web-master

            

ИСТОРИЯ

Стенин С.И

Лаборатория была основана в 1968 году профессором, доктором физ.-мат. наук
Стениным Сергеем Ивановичем.

В ее состав входили три группы:
  • электронной микроскопии;
  • рентгеноструктурного анализа;
  • механических свойств полупроводниковых кристаллов.

     1968г. Проводилась разработка методики и аппаратуры химического утонения полупроводниковых монокристаллов для трансмиссионной электронной микроскопии (Ge и GaAs). Исследование структуры защитных слоев SiO2 на Si.
Проводились исследования систем дислокаций, введенных пластическим изгибом в Ge, для уточнения механизма взаимодействия точеных дефектов с данными системами дислокаций.
Разработка аппаратуры для исследования дефектов в полупроводниковых кристаллах (Si, Ge, GaAs) топографическими методами на прохождение и отражение.
Освоение методики исследования GaAs топографией на просвет.
Исследование подвижности дислокаций в кремнии.
Исследование поля упругих напряжений в зоне контактной нагрузки на кремнии.
Изучение миграции точечных дефектов в кремнии методом затухания свободных изгибных колебаний.

     1969г. Изучение взаимодействия радиационных дефектов с химическими примесями и дислокациями.
Исследование динамики дефектов в полупроводниковых кристаллах.
Изучение дефектов роста в кристаллах ZnO.
Исследование процессов образования структурных дефектов в эпитаксиальных слоях Ge.
Изучение дефектов в эпитаксиальных пленках GaAs, полученных газотранспортной реакцией и жидкостной эпитаксией.

     1970г. Изучение дислокационной структуры эпитаксиальных слоев Ge, выращенных "закрытым" иодидным методом.
Выбор рентгенотопографического метода и разработка техники съемки для исследования эпитаксиальных слоев GaAs.
Исследование структуры и электрофизических свойств гетеропереходов Ge-GaAs, полученных напылением Ge в сверхвысоком вакууме.

     1971-75гг. Проведен цикл исследований по выяснению дислокационных процессов, протекающих при пластической деформации Ge и Si во всей области их заметной пластичности.
Проведен цикл работ по изучению механизмов роста и образованию дефектов в гомоэпитаксиальных пленках Ge, Si и GaAs.
Закончено исследование гетероэпитаксиальных систем Ge-Si, Ge-GaAs, GaAs-Ge, Si-кварцевое стекло, Si-керамика.
Проведен цикл работ по исследованию динамики кристаллизации и свойствам тонких пленок InSb, Ge, Bi, Sb, полученных в условиях импульсной конденсации.

     1976г. Продолжение исследований механизмов кристаллизации тонких пленок InSb, Bi, и Sb. Методом электронной микроскопии проведено предварительное исследование дислокационной структуры эпитаксиальных слоев GaInAs и GaAsP на подложках GaAs, выращенных в условиях жидкостной эпитаксии и газотранспортным методом.
Изучены основные дефекты, возникающие в легированном оловом гомоэпитаксиальных слоях GaAs.
Исследование дефектов в монокристаллах InSb.
Продолжены исследования структуры диэлектрических пленок и полупроводника на системах Ge-SiO2, Ge-Si3N4, Si-термический окисел.
Электронномикроскопическое исследование дефектов, возникающих при ионной имплантации бора и фосфора в кремний.
Электронномикроскопическое исследование в высоковольтном микроскопе, направленное на изучение механизмов образования радиационных дефектов в Ge.

     1977г. Разработаны и освоены методики микрорентгеноспектрального анализа твердых растворов In-Ga-As-P и Pb-Sn-Te с помощью микроанализатора МАР-2.
Pазработка макета сверхвысоковакуумной установки для эпитаксии из молекулярных пучков, включающей контроль поверхности и автоматическую эллипсометрию.
Исследование дефектов структуры монокристаллов InSb, полученных методом вращающегося контейнера в ИНХе СО АН СССР.
C использованием рентгеновской топографии разработана технология приклейки тонких пластин InSb c помощью эпоксидной смолы на жесткие подложки.
Изучение дислокационного строения Ge в гетероструктурах германий-островковые пленки диэлектриков (Si3N4, SiO2+Si3N4).
Исследование структуры слоев твердых растворов Pb0,8Sn0,2Te на подложках InSb и BaF2.
Продолжены исследования начальной стадии роста нелегированных гомоэпитаксиальных слоев GaAs в газотранспортном методе.
Закончены электронномикроскопические исследования механизмов образования дислокаций несоответствия в слоях Si, имплантированных Р+ и B+ при комнатной и повышенной температурах.
C помощью обычной и высоковольтной электронной микроскопии исследованы радиационные дефекты, возникающие в кремнии при облучении протонами в режимах радиационно-ускоренной диффузии.
Продолжение исследований радиационных дефектов в Ge, Si, GaAs.

