![[Научные направления]](img/direct.gif) |
физика полупроводников и диэлектриков;
физико-химические основы микро-, наноэлектроники, микрофотоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики;
оптика, квантовая электроника.
|
|
|
|
|
|
|
|
![[Полупроводниковые материалы]](img/material.gif) |
Объемные: Si, GaAs, InAs Квантовые структуры: Ge/Si, AlAs/GaAs, GaAlAs/InAlAs/GaAs, GaN/GaAs
Гетероструктуры, многослойные структуры: Si/Ge, GaAlAs/InAlAs/GaAs, GaN, AlN, InN, InP, CdTe/ZnTe, CdHgTe/CdTe/GaAs, SOI
|
|
|
|
![[Новости и события]](img/news&events.gif) |
Конкурс на замещение вакантных должностей
18.02.10 Cтаршего научного сотрудника по специальности 01.04.07 "физика конденсированного состояния", научного сотрудника по специальности 01.04.07 "физика конденсированного состояния", младшего научного сотрудника по специальности 01.04.07 "физика конденсированного состояния". далее |
|
Институтский семинар
18.02.10 В среду 24 февраля 2010 г. в 10-00 в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Свиташева Светлана Николаевна выступит с докладом...далее |
|
|
|
[все новости]
|
|