В ее состав входили три группы:
- электронной микроскопии;
- рентгеноструктурного анализа;
- механических свойств полупроводниковых кристаллов.
1968г. Проводилась разработка методики и аппаратуры химического утонения полупроводниковых
монокристаллов
для трансмиссионной электронной микроскопии (Ge и GaAs).
Исследование структуры защитных слоев SiO2 на Si.
Проводились исследования систем дислокаций, введенных пластическим изгибом в Ge,
для уточнения механизма взаимодействия точеных дефектов с данными системами дислокаций.
Разработка аппаратуры для исследования дефектов в полупроводниковых кристаллах (Si, Ge, GaAs)
топографическими методами на прохождение и отражение.
Освоение методики исследования GaAs топографией на просвет.
Исследование подвижности дислокаций в кремнии.
Исследование поля упругих напряжений в зоне контактной нагрузки на кремнии.
Изучение миграции точечных дефектов в кремнии методом затухания свободных изгибных колебаний.
1969г.
Изучение взаимодействия радиационных дефектов с химическими примесями и дислокациями.
Исследование динамики дефектов в полупроводниковых кристаллах.
Изучение дефектов роста в кристаллах ZnO.
Исследование процессов образования структурных дефектов в эпитаксиальных слоях Ge.
Изучение дефектов в эпитаксиальных пленках GaAs, полученных газотранспортной реакцией и
жидкостной эпитаксией.
1970г. Изучение дислокационной структуры эпитаксиальных слоев Ge, выращенных "закрытым"
иодидным методом.
Выбор рентгенотопографического метода и разработка техники съемки
для исследования эпитаксиальных слоев GaAs.
Исследование структуры и электрофизических
свойств гетеропереходов Ge-GaAs, полученных напылением Ge в сверхвысоком вакууме.
1971-75гг. Проведен цикл исследований по выяснению дислокационных процессов, протекающих при
пластической деформации Ge и Si во всей области их заметной пластичности.
Проведен цикл работ по изучению механизмов роста и образованию дефектов в гомоэпитаксиальных
пленках Ge, Si и GaAs.
Закончено исследование гетероэпитаксиальных систем Ge-Si, Ge-GaAs, GaAs-Ge, Si-кварцевое стекло,
Si-керамика.
Проведен цикл работ по исследованию динамики кристаллизации и свойствам тонких пленок
InSb, Ge, Bi, Sb, полученных в условиях импульсной конденсации.
1976г. Продолжение исследований механизмов кристаллизации тонких пленок InSb, Bi,
и Sb. Методом электронной микроскопии проведено предварительное исследование
дислокационной структуры эпитаксиальных слоев GaInAs и GaAsP на подложках GaAs, выращенных в
условиях жидкостной эпитаксии и газотранспортным методом.
Изучены основные дефекты, возникающие в легированном оловом гомоэпитаксиальных слоях
GaAs.
Исследование дефектов в монокристаллах InSb.
Продолжены исследования структуры диэлектрических пленок и полупроводника на системах
Ge-SiO2, Ge-Si3N4, Si-термический окисел.
Электронномикроскопическое исследование дефектов, возникающих при ионной имплантации бора
и фосфора в кремний.
Электронномикроскопическое исследование в высоковольтном микроскопе,
направленное на изучение механизмов образования радиационных дефектов в Ge.
1977г. Разработаны и освоены методики микрорентгеноспектрального анализа твердых растворов
In-Ga-As-P и Pb-Sn-Te с помощью микроанализатора МАР-2.
Pазработка макета сверхвысоковакуумной установки для эпитаксии
из молекулярных пучков, включающей контроль поверхности и
автоматическую эллипсометрию.
Исследование дефектов структуры монокристаллов InSb, полученных
методом вращающегося контейнера в ИНХе СО АН СССР.
C использованием рентгеновской топографии разработана технология приклейки тонких пластин
InSb c помощью эпоксидной смолы на жесткие подложки.
Изучение дислокационного строения Ge в
гетероструктурах германий-островковые пленки диэлектриков (Si3N4,
SiO2+Si3N4).
Исследование структуры слоев твердых растворов Pb0,8Sn0,2Te на подложках
InSb и BaF2.
Продолжены исследования начальной стадии роста нелегированных гомоэпитаксиальных слоев
GaAs в газотранспортном методе.
Закончены электронномикроскопические исследования механизмов образования дислокаций
несоответствия в слоях Si, имплантированных Р+ и B+ при комнатной и повышенной температурах.
C помощью обычной и высоковольтной электронной микроскопии исследованы радиационные дефекты,
возникающие в кремнии при облучении протонами в режимах радиационно-ускоренной диффузии.
Продолжение исследований радиационных дефектов в Ge, Si, GaAs.
1978г. Исследование c помощью электронной микроскопии и рентгеноструктурных методов раствора
In-Ga-As-P на подложах GaAs.
Изучение взаимодействия дислокаций различных типов, возникающих в структурах полупроводник-сплошная
или островковая диэлектрическая пленка.
Методами электронографии, электронной микроскопии и рентгеноэлектронной микроскопии продолжено
изучение строения пленок SiO2 на Ge и структуры границы раздела Ge-SiO2
и структуры границ раздела Ge-SiO2-Si3N4
Разработана, изготовлена и запущена сверхвысоковакуумная установка для исследования
конденсации молекулярных пучков.
1979г. Завершена конструкторская разработка многомодульной исследовательско-технологической
установки эпитаксии из молекулярных пучков. Установка содержит три технологические камеры с
необходимыми аналитическими средствами и две камеры для загрузки и выгрузки объектов. Изготовлены
и испытаны на стендах конструкции механизмов передачи образцов из камеру в камеру,
многостепенного прецизионного манипулятора, устройства для дифракции быстрых электронов и
молекулярного источника типа ячейки Кнудсена.
Разработан и изготовлен Оже-спектрометр с тормозящими сетками к установке дифракции медленных
электронов.
Методом ДМЭ закончены исследования чистых поверхностей Ge и Si для ориентаций, лежащих
по сторонам стандартного стереографического треугольника.
Исследована кинетика реакции, приводящей к эпитаксии пленок Ge в газотранспортном методе.
Исследован механизм роста эпитаксиальных пленок Ge на чистой поверхности методом МЛЭ.
Разработана теоретическая модель формирования дислокационной структуры гетероэпитаксиальных
слоев и проведена ее экспериментальная проверка на системах GaAsP-GaAs(100) и InGaAsP-GaAs(100).
Изучение контроля границ раздела InSb/SiO2 методами электронной микроскопии и
ЭГО.
Разработаны высокоточные и чувствительные способы измерения деформаций гетероструктур с
помощью низкоиндексных дифракционных отражений на двукристальном рентгеновском спектрометре.