Ответственный исполнитель
Милёхин Александр Германович
E-mail:

Секретарь проекта
Аржанникова София Андреевна
E-mail:

Сибирские и уральские ученые исследуют свойства материалов для посткремниевой электроники

https://www.sbras.info/articles/nauka-dlya-obschestva/sibirskie-i-uralskie-uchenye-issleduyut-svoystva-materialov-dlya

https://academcity.org/content/materialy-dlya-postkremnievoy-elektroniki

https://news24.pro/internet/325194231/

http://www.uran.ru/node/6961

Главе РАН А.М. Сергееву представили способы увеличения скорости квантовых эффектов, «Научная Россия», 01.02.2021

Александр Сергеев посетил Институт физики полупроводников СО РАН, сайт РАН, 01.02.21

Отталкиваясь от Байкала, «Поиск», 02.02.2021

Александр Сергеев в новосибирском Академгородке. День первый, «Научная Россия», 01.02.2021

Александр Сергеев подвел итоги поездки в Новосибирск, «Научная Россия», 01.02.2021

Правительство нашло деньги на посткремниевую электронику Академия новостей (academ.info), 04/02/2021

В Институте физики полупроводников им. А В. Ржанова СО РАН рассказали о первых итогах работы по проекту - "стомиллионнику" Industry-hunter.com, 04/02/2021

В ИФП СО РАН исследуют квантовые структуры для посткремниевой электроники Сибирское отделение Российской академии наук (sbras.ru), 02/02/2021

Правительство нашло деньги на посткремниевую электронику Большой Новосибирск (polit-center.org), 04/02/2021

Первые итоги исследований квантовых структур для посткремниевой электроники, Наука в Сибири, 02 февраля 2021

Первые итоги исследований квантовых структур для посткремниевой электроники, Ruscable, 03.02.21

Президент РАН проверит в Новосибирске работу над проектами-«стомиллионниками», Континент-Сибирь, 02.02.21

Глава РАН работает в новосибирском Академгородке, Академгородок 2.0

"Отличный старт для дальнейшего развития", Академсити, 03.02.21, https://academcity.org/

Президент РАН Сергеев на два дня прибыл в Академгородок, 01.02.2021

В ИФП СО РАН рассказали президенту РАН об итогах работы по проекту-"стомиллионнику"

Первые итоги исследований квантовых структур для посткремниевой электроники

Проекты сибирских ученых вошли в число «стомиллионников», 04.08.20, Наука в Сибири

Сибирские ученые победили в конкурсе федерального министерства науки, 04.08.20, ИА «SM-News»

Российские ученые создают научный и технологический базис для электроники будущего, НАУЧНАЯ РОССИЯ, 16/09/20

Российские ученые создают научный и технологический базис для электроники будущего Журнал "Статус", Status-media.com, 17/09/2020

Новосибирские ученые заложат основу электроники будущего Ведомости Законодательного Собрания Новосибирской области (ведомостинсо.рф), 17/09/2020

Ученые Института физики полупроводников СО РАН реализуют проект электроники будущего РИА Сибирь (ria-sibir.ru), 17/09/2020

Сибирские ученые получили грант на вычислительную технику будущего Sibnet.ru, 18/09/2020

Техника будущего: сибирские ученые — о перспективах посткремниевой электроники, «Наука в Сибири», 05 октября 2020

Техника будущего Академгородок (academcity.org), 06/10/2020

Проект ИФП СО РАН победил в конкурсе Минобрнауки РФ Новая Сибирь (newsib.net), 23/09/2020

Объем финансирования проекта ИФП СО РАН "Квантовые структуры для посткремниевой электроники" составит 300 млн рублей AK&M, 23/09/2020

ИФП СО РАН создает научный и технологический базис для электроники будущего, СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК, 16/09/2020

Российские ученые создают научный и технологический базис для электроники будущего, INFOPRO54, 16/09/2020

Российские ученые выиграли грант в 300 млн руб. на создание базы для электроники будущего, ЗЕЛЕНОГРАД INFO, 16/09/2020

Ученые ИФП получат грант Минобрнауки в 300 млн руб. на посткремниевую электронику, ТЕЛЕ-СПУТНИК, 16/09/2020

Ученые ИФП получат грант Минобрнауки в 300 млн руб. на посткремниевую электронику, ТЕЛЕКОМ В РОССИИ, 16/09/2020

ИФП СО РАН выиграл грант в 300 млн руб. на создание электроники будущего, ВРЕМЯ ЭЛЕКТРОНИКИ, 16/09/2020

ИФП СО РАН создает научный и технологический базис для электроники будущего, Новости сибирской науки, 17/09/2020

Коллектив ИФП СО РАН выиграл грант в 300 млн. руб на создание базы для электроники будущего, Лосев-Экспо, 13.10.20

2023

Новые квантовые эффекты в транспорте электронов

https://poisknews.ru/themes/physics/novye-kvantovye-effekty-v-transporte-elektronov-obnaruzhili-uchenye-instituta-fiziki-poluprovodnikov/

https://indicator.ru/physics/uchenye-obnaruzhili-novye-kvantovye-effekty-v-transporte-elektronov-14-11-2023.htm

https://scientificrussia.ru/articles/novye-kvantovye-effekty-v-transporte-elektronov-obnaruzili-ucenye-instituta-fiziki-poluprovodnikov

https://www.sbras.info/news/sibirskie-uchenye-obnaruzhili-novye-kvantovye-effekty-v-transporte-elektronov