     1978г. Исследование c помощью электронной микроскопии и рентгеноструктурных методов раствора In-Ga-As-P на подложах GaAs.
Изучение взаимодействия дислокаций различных типов, возникающих в структурах полупроводник-сплошная или островковая диэлектрическая пленка.
Методами электронографии, электронной микроскопии и рентгеноэлектронной микроскопии продолжено изучение строения пленок SiO2 на Ge и структуры границы раздела Ge-SiO2 и структуры границ раздела Ge-SiO2-Si3N4
Разработана, изготовлена и запущена сверхвысоковакуумная установка для исследования конденсации молекулярных пучков.

     1979г. Завершена конструкторская разработка многомодульной исследовательско-технологической установки эпитаксии из молекулярных пучков. Установка содержит три технологические камеры с необходимыми аналитическими средствами и две камеры для загрузки и выгрузки объектов. Изготовлены и испытаны на стендах конструкции механизмов передачи образцов из камеру в камеру, многостепенного прецизионного манипулятора, устройства для дифракции быстрых электронов и молекулярного источника типа ячейки Кнудсена.
Разработан и изготовлен Оже-спектрометр с тормозящими сетками к установке дифракции медленных электронов.

Методом ДМЭ закончены исследования чистых поверхностей Ge и Si для ориентаций, лежащих по сторонам стандартного стереографического треугольника.
Исследована кинетика реакции, приводящей к эпитаксии пленок Ge в газотранспортном методе.
Исследован механизм роста эпитаксиальных пленок Ge на чистой поверхности методом МЛЭ.
Разработана теоретическая модель формирования дислокационной структуры гетероэпитаксиальных слоев и проведена ее экспериментальная проверка на системах GaAsP-GaAs(100) и InGaAsP-GaAs(100).
Изучение контроля границ раздела InSb/SiO2 методами электронной микроскопии и ЭГО.
Разработаны высокоточные и чувствительные способы измерения деформаций гетероструктур с помощью низкоиндексных дифракционных отражений на двукристальном рентгеновском спектрометре.
Теоретические и экспериментальные исследования в области радиационной физики при облучении Ge и Si.

     1980г. Исследованы технологические возможности однокамерной установки МЛЭ с гелиевым насосом.
Отработка методики автоматической эллипсометрии, дифракции быстрых электронов и масс-спекроскопии. Исследования по отработке очистки поверхности.
Проведена разработка встраиваемого оже-спектрометра и изготовлен макет циллиндрического Оже-анализатора.
Исследованы процессы поверхностной самодиффузии при перестройках атомарно-чистых поверхностей Si(111), Si(320).
Проведена серия экспериментов по выращиванию сверхтонких пленок Ge на Si в однокамерной установке методом эпитаксии из молекулярного пучка.
Теоретические и экспериментальные исследования в области радиационной физики.
Разработана и экспериментально проверена модель формирования дислокаций несоответствия в гетероструктурах за счет пластической деформации подложки.
Разработана методика определения пластической и упругой компонент деформации пленки в гетероструктуре, а также угла разориентации атомных плоскостей пленки относительно плоскостей подложки на основе анализа позиций брегговских отражений от параллельных и наклонных к границе раздела атомных плоскостей.

     1981г. Установка МЛЭ-'Катунь В' Завершены создание и наладка сверхвысоковакуумной части многокамерной установки молекулярно-лучевой эпитаксии. Получен вакуум 1*10E-10 Tоrr.
Разработка управляемой технологии многослойных тонкопленочных систем.
Исследование структурных перестроек, связанных с фазовыми переходами на чистых поверхностях Si. В условиях сверхвысокого вакуума с помощью метода автоматической эллипсометрии обнаружены и измерены состояния поляризации когерентного пучка света, отраженного от атомарно-чистой поверхности Si.
Разработка технологических основ управления химическим составом и электрофизическими свойствами многослойных эпитаксиальных структур (Ge-Si, GaAs и GaX Al1-XAs).