• Разработана технология молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) квантовых гетероструктур на основе СdHgTe в прецизионным контролем толщины и элементного состава нанослоев.

  • Разработаны научные основы технологии МЛЭ квантовых гетероструктур InP/InGaAs/InP для создания малошумящих однофотонных лавинных фотодиодов.

  • Разработана технология создания базовых наноэлементов на основе VO2 для компьютеров нового поколения, динамически управляемых метаматериалов и плазмонных наноприборов.

  • Развита технология формирования планарных метаструктур субволновой топологии для оптических сенсоров и функциональных устройств фотоники.

  • Определены механизмы межзонной релаксации неравновесных носителей заряда в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе CdHgTe.

  • Развиты физические принципы построения межзонных лазеров среднего и дальнего ИК диапазонов (3 - 50 мкм) и квантовых каскадных лазеров дальнего ИК/ТГц диапазона.

  • Проведено комплексное исследование электронной и спиновой структуры, магнитных свойств ряда топологических изоляторов.