Детектор одиночных фотонов

https://poisknews.ru/themes/physics/uchenye-ran-razrabatyvayut-detektor-odinochnyh-fotonov-dlya-sistem-odnofotonnoj-kvantovoj-svyazi/

https://russianelectronics.ru/detektor-odinochnyh-fotonov_14_11_2023/

К отчету за 2023 год

1. Shikin A. M. et al. Topological phase transition in the antiferromagnetic topological insulator MnBi2Te4 from the point of view of axion-like state realization. //Scientific Reports. – 2023. – Т. 13. – №. 1. – С. 16343-16343. DOI: 10.1038/s41598-023-42466-7

2. Khudaiberdiev D. et al. Mesoscopic Conductance Fluctuations in 2D HgTe Semimetal //Nanomaterials. – 2023. – Т. 13. – №. 21. – С. 2882. DOI: 10.3390/nano13212882

3. Dayan P´erez-Quintana, Erik Aguirre, Eduardo Olariaga, Sergei A. Kuznetsov, Valeri I. Lapanik, Vitaly S. Sutormin, Victor Ya. Zyryanov, Jose A. Marcotegui, and Miguel Beruete. Reconfigurable Millimeter-wave Reflectarray based on Low Loss Liquid Crystals //IEEE Transactions on Antennas and Propagation. – 2023. DOI: 10.1109/TAP.2023.3329666

4. Razova A. A. et al. Whispering gallery mode HgCdTe laser operating near 4 μm under Peltier cooling //Applied Physics Letters. – 2023. – Т. 123. – №. 16. DOI: 10.1063/5.0171781

5. Golyashov V. A., Kokh K. A., Tereshchenko O. E. Transport properties of (Bi, Sb)₂Te₃ topological insulator crystals with lateral pn junction //Physical Review Materials. – 2023. – Т. 7. – №. 12. – С. 124204. DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.7.124204

6. Бобин С.Б., Лончаков А.Т. Гигантский планарный эффект Холла в ультрачистом монокристаллическом образце селенида ртути. // Письма в ЖЭТФ. – 2023. – Т. 118. – №. 7-8 (10). – С. 506-512. DOI: 10.31857/S1234567823190060

7. Estyunin D. A. et al. Comparative Study of Magnetic Properties of (Mn1− x A x IV) Bi₂Te₄ AIV= Ge, Pb, Sn //Magnetochemistry. – 2023. – Т. 9. – №. 9. – С. 210. DOI: 10.3390/magnetochemistry9090210

8. Zhuravlev Y. N., Atuchin V. V. Investigation of the Optical Spectra of Barium-Zinc (Aluminum) Fluoroborates and Barium-Zinc Fluorocarbonate from First Principles //Symmetry. – 2023. – Т. 15. – №. 8. – С. 1504. DOI: 10.3390/sym15081504

9. Мажукина К.А., Румянцев В.В., Дубинов А.А, Уточкин В.В., Разова А.А., Фадеев М.А., Спирин К.Е., Жолудев М.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Морозов С.В. Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации. // Письма в ЖЭТФ. – 2023. – Т. 118. – №. 5-6 (9). – С. 311-316. DOI: 10.31857/S1234567823170019

10. Utochkin V. et al. Mid-IR lasing in HgCdTe multiple quantum well edge-emitting ridges //Applied Optics. – 2023. – Т. 62. – №. 32. – С. 8529-8534. DOI: 10.1364/AO.504295

11. Filnov S.O., Estyunin D.A., Klimovskikh I.I., Estyunina T.P., Golyashov V.A., Tarasov A.S., Kosyrev N.N., Komarov V.A., Patrin G.S., Rybkina A.A., Vilkov O.Yu., Shikin A.M., Tereshchenko O.E., Chumakov R.G., Lebedev A.M., and Rybkin A.G. Room temperature ferromagnetism in graphene/SiC (0001) system intercalated by Fe and Co //Physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters. – С. 2300336. DOI: 10.1002/pssr.202300336

12. Cheng Yuzhu, Bulgakov Alexander V., Bulgakova Nadezhda M., Beránek Jiří, Zukerstein Martin, Milekhin Ilya A., Popov Alexander A., Volodin Vladimir A. Ultrafast infrared laser crystallization of amorphous Ge films on glass substrates //Micromachines. – 2023. – Т. 14. – №. 11. – С. 2048. DOI: 10.3390/mi14112048

13. Rybkina A.A., Gogina A.A., Tarasov A.V., Xin Y., Voroshnin V.Y., Pudikov D.A., Klimovskikh I.I., Petukhov A.E., Bokai K.A., Yuan C., Zhou Z., Shikin A.M., Rybkin A.G. Origin of Giant Rashba Effect in Graphene on Pt/SiC //Symmetry. – 2023. – Т. 15. – №. 11. – С. 2052. DOI: 10.3390/sym15112052

14. Shklyaev A.A., Utkin D.E., Zheng Zhu, Tsarev A.V. Redirecting Incident Light with Mie Resonance-Based Coatings //Photonics. – MDPI, 2023. – Т. 10. – №. 11. – С. 1286. DOI: 10.3390/photonics10111286

15. Mirza Inam, Bulgakov Alexander V., Sopha Hanna, Starinskiy Sergey V., Turčiřová Hana, Novák Ondřej, Mužík Jiří, Smrž Martin, Volodin Vladimir A., Mocek Tomáš, Macak Jan M., Bulgakova Nadezhda M. Non-thermal regimes of laser annealing of semiconductor nanostructures: Crystallization without melting //Front. Nanotechnol. – 2023. – Т. 5. – С. 1271832. DOI: 10.3389/fnano.2023.1271832/full

16. Якунин М.В., Алешкин В.Я., Неверов В.Н., Попов М.Р., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле. // Письма в ЖЭТФ. – 2023. – Т. 118. – №. 11-12 (12). – С. 896-901. DOI: 10.31857/S1234567823240059

17. Чарикова Т.Б., Шелушинина Н.Г., Неверов В.Н., Попов М.Р. Эффекты туннелирования в сильно анизотропных слоистых сверхпроводниках //Успехи физических наук. – 2024. – Т. 194. – №. 12. DOI: 10.3367/UFNr.2023.11.039604

18. Гудина С. В., Неверов В. Н., Туруткин К. В., Васильевский И. С., Виниченко А.Н. Контактная разность потенциалов в отсутствие тока через образец в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре InGaAs/InAlAs. // Физика металлов и металловедение. – 2024.– т.125. – №2.

