов «Свойства дислокаций несоответствия и псевдодислокаций, не типичные для дефектов однородных кристаллов» поверхность. рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 1, с. 43–51 (2010)
2. С.А. Тийс, Е.М. Труханов, А.С. Ильин, А.К. Гутаковский, А.В. Колесников «Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста, Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики» т. 92, №6, стр. 429-437 (2010)
3. А.В. Колесников, А.С. Ильин, Е.М. Труханов, А.П. Василенко, И.Д. Лошкарев, А.С. Дерябин «Рентгенодифракционный анализ искажений эпитаксиальной пленки на отклоненных подложках (001)» Известия РАН, серия физическая, т.75, №5 cтр. 652–655 (2011)
4. G.A. Verozubova, A.O. Okunev, A.I. Gribenyukov, A.Yu. Trofimiv, E.M. Trukhanov, A.V. Kolesnikov «Growth and Defect Structure of ZnGeP2 Crystals» J CRYST GROWTH, т. 312, стр. 1122-1126 (2010)
5. С.А. Тийс, Е.М. Труханов, А.С. Ильин, А.В. Колесников «Фазовые сверхструктурные переходы на начальной стадии эпитаксиального роста Ge на Si(111)» Известия РАН, серия физическая, т.75, №8 с.116-119 (2011)