В рамках выполнения проекта в 2020-2023 годах решены крупные научные задачи:

  • Разработаны новые физические подходы и конструкции полупроводниковых квантовых наногетероструктур соединений А3В5, А2В6 и А4В6, для перспективных приборов оптоэлектроники, нанофотоники, наноэлектроники и спинтроники.

  • Разработаны технологии создания однофотонных лавинных фотодиодов (ОЛФД) на базе полупроводниковых квантовых гетероструктур InP/InGaAs/InP для применения в оптоволоконных системах квантовой связи и гетероструктур AlAsSb/InAsSb и InAlSb/InSb для матричных ИК фотоприемных устройств.

  • Разработаны нанотехнологии создания и установлены основные физические закономерности новых квантовых систем на основе графена, ван-дер-ваальсовых гетероструктур, топологических изоляторов и полуметаллов Вейля для пост-кремниевой электроники.

  • Разработаны технологии создания и исследованы полупроводниковые наноструктуры с квантовыми точками и спиновых квантовые центры в широкозонных полупроводниках для нового поколения устройств квантовой фотоники.

  • Разработаны физические принципы технологий создания пост-кремниевых материалов, включая полупроводниковые и плазмонные метаматериалы, для нанофотоники, плазмоники и наносенсорики.

Все научные исследования, предусмотренные заявленным планом работ по проекту (2020-2023 годы), выполнены в полном объеме.

Достигнуты все запланированные целевые индикаторы:

  • Доля студентов, аспирантов и молодых ученых в возрасте до 39 лет в общей численности исполнителей составляла 50%.

  • Результаты работы по проекту опубликованы в 103 статьях в рецензируемых научных журналах.

  • По результатам выполнения проекта защищено 15 диссертаций.

Наиболее значимые научные результаты выполнения проекта составили основу подготовленной к печати монографии «Квантовые структуры для посткремниевой электроники» под редакцией академика А.В. Латышева (издательство ООО «Параллель», Новосибирск, 2023 г., 223 стр.)