19. Махмудиан М.М., Энтин М.В. Спиновая структуры и спиновая магнитная восприимчивость двумерных вигнеровских кластеров. // Физика твердого тела. – 2023. – Т. 65. – №. 10. – С. 1769-1776. DOI: 10.61011/FTT.2023.10.56325.188

20. Ступак М.Ф., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Макаров С.Н., Елесин А.Г. Исследование влияния кристаллического совершенства на величину напряжений в структурах (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с помощью генерации второй гармоники на основе фазового синхронизма. // Оптический журнал. - 2024. - Том 91. - № 2. - С. 88–98. DOI: 10.17586/1023-5086-2024-91-02-88-98

21. Швец В.А., Марин Д.В., Кузнецова Л.С. Азаров И.А., Якушев М.В., Рыхлицкий С.В. Анализ морфологии поверхности буферных слоёв CdTe с помощью эллипсометрии и интерференционной профилометрии для создания методики контроля роста буферных слоёв. // Оптический журнал. -2024. - Том 91. - № 2. - С. 50–58. DOI: 10.17586/1023-5086-2024-91-02-50-58

22. Tarasov A.S., Kumar N., Golyashov V.A., Akhundov I.O., Ishchenko D.V., Kokh K.A., Bazhenov A.O., Stepina N.P., Tereshchenko O.E.. Formation of well-ordered surfaces of Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_y topological insulators using wet chemical treatment //Applied Surface Science. – 2024. – Т. 649. – С. 159122. DOI: 10.1016/j.apsusc.2023.159122

23. Путято М.А., Емельянов Е.А., Петрушков М.О., Васев А.В., Cемягин Б.Р., Преображенский В.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaP_xAs_1-x на вицинальной поверхности (001): кинетическая модель формирования состава в анионной подрешетке. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2024. – Т. 165. - Вып. 1. – С. 51. DOI: 10.31857/S0044451024010061

24. Калачёв И.В., Милёхин И.А., Емельянов Е.А., Преображенский В.В., Тумашев В.С., Милёхин А.Г., Латышев А.В. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и фотолюминесценция нанопроволок GaAs. // Автометрия. – 2023. - Т. 59. - №6.- С. 3-12. DOI:10.15372/AUT20230601

25. Мутилин С.В., Гайдук А.Е., Яковкина Л.В, Комонов А.И., Соотс Р.А., Капогузов К.Е., Голод С.В., Принц В.Я. Электрические и оптические переключения в наноструктурах диоксида ванадия, декорированных наночастицами золота. // Сибирский физический журнал. - 2023. - Т. 18. - № 3. - С. 71-82. DOI: 10.25205/2541-9447-2023-18-3-71-82

26. Милёхин И.А., Курусь Н.Н., Басалаева Л.С., Милёхин А.Г., Чиглинцев Э.О., Чернов А.И., Латышев А.В. Ближнепольная фотолюминесценция монослоев WS2 и MoS2, выращенных методом газофазного химического осаждения. // Сибирский физический журнал. - 2023. - Т. 18. - № 4.

27. Суханов М.А., Аксенов М.С., Бакаров А.К., Лошкарев И.Д., Журавлев К.С. Пассивация поверхности ИК фотоприемников на основе InSb/InAlSb гетероструктур. // Автометрия. -2024.

28. Швец В.А. Марин Д.В. Якушев М.В. Рыхлицкий С.В. Эллипсометрический in situ контроль процессов роста буферных слоев ZnTe и CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллура. // Физика и техника полупроводников. – 2023. - Т. 57. - №6. – С. 469. DOI: 10.21883/FTP.2023.06.56476.5278

К отчету за 2022 год

29. Direct spectroscopic evidence of magnetic proximity effect in MoS2 monolayer on graphene/Co. / Voroshnin V., Tarasov A.V., Bokai K.A., Chikina A., Senkovskiy B.V., Ehlen N., Usachov D.Yu., Sánchez-Barriga J., Fedorov A.V. // ACS Nano. 2022. V. 16. № 5. P. 7448-7456. DOI: 10.1021/acsnano.1c10391

30. Transformation of the elemental composition on the GaN surface during a 2D-3D transition. / Maidebura Y.E., Mansurov V.G., Malin T.V., Zhuravlev K.S. // Applied Surface Science. 2022. V. 577. P. 151802. DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.151802

31. The mechanism of oil viscosity reduction with the addition of graphene nanoparticles./ Pakharukov Y., Shabiev F., Safargaliev R., Mavrinskii V., Vasiljev S., Ezdin B., Grigoriev B., Salihov R. // Journal of Molecular Liquids. 2022. V. 361, P. 119551. DOI: 10.1016/j.molliq.2022.119551

