Институт физики полупроводников СО РАН

[Лабораторно-технический корпус ИФП СО РАН]

	Об институте
	Структура
	Научные проекты
	Основные результаты
	Публикации
	Разработки
	Мероприятия и События

ИФП основан в 1964 году в Академгородке (г. Новосибирск).

Штат: около 800 человек (33 доктора наук, 146 кандидаты наук).

22 научные лаборатории и 8 секторов в головном Институте, 6 лабораторий [подробнее]


физика полупроводников и диэлектриков; физико-химические основы микро-, наноэлектроники, микрофотоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики; оптика, квантовая электроника.

Служба webmail

Библиотека:

каталог публикаций и книг

картотека журналов

удаленный доступ к электронным ресурсам

Телефонный справочник

2008, 2007, 2006, 2005, 2004

Объемные: Si, GaAs, InAs

Квантовые структуры: Ge/Si, AlAs/GaAs, GaAlAs/InAlAs/GaAs, GaN/GaAs

Гетероструктуры, многослойные структуры: Si/Ge, GaAlAs/InAlAs/GaAs, GaN, AlN, InN, InP, CdTe/ZnTe, CdHgTe/CdTe/GaAs, SOI

Конкурс на замещение вакантной должности
17.03.10
Младшего научного сотрудника по специальности "оптико-электронные приборы и спектроскопия" на условиях срочного трудового договора отдела тепловидения и телевидения.далее

Конкурс на замещение вакантных должностей
18.02.10
Cтаршего научного сотрудника по специальности 01.04.07 "физика конденсированного состояния", научного сотрудника по специальности 01.04.07 "физика конденсированного состояния", младшего научного сотрудника по специальности 01.04.07 "физика конденсированного состояния". далее

[все новости]