А.Л.Асеев

Вступительное слово директора ИФП СО РАН

И.И.Рябцев, Д.Б.Третьяков, И.И.Бетеров, В.М.Энтин

Наблюдение резонанса Фёрстера при взаимодействии двух холодных ридберговских атомов

А.А.Быков, А.В.Горан, А.И.Торопов, S.A.Vitkalov

Магнетофононные и магнето-межподзонные осцилляции сопротивления в GaAs/AlAs гетероструктурах при больших факторах заполнения

З.Д.Квон, В.Ренард, В.А.Ткаченко, О.А.Ткаченко, А.И.Торопов, А.К.Бакаров, Е.Б.Ольшанецкий, И.В.Горный, М.Н.Кострикин, O.Эстибаль, Ж.К.Портал

Узкая δ-легированная квантовая яма: переполнение, электрон-электронное взаимодействие и переход из диффузионного режима в баллистический

10:50 - 11:00 Перерыв

А.В.Царев

Особенности эффекта Брюстера при отражении оптической волны от одномерного фотонного кристалла

Т.Т.Корчагина, В.А.Володин

Способ формирования аморфных и кристаллических нанокластеров кремния в диэлектрических пленках с применением импульсных лазерных отжигов

№

Д.В.Бражников, А.В.Тайченачав, А.М.Тумайкин, В.И.Юдин, И.И.Рябцев, В.М.Энтин

Влияние поляризации встречных волн на нелинейные резонансы электромагнитно-индуцированных прозрачности и адсорбции в конфигурации Ханле

С.А. Тийс, Е.М. Труханов, А.С. Ильин, А.К. Гутаковский, А.В. Колесников

Переходы поверхностных фаз на начальной стадии эпитаксиального роста Ge на Si(111), обусловленные изменением уровня механических напряжений

Т.С.Шамирзаев, Д.С.Абрамкин, А.К.Гутаковский, М.А.Путято

Высококачественная система релаксированных GaAs квантовых точек в матрице GaP

11:00 - 11:10 Перерыв

М.В.Якушев, А.А.Бабенко, Д.В.Брунев, В.В.Васильев, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, И.В.Марчишин, Л.В.Миронова, А.В.Предеин, Д.Н.Придачин, В.Г.Ремесник, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин, А.О.Сусляков

Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников

Д.В.Щеглов, С.С.Косолобов, Е.Е.Родякина, Л.И.Федина, А.К.Гутаковский, А.В.Латышев

Прецизионные измерения на поверхности Si (111) в суб-нанодиапазоне

№

А.А.Быков, И.В.Марчишин, А.В.Горан, Д.В.Дмитриев

Гигантские осцилляции магнетопроводимости и состояния с нулевой проводимостью, индуцированные микроволновым излучением в двумерных электронных дисках Корбино с емкостными контактами

Ф.Н.Дульцев, Е.А.Колосовский

Высокочувствительный способ обнаружения отдельных наночастиц на основе компенсации сил отрыва от поверхности.

10:20 - 10:30 Перерыв

О.Е.Терещенко, D.Lamine, X.Li, G.Lampel, Y.Lassailly, D.Paget, J.Peretti

Транспортные и магнитные свойства барьеров Шоттки Fe/GaAs для спиновой поляриметрии

А.Р. Сорокин

Лазеры, возбуждаемые пучками тяжёлых частиц тлеющего разряда

Перерыв до 15:00

15:00 Обсуждение конкурсных работ

После окончания дискуссии - заседание конкурсной комиссии