32. Large and Uniform Single Crystals of MoS2 Monolayers for ppb-Level NO2 Sensing. / Patel C., Singh R., Dubey M., Pandey S.K., Upadhyay S.N., Kumar V., Sriram S., Htay M.T., Pakhira S., Atuchin V.V., Mukherjee S. // ACS Applied Nano Materials. 2022. V. 5. № 7. P. 9415-9426. DOI: 10.1021/acsanm.2c01701

33. S, N Co-Doped Carbon Dot-Functionalized WO3 Nanostructures for NO2 and H2S Detection. / Patel C., Mandal B., Jadhav R.G., Ghosh T., Dubey M., Das A.K., Htay M.T., Atuchin V.V., Mukherjee S. // ACS Applied Nano Materials. 2022. V. 5. № 2. P. 2492-2500. DOI: 10.1021/acsanm.1c04174

34. Structural instability at the In-terminated surface of the heavy-fermion superconductor CeIrIn5. / Tarasov A.V., Mende M., Ali K., Poelchen G., Schulz S., Vilkov O. Yu., Bokai K. A. , Muntwiler M., Mandic V., Laubschat C., Kliemt K., Krellner C., Vyalikh D. V.,Usachov D. Yu. // Surfaces and Interfaces. 2022. V. 32. P. 102126. DOI: 10.1016/j.surfin.2022.102126

35. Rashba Spin Splitting in HgCdTe Quantum Wells with Inverted and Normal Band Structures. / Gudina S.V., Neverov V.N., Popov M.R., Turutkin K.V., Podgornykh S.M., Shelushinina N.G., Yakunin M.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. // Nanomaterials. 2022. V. 12. № 7. P. 1238. DOI: 10.3390/nano12071238

36. Stimulated Emission up to 2.75 µm from HgCdTe/CdHgTe QW Structure at Room Temperature. / Utochkin V.V., Kudryavtsev K.E., Dubinov A.A., Fadeev M.A., Rumyantsev V.V., Razova A.A., Andronov E.V., Aleshkin V.Y., Gavrilenko V.I., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Teppe F., Morozov S.V. // Nanomaterials. 2022. V. 12, № 15, P. 2599. DOI: 10.3390/nano12152599

37. Optical properties of oriented extreme tellurium nanowires formed in restricted spaces of subnanometer-diameter channels./ Poborchii V.V., Fokin A.V., Shklyaev A.A. // Nanoscale Advances. 2023. V. 5. P. 220. DOI: 10.1039/d2na00590e

38. Interdisk spacing effect on resonant properties of Ge disk lattices on Si substrates. / Shklyaev A.A., Utkin D.E., Tsarev A.V., Kuznetsov S.A., Anikin K.V., Latyshev A.V. // Scientific Reports. 2022. V. 12. P. 8123. DOI: 10.1038/s41598-022-11867-5

39. Single-shot selective femtosecond and picosecond infrared laser crystallization of an amorphous Ge/Si multilayer stack. / Volodin V.A., Cheng Y, Bulgakov A.V., Levy Y., Beránek J., Nagisetty S.S., Zukerstein M., Popov A.A., Bulgakova N.M. // Optics and Laser Technology. 2023 V. 161. P. 109061. DOI: 10.1016/j.optlastec.2023.109161

40. Optimization of heterostructure design for switching pHEMT transistors. / Protasov D.Y., Dmitriev D.V., Zhuravlev K.S., Ayzenshtat G.I., Yushchenko A.Y., Pashkovsky A.B. // Materials Science in Semiconductor Processing. 2023. V. 153, P. 107148. DOI: 10.1016/j.mssp.2022.107148

41. Formation of germanium nanocrystals and amorphous nanoclusters in GeSiOx films using electron beam annealing. / Zhang F., Volodin V.A., Baranov E.A., Konstantinov V.O., Shchukin V.G., Zamchiy A.O., Vergnat M. // Vacuum. 2022. V. 197. P. 110796. DOI: 10.1016/j.vacuum.2021.110796

42. Features and applications of the energy shift of the topological surface state. / Estyunin D.A., Schwier E.F., Kumar S., Shimada K., Kokh K., Tereshchenko O.E., Shikin A.M. // Physical Review B. 2022. V. 105. № 12. P. 125303. DOI: 10.1103/PhysRevB.105.125303

43. Modification of the surface energy and morphology of GaN monolayers on the AlN surface in an ammonia flow. / Maidebura Y.E., Malin T.V., Zhuravlev K.S. // Applied Physics Letters. 2022. V. 120. № 5, P. 53101. DOI: 10.1063/5.0077445

44. Transformation of energy spectrum and wave functions on the way from a 2D-to-3D topological insulator in HgTe quantum wells. / Minkov G.M., Aleshkin V.Ya., Rut O.E., Sherstobitov A.A., Dvoretski S.A., Mikhailov N.N., Germanenko A.V. // Physical Review B. 2022. V. 106. № 8. P. 85301. DOI: 10.1103/PhysRevB.106.085301

45. Single-phase CZTSe via isothermal recrystallization in a KI-KCl flux. / Bakhadur A.M., Uralbekov B.M., Atuchin V.V., Mukherjee S., Kokh K.A. // CrystEngComm. 2022. V. 24. № 12. P. 2291. DOI: 10.1039/d1ce01653a

46. Generating Function Method for Calculating the Potentials of Inhomogeneous Polyhedra. / Nenashev A.V. // Frontiers in Physics. 2022. V. 9. P. 795693. DOI: 10.3389/fphy.2021.795693

47. Thin active region HgCdTe-based quantum cascade laser with quasi-relativistic dispersion law. / Dubinov A.A., Ushakov D.V., Afonenko A.A., Khabibullin R.A., Fadeev M.A., Morozov S.V. // Optics Letters. 2022. V. 47. № 19. P. 5048. DOI: 10.1364/OL.470688

