Институт физики полупроводников СО РАН

[Лабораторно-технический корпус ИФП СО РАН]

	Об институте
	Структура
	Научные проекты
	Основные результаты
	Публикации
	Разработки
	Мероприятия и События

ИФП основан в 1964 году в Академгородке (г. Новосибирск).

Штат: около 800 человек (33 доктора наук, 146 кандидаты наук).

22 научные лаборатории и 8 секторов в головном Институте, 6 лабораторий [подробнее]


физика полупроводников и диэлектриков; физико-химические основы микро-, наноэлектроники, микрофотоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики; оптика, квантовая электроника.

Служба webmail

Библиотека:

каталог публикаций и книг

картотека журналов

удаленный доступ к электронным ресурсам

Телефонный справочник

2008, 2007, 2006, 2005, 2004

Объемные: Si, GaAs, InAs

Квантовые структуры: Ge/Si, AlAs/GaAs, GaAlAs/InAlAs/GaAs, GaN/GaAs

Гетероструктуры, многослойные структуры: Si/Ge, GaAlAs/InAlAs/GaAs, GaN, AlN, InN, InP, CdTe/ZnTe, CdHgTe/CdTe/GaAs, SOI

Конкурс на замещение вакантной должности
19.11.09
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности заведующего лабораторией... подробнее

Институтский семинар
19.11.09
В среду 25 ноября в 10-00 в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Иван Гаврилович Казанцев выступит с докладом... подробнее

Совместный научно-практический семинар
13.11.09
17-18 ноября в конференц-зале главного корпуса ИФП с 10.00 до 14.00 состоится совместный научно-практический семинар...подробнее

[все новости]