web-master


НОВОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ


Однокамерный комплекс "Катунь-100" 2008г


Двухкамерный комплекс "Катунь-100" 2009г.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ МНОГОКАМЕРНОГО КОМПЛЕКСА

    Комплекс состоит из вакуумно-механической системы и автоматизированной системы управления технологическим процессом (АСУ ТП).

Вакуумно-механическая система содержит:

  • модуль подготовки и анализа подложек (ПАП);
  • модуль эпитаксии полупроводниковых соединений (ЭПС);
  • модуль эпитаксии элементарных полупроводников, металлов и диэлектриков (ЭПМ);
  • модуль загрузки и выгрузки подложек (ЗВП);
  • систему транспорта подложек;
  • систему предварительной откачки;
  • систему пневмогидроснабжения;
  • масс-спектрометры для контроля молекулярных пучков и остаточных газов;
  • дифрактометры быстрых электронов;
  • криопанели вокруг источников и вращающегося держателя подложек;
  • кассетный контейнер.
    Ростовые модули содержат блок тигельных источников молекулярных пучков и электронно-лучевые испарители. Допускает возожность использования автоматического эллипсометра.
    АСУ ТП позволяет независимо и одновременно управлять технологическими процессами как под контролем оператора, так и в автоматическом режиме.

НАЗНАЧЕНИЕ
    Входящее в состав комплекса оборудование предназначено для проведения в едином технологическом цикле следующих процессов:
- очистка поверхности кристаллов-подложек методом термохимической обработки в сверхвысоком вакууме;
- выращивание эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений АШВV, SiGe, Si и тройных твердых растворов, в том числе сверхрешеток и модулированных структур.
- нанесение металлических покрытий, диэлектрических пленок, магнитных слоев.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПЛЕКСА
 УСТАНОВКА НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ
Предельный вакуум, Па (Торр)  
  в модулях ПАП, ЭПС, ЭПМ 1,3х10-8(1х10-10)
  в модуле ЗВП 1,3х10-6(1х10-8)
Диаметр подложек, мм, макс 102 (4")
Частота вращения, об/мин., макс 30
Число одновременно загружаемых подложек в два модуля ЗВП  
 40мм 42
102мм 14
Количество источников молекулярных пучков  
  в камере ЭПС тигельных
  в камере ЭПМ тигельных
  электронно-лучевых		 8
8
2
Максимальная температура подложек, К 1400
Точность поддержания температуры подложек ±0,50
Максимальная температура тигельных источников, К 1500
Точность поддержания температуры тигельных источников ±0,50
Количество выращиваемых структур с пленкой толщиной 1мкм за день (18ч) на подложках  
  диаметром 102мм 18
  диаметром  40мм 54
Необходимая площадь размещения, м2 60
Максимальный объем загрузки источников, см3  
  тигельных 140
  электронно-лучевых 125
Расход жидкого азота в процессе выращивания эпитаксиальных структур, л/сут. 100
     
ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
    Установки, скомпонованные из составных частей комплекса, применяются для получения многослойных тонкопленочных структур для микро- и оптоэлетроники, интегральной оптики и акустооптики. Оборудование получило широкое распространение и используется как для разработки эитаксиальной технологии, так и для серийного производства структур с целью приборного применения.
"КАТУНЬ-100"
УНИКАЛЬНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ УСТАНОВКИ
  1. Автоматизрованная загрузка до 14 пластин-подлложек диаметром 102мм из вакуумного контейнера.
  2. Дистанционное автоматизированное управление технологическим процессом и транспортом подложек.
  3. Совместимость оборудования с условиями чистых помещений, компактность.
Однокамерный комплекс "Катунь-100" 2008г.

 

 
КАРТИНЫ ДИФРАКЦИИ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ

ДВУХКАМЕРНАЯ УСТАНОВКА
Наш адрес:
Институт Физики Полупроводников
им. Ржанова СО РАН,
проспект Лаврентьева, 13, Новосибирск, 630090, Россия
Тел/Факс: (383) 333-35-02
E-mail: pch@isp.nsc.ru
http://lib.isp.nsc.ru/16