48. Magnetic and transport anisotropy of electron-doped Nd2-xCexCuO4+δ with oxygen nonstoichiometric disorder. / Klepikova A.S., Charikova T.B., Popov M.R., Stepanova E.A., Ivanov A.A..// Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 2023. V. 146. P. 115532. DOI: 10.1016/j.physe.2022.115532

49. Weak antilocalization to weak localization transition in BiSe films on graphene./ Stepina, N. P., Golyashov, V. A., Nenashev, A. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Kirienko, V. V., Koptev, E. S., Goldyreva, E. S., Rybin, M. G., Obraztsova, E. D., & Antonova, I. V. .// Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2022. V. 135. P. 114969. DOI: 10.1016/j.physe.2021.114969

50. Influence of Substrate Temperature and Sulfurization on Sputtered Cu2SnGe(S,Se)3 Thin Films for Solar Cell Application. / Dubey M., Siddharth G., Singh R., Patel C., Kumar S., Htay M.T., Atuchin V.V., Mukherjee S. // IEEE Transactions On Electron Devices. 2022. V. 69. № 5. P. 2488. DOI: 10.1109/TED.2022.3159509

51. Straintronics of 2D inorganic materials for electronic and optical applications. / Антонова И.В. // PHYSICS-USPEKHI. 2022. V. 65(6). P. 567. DOI: 10.3367/UFNr.2021.05.038984

52. Hot phonon effects and Auger recombination on 3 μ m room temperature lasing in HgTe-based multiple quantum well diodes. / Afonenko A.A., Ushakov D.V., Dubinov A.A., Aleshkin V.Y., Morozov S.V., Gavrilenko V.I. // Journal of Applied Physics. 2022. V. 132. № 7. P. 73103. DOI: 10.1063/5.0098918

53. Plasmon gain in HgTe/CdHgTe multi-quantum-well heterostructures. / Rudakov A.O., Aleshkin V.Ya., Gavrilenko V.I. // Journal of Optics. 2022. V. 24. P. 075001. DOI: 10.1088/2040-8986/ac723b

54. Defect structure of ZnGeP2 crystals grown in the furnaces with tube diameters of 70 and 130 mm. / Kolesnikov A.V., Vasilenko A.P., Trukhanov E.M., Lei Z.T., Zhu C.Q., Yang C.H., Verozubova G.A. // Journal of Crystal Growth. 2022. V. 580. P. 126479. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126479

55. In situ spectroscopic ellipsometry for temperature control in molecular beam epitaxy of HgCdTe. / Shvets V.A., Marin D.V., Azarov I.A., Yakushev M.V., Rykhlitskii S.V. // Journal of Crystal Growth. 2022. V. 599. P. 126898. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2022.126898

56. Anisotropy of Magnetic Properties in Single Crystals of CH3NH3PbI3 Hybrid Perovskites./ Zhevstovskikh I.V., Charikova T.B., Klepikova A.S., Popov M.R., Stepanova E.A., Semenova O.I. // JETP Letters. 2022. V. 116. № 1. P. 48. DOI: 10.1134/S0021364022601014

57. Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi1–xSbx)2Te4 with Various Concentration of Sb Atoms. / Glazkova D.A., Estyunin D.A., Klimovskikh I.I., Makarova T.P., Tereshchenko O.E., Kokh K.A., Golyashov V.A., Koroleva A.V., Shikin A.M. // JETP Letters. 2022. V. 115. № 5. P. 286. DOI: 10.1134/S0021364022100083

58. Features of Magnetotransport in a HgTe/CdHgTe Double Quantum Well with an Intermediate Degree of Band Inversion. / Yakunin M.V., Aleshkin V.Ya., Podgornykh S.M., Neverov V.N., Popov M.R., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. // JETP Letters. 2022. V. 116. № 6. P. 385. DOI: 10.1134/S0021364022601646

59. Электронная и спиновая структура топологических поверхностных состояний MnBi4Te7 и MnBi6Te10 и их модификация приложенным электрическим полем./ Шикин А.М., Зайцев Н.Л., Тарасов А.В., Макарова Т.П., Глазкова Д.А., Естюнин Д.А., Климовских И.И..// JETP Letters. V. 116, № 8 . P.544-555, 2022. DOI: 10.31857/S1234567822200083

60. Интерференционный транспорт в двумерном топологическом изоляторе в CdHgTe квантовой яме. / Рыжков М.C., Козлов Д.А., Худайбердиев Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н. // Письма в ЖЭТФ. 2023. V. 117. № 1. P. 50. DOI: 10.31857/S1234567823010068

61. Изучение кинетики сближения ступеней поверхности Si(100)./ Есин М.Ю., Дерябин А.С., Колесников А.В., Никифоров А.И. // ФТТ. 2023. V. 65. № 2. P. 173. DOI: 10.21883/FTT.2023.02.54287.476

62. Особенности пиролиза ацетилена в атмосфере инертных газов в реакторе циклического сжатия. / Васильев С.А., Ездин Б.С., Яньшоле Л.В., Пахаруков Ю.В., Каляда В.В., Шабиев Ф.К. // Письма в ЖТФ. 2023. V. 49. № 4. P. 31. DOI: 10.21883/PJTF.2023.04.54524.19436

63. Modulation of the Dirac Point Band Gap in the Antiferromagnetic Topological Insulator MnBi2Te4 due to the Surface Potential Gradient Change. / Shikin A.M., Estyunin D.A., Zaitsev N.L., Glazkova D.A., Klimovskikh I.I., Fil’nov S.O., Rybkin A.G., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., Zvezdin K.A., Zvezdin A.K. // JETP. 2022. V. 134, № 1. P. 103. DOI: 10.1134/S1063776121120141

64. Analysis of Cobalt Intercalation under the Buffer Carbon Layer on a SiC(0001) Single Crystal. / Filnov S.O., Rybkina A.A., Tarasov A.V., Eryzhenkov A.V., Eliseev I.A., Davydov V.Y., Shikin A.M., Rybkin A.G. // JETP. 2022. V. 134, № 2. P. 188. DOI: 10.1134/S1063776122020121

65. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоёв на их структурные и оптические свойства. / Петрушков М.О., Путято М.А., Васев А.В., Абрамкин Д.С., Емельянов Е.А., Лошкарёв Д.И., Комков О.С., Фирсов Д.Д., Преображенский В.В. // ФТП. 2022. V. 56, № 10. P. 980. DOI: 10.21883/FTP.2022.10.53960.9954

66. Simulation of far-infrared HgTe/HgCdTe quantum-well vertical-cavity surface-emitting laser./ Dubinov A.A., Fadeev M. A., Aleshkin V. Ya., Morozov S.V. // Optical Engineering. 2022. V. 61. № 9. P. 096108. DOI: 10.1117/1.OE.61.9.096108

К отчету за 2021 год

67. Transport through the network of topological channels in HgTe based quantum well/ Gusev G.M., Kvon Z.D., Kozlov D.A., Olshanetsky E.B., Entin M.V., Mikhailov N.N.// 2D MATERIALS. 2022. V. 9. № 1. P. DOI: 10.1088/2053-1583/ac351e

68. Study of structural and optical properties of a dual-band material based on tin oxides and GeSiSn compounds / Timofeev V.A., Mashanov V.I., Nikiforov A.I., Loshkarev I.D., Gulyaev D.V., Volodin V.A., Kozhukhov A.S., Komkov O.S., Firsov D.D., Korolkov I.V. // Applied Surface Science. 2022. V. 573. P. 151615. DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.151615

69. Calculation of discrete and resonant states of Coulomb acceptor in HgCdTe alloys/ Zholudev M.S., Rumyantsev V.V., Morozov S.V. // Semicond. Sci. Technol. 2022. V. 37. P. 025003. DOI: 10.1088/1361-6641/ac3c96

70. Atomically-Precise Texturing of Hexagonal Boron Nitride Nanostripes / Ali K., Fernández L., Kherelden M.A., Makarova A.A., Igor P.í.š., Bondino F., Lawrence J., de Oteyza D.G., Usachov D.Y., Vyalikh D.V., García de Abajo F.J., El-Fattah Z.M.A., Ortega J.E., Schiller F. // Advanced Science. 2021. V. 8. P. 2101455. DOI: 10.1002/advs.202101455

71. Surface chemical treatment effect on (1 1 1) PbSnTe In Topological crystalline insulator films / Tarasov A.S., Ishchenko D.V., Akhundov I.O., Golyashov V.A., Klimov A.E., Suprun S.P., Fedosenko E.V., Sherstyakova V.N., Rybkin A.G., Vilkov O.Y., Tereshchenko O.E. // Applied Surface Science. 2021. V. 569. P. 150930. DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.150930

72. Optical studies and transmission electron microscopy of hgcdte quantum well heterostructures for very long wavelength lasers / Rumyantsev V.V., Razova A.A., Bovkun L.S., Tatarskiy D.A., Mikhailovskii V.Y., Zholudev M.S., Ikonnikov A.V., Svetikova T.A.U., Maremyanin K.V., Utochkin V.V., Fadeev M.A., Remesnik V.G., Aleshkin V.Y., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Potemski M., Orlita M., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. // Nanomaterials. 2021. V. 11 (7). P. 1855. DOI: 10.3390/nano11071855

73. Non-monotonic variation of the Kramers point band gap with increasing magnetic doping in BiTeI / Shikin A.M., Rybkina A.A., Estyunin D.A., Klimovskikh I.I., Rybkin A.G., Filnov S.O., Koroleva A.V., Shevchenko E.V., Likholetova M.V., Voroshnin V.Y., Petukhov A.E., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., Petaccia L., Di Santo G., Kumar S., Kimura A., Skirdkov P.N., Zvezdin K.A., Zvezdin A.K. // Scientific Reports. 2021. V. 11. P. 23332. DOI: 10.1038/s41598-021-02493-8

74. Graphene/Hexagonal Boron Nitride Composite Nanoparticles for 2D Printing Technologies / Antonova I.V., Shavelkina M.B., Poteryaev D.A., Nebogatikova N.A., Ivanov A.I., Soots R.A., Gutakovskii A.K., Kurkina I.I., Volodin V.A., Katarzhis V.A., Ivanov P.P., Bocharov A.N. // Advanced Engineering Materials. 2021. P. 2100917. DOI: 10.1002/adem.202100917

75. Colossal enhancement of the thermoelectric power factor in stress-released orthorhombic phase of SnTe / Morozova N.V., Korobeinikov I.V., Kurochka K.V., Ovsyannikov S.V. // Appl. Phys. Lett. 2021. V. 118. P. 103903. DOI: 10.1063/5.0043954

76. Large linear magnetoresistance in single HgSe crystals induced by low-concentration Co impurity / Lonchakov A.T., Bobin S.B. // Applied Physics Letters. 2021. V. 118. P. 062106. DOI: 10.1063/5.0032572

77. Ultrathin and high-efficiency Pancharatnam-Berry phase metalens for millimeter waves / Moreno-Peñarrubia A., Teniente J., Kuznetsov S., Orazbayev B., Beruete M. // Applied Physics Letters. 2021. V. 118. P. 221105. DOI: 10.1063/5.0048907

78. Long dephasing time of NV center spins in diamond layers formed by hot ion implantation and high pressure high temperature annealing / Popov V.P., Podlesny S.N., Kartashov I.A., Kupriyanov I.N., Palyanov Yu.N.// Diamond and Related Materials. 2021. V. 120. P. 108675. DOI: 10.1016/j.diamond.2021.108675

79. Low-temperature luminescence in organic-inorganic lead iodide perovskite single crystals / Zhevstovskikh I.V., Averkiev N.S., Sarychev M.N., Semenova O.I., Tereshchenko O.E.// Journal of Physics D: Applied Physics. 2021. V. 55 .P. 095105. DOI: 10.1088/1361-6463/ac38e3

80. Optical properties of GeO[SiO] and GeO[SiO2] solid alloy layers grown at low temperature / Cherkova S.G., Volodin V.A., Zhang F., Stoffel M., Rinnert H., Vergnat M. // Optical Materials. 2021. V. 122. P. 111736. DOI: 10.1016/j.optmat.2021.111736

81. Ellipsometric thermometry in molecular beam epitaxy of mercury cadmium telluride / Marin D.V., Shvets V.A., Azarov I.A., Yakushev M.V., Rykhlitskii S.V. // Infrared Physics and Technology. 2021. V. 116. P. 103793. DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103793

82. A new imaging concept in spin polarimetry based on the spin-filter effect / Tereshchenko O.E., Golyashov V.A., Rusetsky V.S., Mironov A.V., Demin A.Y., Aksenov V.V. // Journal of Synchrotron Radiation. 2021. V. 28. P. 864. DOI: 10.1107/S1600577521002307

83. Toward Peltier-cooled mid-infrared HgCdTe lasers: Analyzing the temperature quenching of stimulated emission at ∼6 μm wavelength from HgCdTe quantum wells / Kudryavtsev K.E., Rumyantsev V.V., Utochkin V.V. et al.// J. Appl. Phys. 2021. V. 130. P. 214302. DOI: 10.1063/5.0071908

84. Synthesis of Si nanoparticle chains and nanowhiskers by the monosilane decomposition in an adiabatic process during cyclic compression / Ezdin B.S., Kalyada V.V., Yatsenko D.A., Ischenko A.V., Volodin V.A., Shklyaev A.A. // Powder Technology. 2021. V. 394. P. 996. DOI: 10.1016/j.powtec.2021.09.032

85. The effect of barrier layers on 2D electron effective mass in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures / Sonmez F., Ardali S., Lisesivdin S.B., Malin T., Mansurov V., Zhuravlev K., Tiras E. // Journal of Physics Condensed Matter. 2021. V. 33. P. 255501. DOI: 10.1088/1361-648X/abf8d2

86. Energy relaxation of quantum dot hot electrons in hybrid quantum dot-Bose-Einstein condensate system / Mahmoodian M.M., Kovalev V.M., Chaplik A.V. // Journal of Physics Condensed Matter. 2021. V. 33(43). P. 435301. DOI: 10.1088/1361-648X/ac18f3

87. Broadband Antireflection Coatings Made of Resonant Submicron- And Micron-Sized SiGe Particles Grown on Si Substrates / Shklyaev A.A., Tsarev A.V. // IEEE Photonics Journal. 2021. V. 13. P. 9435026. DOI: 10.1109/JPHOT.2021.3081100

88. Increase in the Photocurrent in Layers of Ge/Si Quantum Dots by Modes of a Two-Dimensional Photonic Crystal / Yakimov A.I., Bloshkin A.A., Kirienko V.V., Dvurechenskii A.V., Utkin D.E. // JETP Letters. 2021. V. 113. P. 498. DOI: 10.1134/S0021364021080129

89. Two-Dimensional Semimetal HgTe in 14-nm-Thick Quantum Wells / Vasil’ev N.N., Kvon Z.D., Mikhailov N.N., Ganichev S.D. // JETP Letters. 2021. V. 113. P. 466. DOI: 10.1134/S0021364021070110

90. Photothermal Ionization Spectroscopy of Mercury Vacancies in HgCdTe Epitaxial Films / Kozlov D.V., Uaman Svetikova T.A., Ikonnikov A.V., Rumyantsev V.V., Razova A.A., Zholudev M.S., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. // JETP Letters. 2021. V. 113. P. 402. DOI: 10.1134/S0021364021060072

91. Optical properties of native (anodic) layer on the InAlAs surface of different morphology / Valisheva N.A., Kruchinin V.N., Aksenov M.S., Azarov I.A., Nedomolkina A.A. // Thin Solid Films. 2021. V. 728. P. 138692. DOI: 10.1016/j.tsf.2021.138692

92. Modification of the Electronic Structure of Quasi-Free-Standing Graphene by the Adsorption and Intercalation of Mn Atoms / Gogina A.A., Rybkin A.G., Shikin A.M., Tarasov A.V., Petaccia L., Di Santo G., Eliseyev I.A., Lebedev S.P., Davydov V.Y., Klimovskikh I.I. // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2021. V. 132. P. 906. DOI: 10.1134/S1063776121050101

93. Vortex motion in tilted magnetic fields in highly layered electron-doped superconductor Nd2x CexCuO4 / Petukhova O.E., Klepikova A.S., Popov M.R., Shelushinina N.G., Ivanov A.A., Charikova T.B. // Physica C: Superconductivity and its Applications. 2021. V. 591. P. 1353968. DOI: 10.1016/j.physc.2021.1353968

94. Anderson localization in a two-dimensional electron–hole system / Kvon Z.D., Olshanetsky E.B., Drofa M.A., Mikhailov N.N. // JETP Letters. 2021. V. 114(6). P. 341. DOI: 10.1134/S0021364021180090

К отчету за 2020 год

95. Сurrent filamentation in a cylindrical nanomembrane laced in a magnetic field / E. K. Bagochus, A. B. Vorob’ev, J. S. Vorobyova, V.Y. Prinz // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2021. V. 127. P. 114572. DOI: 10.1016/j.physe.2020.114572

96. Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами GeSi квантовых точек / А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. В. Ненашев [и др.] // Письма в ЖЭТФ. Т. 113, вып. 1. С. 58 – 62. DOI: 10.31857/S1234567821010080

    Electron Spin Resonance in Heterostructures with Ring Molecules of GeSi Quantum Dots / A.F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. V. Nenashev, A. A. Shklyaev, L. V. Kulik & A. V. Dvurechenskii // JETP LETTERS. 2021. V. 113. P. 52–56. DOI: 10.1134/S0021364021010112

97. Mid-IR stimulated emission in Hg(Cd)Te/CdHgTe quantum well structures up to 200 K due to suppressed Auger recombination / V. V. Utochkin, K. E. Kudryavtsev, M. A. Fadeev [et al.] // Laser Phys. 2021. V. 31. P. 015801. DOI: 10.1088/1555-6611/abd3f5

98. Urbach tail and nonuniformity probe of HgCdTe thin films and quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy / V. V. Rumyantsev, A. A. Razova, M. A. Fadeev [et al.] // Optical Engineering. 2021. V. 60, N 8. P. 082007. DOI: 10.1117/1.OE.60.8.082007

99. Anomalous phase shift of magneto-oscillations in HgTe quantum well with inverted energy spectrum / S. V. Gudina, A. S. Bogoliubskii, A. S. Klepikova [et al.] // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2021. V. 524. P. 167655. DOI: 10.1016/j.jmmm.2020.167655

100. AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов / Суханов М. А., Бакаров А. К., Журавлёв К. С. // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47, вып. 3. С. 37-39. DOI: 10.21883/PJTF.2021.03.50574.18588

     AlSb/InAs Heterostructures for Microwave Transistors / M.A. Sukhanov, A.K. Bakarov, K.S. Zhuravlev // Technical Physics Letters. V. 47, № 2. P. 139-142. DOI: 10.1134/S1063785021020127

101. Mid-infrared stimulated emission in HgCdTe/CdHgTe quantum well heterostructures at room temperature / M. A. Fadeev, A. O. Troshkin, A. A. Dubinov [et al.] // Optical Engineering. 2021. Vol. 60, № 8. Р.082006.

102. Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe / А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко [и др.] // Квантовая Электроника. 2021. Т. 51, № 2, C. 158–163. DOI: 10.1070/QEL17461

     THz laser generation on a hybrid surface plasmon in a HgCdTe-based structure / A.A. Dubinov, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, V.V. Rumyantsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.V. Utochkin, S.V. Morozov // Quantum Electronics. 2021. V. 51, № 2. P. 158-163.

103. Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре / С. В. Морозов, В. В. Уточкин, В. В. Румянцев [и др.] // Письма в ЖТФ. 2021. T. 47, вып. 3. C. 51-54. DOI: 10.21883/PJTF.2021.03.50578.18603

     Express Characterization of the HgCdTe/CdHgTe Quantum Well Waveguide Heterostructures with the Quasi-Relativistic Carrier Dispersion Law by Room-Temperature Photoluminescence Spectroscopy / S.V. Morozov, V.V. Utochkin, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, A.A. Razova, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii // Technical Physics Letters. 2021. V. 47, Issue 2. P. 154-157. DOI: 10.1134/S1063785021020115

104. Colossal variations in the thermopower and n–p conductivity switching in topological tellurides under pressure / N. V. Morozova, I. V. Korobeinikov, K. V. Kurochka, S. V. Ovsyannikov // J. Appl. Phys. 2020. V. 128. P. 245902. DOI: 10.1063/5.0031818

105. Resonant plasmon enhancement of light emission from CdSe/CdS nanoplatelets on Au nanodisk arrays / I. A. Milekhin, K. V. Anikin, M. Rahaman [et al.] // J. Chem. Phys. 2020. V. 153. P. 164708. DOI: 10.1063/5.0025572

106. Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si\In2O3:Er films / K. V. Feklistov, A. G. Lemzyakov, I. P. Prosvirin [et al.] // Mater. Res. Express. 2020. V. 7. P. 125903. DOI: 10.1088/2053-1591/abd06b

107. Comprehensive Density Functional Theory Studies of Vibrational Spectra of Carbonates / Yu.N. Zhuravlev, V.V. Atuchin // Nanomaterials. 2020. V. 10. P. 2275. DOI:10.3390/nano10112275

108. Resistive Switching in Non-Stoichiometric Germanosilicate Glass Films Containing Ge Nanoclusters / V. A. Volodin, P. Geydt, G. N. Kamaev [et al.] // Electronics. 2020. V. 9. P. 2103. DOI:10.3390/electronics9122103

109. Photoelectron diffraction for probing valency and magnetism of 4 f -based materials: A view on valence-fluctuating EuIr2Si2 / D. Yu. Usachov, A. V. Tarasov, S. Schulz [et al.] // Physical Review. 2020. V. B 102. P. 205102. DOI: 10.1103/PhysRevB.102.205102